一种半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。

A semiconductor laser

The utility model relates to the semiconductor technical field, and provides a semiconductor laser, which comprises a substrate, a detection module and a luminous module formed on the substrate in parallel, and an active layer projected on the detection module in the luminous module falling into the absorption layer of the detection module. The alignment difficulty between the detection module and the luminous module can be reduced by setting the detection module and the luminous module side by side, and the semiconductor laser can be used in a wide range with its own power detection function; moreover, the projection of the active layer in the luminous module on the detection module falls into the range of the absorption layer in the detection module. The light emitted from the luminous component enters the detection component along the arrangement direction of the detection component and the luminous component for detection, that is, the light emitted from the luminous component is incident into the absorption layer of the detection component from the side of the light emitted from the luminous component, thus extending the path of the light in the detection component, and thereby improving the detection accuracy of the detection component.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器
本技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器(LaserDiode，简称为LD)，具有芯片尺寸小，电光转换效率高的优点，在固体激光泵浦、激光加工、激光医疗以及激光雷达等领域应用极其广泛。其中，半导体激光器的额定功率大小是激光工艺参数的重要指标，只有合适的激光功率才能保证激光器和光路系统长时间的稳定工作，同时也是实现激光器最佳加工质量的决定因素。因此，现有技术中为了能够实时检测激光器的功率，在激光器的非出光端面装入一个探测器，用来测量激光器的漏光功率；然后，根据经验参数，推测出激光器实际的出光功率。具体地，将单独制备好的激光器和探测器，混合集成到一个系统内，从激光器的有源层中发出的光线，被探测器的吸收层吸收，然后探测器根据吸收的光线，进行漏光功率的检测。然而，上述技术方案中，探测器和激光器是单独加工的，为了提高漏光功率检测的准确性，需要激光器的有源层与探测器的吸收区精确对位，存在较大困难。另一方面，目前所用探测器，一般为面入射探测器，其入射光方向垂直于衬底，而边发射的激光器，其出光方向与衬底面平行，因此，难以将探测器和激光器放置于同一平面上。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体激光器的出光功率检测精度低的缺陷。鉴于此，本技术提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。可选地，所述发光组件在靠近所述检测组件的一侧设置有第一功能层，在远离所述检测组件的一侧设置有第二功能层。可选地，所述有源层在所述第一功能层上的投影，落入所述第一功能层的范围内；和/或，所述有源层在所述第二功能层上的投影，落入所述第二功能层的范围内。可选地，所述第一功能层为反射层，所述第二功能层为增透层。可选地，所述发光组件包括层叠设置的第一半导体层，所述有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层靠近所述衬底设置。可选地，还包括层叠设置在所述第二半导体层上的第一电极层。可选地，所述检测组件包括层叠设置的第三半导体层，所述吸收层，以及第四半导层，所述第三半导体层靠近所述衬底设置。可选地，还包括层叠设置在所述第四半导体层上的第二电极层。可选地，还包括层叠设置在所述衬底远离所述发光组件的一侧的第三电极层。本技术技术方案，具有如下优点：1.本技术实施例提供的半导体激光器，通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，与传统的面入射检测组件相比，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。2.本技术实施例提供的半导体激光器，通过在发光组件的出光面以及背光面分别设置增透层与反射层，使得从发光组件发出的光线能够极大程度地从出光面射出，减少了该发光组件背面漏光的概率。3.本技术实施例提供的半导体激光器，其中，第三电极层作为检测组件与发光组件共用的电极层，能够简化器件结构，节约成本。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例1中半导体激光器的一个具体示意的结构示意图；图2为本技术实施例2中半导体激光器制备方法的一个具体示意的流程图；图3a-图3g为本技术实施例2中半导体激光器制备工艺中一个具体示意的结构图；附图标记：10-衬底；21-第一半导体层；22-有源层；23-第二半导体层；30-介质层；41-第三半导体层；42-吸收层；43-第四半导体层；50-第一电极层；60-第二电极层；70-第三电极层；81-反射层；82-增透层；90-钝化层。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。需要说明的是，本技术实施例中的发光组件可以为任意能够发光的组件，该发光组件正对检测组件的面为背光面，与背光面相对的面为出光面。即，发光组件的出光方向为远离检测组件的方向。此外，检测组件用于检测从发光组件的背光面射出光线的功率，也可以理解为，检测组件用于检测发光组件的漏光功率。本技术实施例中，发光组件为半导体激光器组件。此外，本实施例中的半导体激光器，具体包括：衬底，形成在衬底上的检测组件，半导体激光器组件以及衬底背面的第三电极层。实施例1本技术实施例提供一种半导体激光器，如图1所示，包括衬底10，并列外延生长在衬底10上的检测组件和半导体激光器组件；其中，半导体激光器组件中的有源层22在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层42的范围内。衬底10可以为半导体单晶N型衬底，也可以为半导体单晶P型衬底，具体的衬底10的极性选择可以根据实际在衬底10上外延生长的检测组件和半导体激光器组件的类型决定。本实施例中的衬底10选用半导体单晶N型衬底。如图1所示，衬底10分为检测组件区和发光组件区，检测组件区用于形成检测组件，发光组件区用于形成半导体激光器组件。其中，检测组件与半导体激光器组件并列设置，两者之间具有一定的间隔，即从半导体激光器组件发出的光线侧入射至检测组件中。半导体激光器组件包括层叠设置的第一半导体层21，有源层22，以及第二半导体层23。其中，第一半导体层21为N型半导体层，具体可以包括：N型导电层以及N型限制层；第二半导体层23为P型半导体层，具体可以包括：P型导电层以及P型限制层。即，在远离衬底10的方向上，半导体激光器组件依次包括层叠设置的N型导电层、N型限制层、有源层23、P型限制层以及P型导电层。如图1所示，在半导体激光器组件的最外层，即靠近P型导电层的位置还设置有第一电极层50，该第一电极层50为半导体激光器的P型电极。此外，该半导体激光器组件还包括，在靠近检测组件的一侧设置的第一功能层(即反射层81)，在远离检测组件的一侧设置的第二功能层(增透层82)；即在该半导体激光器的出光面设置增透层81，在背光面设置反射层82，使得从发光组件发出的光线能够极大程度地从出光面射出，减少了该发光组件背面漏光的概率。其中，增透层81完全覆盖该半导体激光器的出光面，反射层82完全覆盖该半导体激光器组件的背光面。检测组件包括依次层叠设置的第三半导体层41、吸收层42以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：衬底；并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：衬底；并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述发光组件在靠近所述检测组件的一侧设置有第一功能层，在远离所述检测组件的一侧设置有第二功能层。3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源层在所述第一功能层上的投影，落入所述第一功能层的范围内；和/或，所述有源层在所述第二功能层上的投影，落入所述第二功能层的范围内。4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一功能层为反射层，所述第二功能层为增透层。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡双元，颜建，
申请(专利权)人：苏州矩阵光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32