薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括步骤：在衬底上制作扫描线和栅极，覆盖第一绝缘层，在第一绝缘层上制作有源层，在有源层上制作数据线、源极和漏极，覆盖第二绝缘层，并在源极或漏极处制作第一接触孔，覆盖平坦层，并在第一接触孔处制作第二接触孔，沉积第一导电层，先不对该第一导电层采取刻蚀，在该第一导电层上制作金属电极，再对第一导电层进行刻蚀，并露出源极或漏极，覆盖第三绝缘层，并在第二接触孔处制作第三接触孔，在第三绝缘层上制作像素电极，该像素电极与源极或漏极接触连接。本发明专利技术还提供一种由上述方法制作而成的薄膜晶体管阵列基板和一种包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

Thin film transistor array substrate and manufacturing method and display device thereof

The invention discloses a method for making a thin film transistor array substrate, which consists of a step: making a scan line and a grid on a substrate, covering the first insulating layer, making an active layer on the first insulating layer, making a data line, a source and a drain on the active layer, covering the second insulating layer, and making the first place at the source or drain pole. A contact hole is covered with a flat layer, and a second contact hole is made at the first contact hole, and the first conductive layer is deposited. First, the first conductive layer is etched, the metal electrode is made on the first conductive layer, then the first conductive layer is etched, and the source or leakage is exposed, the third insulating layer is covered and the second contact hole is covered. A third contact hole is made and a pixel electrode is made on the third insulating layer, and the pixel electrode is contacted with the source or drain electrode. The invention also provides a thin film transistor array substrate made by the above method and a display device including the thin film transistor array substrate.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示器
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器已取代笨重的CRT显示器，日益深入人们的日常生活中，尤其是LCD显示器，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等多个领域。在图像显示过程中，LCD平板显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示；有源矩阵驱动式OLED(ActiveMatrixOrganicLightEmissionDisplay，简称AMOLED)显示器中由TFT基板中的TFT驱动OLED面板中对应的OLED像素，再配合外围驱动电路，实现图像显示。在上述显示器中，TFT是控制发光的开关，是实现LCD显示器和OLED显示器大尺寸的关键，直接关系到高性能显示器的发展方向。目前，现有的TFT制作方法中，会出现平坦层下的保护层发生削弱和平坦层覆盖不良的问题。为解决平坦层下保护层的削弱，容易想到改变保护层膜质和膜厚等方法，但这种方法不能完全解决保护层的削弱。在现有技术中通常采取平坦层下保护层先开孔的方式，可解决保护层削弱的问题，但是源/漏极会暴露。由于公共电极电阻较大，通常会与公共电极并联一金属电极用于降低其电阻，在对该金属电极进行刻蚀时，会导致已暴露的源/漏极缺失，同时也会导致平坦层龟裂。从而导致显示器由点不亮转变为点不良。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，既解决平坦层下保护层削弱的问题，还解决了后序工艺开孔时导致孔内源极或漏极缺失和平坦层龟裂的问题。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该制作方法包括以下步骤：在衬底上制作第一金属层，该第一金属层包括扫描线和栅极；在该衬底上沉积覆盖该第一金属层的第一绝缘层；在该第一绝缘层上制作有源层；在该第一绝缘层上制作第二金属层，该第二金属层包括数据线、源极和漏极，该源极和该漏极分别与该有源层连接；在该第一绝缘层上沉积覆盖该第二金属层的第二绝缘层，并在该第二绝缘层中制作第一接触孔；在该第二绝缘层上沉积平坦层，并在该平坦层中制作第二接触孔，其中该第二接触孔与该第一接触孔处位置相对应；在该平坦层上沉积第一导电层，该第一导电层覆盖住该第二接触孔，先不对该第一导电层进行刻蚀；在该第一导电层上制作金属电极；在形成该金属电极后，再对该第一导电层进行蚀刻，该第一导电层在蚀刻后形成公共电极；沉积覆盖该金属电极与该公共电极的第三绝缘层，并在该第三绝缘层中制作第三接触孔，其中该第三接触孔与该第二接触孔位置相对应；在该第三绝缘层上沉积第二导电层并制作为像素电极，其中该像素电极填入该第三接触孔与该第二接触孔中并与该第二金属层的源极或漏极接触连接。进一步地，该第二接触孔小于该第一接触孔，使该平坦层填入该第一接触孔中并覆盖该第一接触孔的四周侧壁。进一步地，该第一接触孔、该第二接触孔和该第三接触孔的孔心在同一中心线上。进一步地，该公共电极上除了像素开口区以外的区域均覆盖有该金属电极。进一步地，该金属电极直接与该公共电极接触。进一步地，在形成该平坦层之前，还包括对该第二绝缘层进行等离子体处理。本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板采用如上所述的制作方法制作形成。进一步地，该第二接触孔小于该第一接触孔，使该平坦层填入该第一接触孔中并覆盖该第一接触孔的四周侧壁。进一步地，该公共电极上除了像素开口区以外的区域均覆盖有该金属电极。本专利技术还提供一种显示装置，该显示装置包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术有益效果：该薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，在平坦层上沉积第一导电层，第一导电层覆盖住第二接触孔，对第一导电层先不采取刻蚀工艺；然后在第一导电层上沉积第三金属薄膜，对该第三金属薄膜进行蚀刻制作金属电极，在对该第三金属薄膜进行蚀刻制作金属电极时，由于第一导电层填入覆盖在第二接触孔中，可以利用第一导电层作为刻蚀阻挡层，保护第二接触孔内的源极或漏极，解决了现有技术中源极或漏极缺失和平坦层龟裂的问题；在形成金属电极后，再对第一导电层进行蚀刻。附图说明图1a至图1j是本专利技术第一实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图；图2是本专利技术第一实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图；图3是本专利技术第二实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：第一实施例图1j为本专利技术第一实施例中薄膜晶体管阵列基板的局部示意图，本实施例提供的薄膜晶体管阵列基板包括衬底101、形成在衬底101上的第一金属层、覆盖在第一金属层上的第一绝缘层103、形成在第一绝缘层103上的有源层104、形成在第一绝缘层103上的第二金属层、覆盖在第二金属层上的第二绝缘层107、形成在第二绝缘层107上的平坦层108、形成在平坦层108上的公共电极111、形成在公共电极111上的第三金属层、覆盖在公共电极111和第三金属层上的第三绝缘层112、以及形成在第三绝缘层112上的像素电极113。进一步地，第一金属层包括扫描线和栅极102，第二金属层包括数据线、源极106和漏极105，第三金属层包括金属电极110，第一绝缘层103为栅极绝缘层，第二绝缘层107为覆盖源极106和漏极105的保护层，第三绝缘层112为公共电极111与像素电极113之间的绝缘层，并且第二绝缘层107中设有第一接触孔201，平坦层108中设有第二接触孔202，第三绝缘层112中设有第三接触孔203。金属电极110形成在公共电极111上且直接与公共电极111接触，以降低公共电极111的电阻和增加公共电极111的导电性。像素电极113通过第二接触孔202和第三接触孔203与源极106或漏极105连接，在本实施例中，像素电极113通过第二接触孔202和第三接触孔203与漏极105连接。第二接触孔202小于第一接触孔201，使平坦层108填入第一接触孔201中并覆盖第一接触孔201的四周侧壁，从而使平坦层108能够完全覆盖住第二绝缘层107(即保护层)，解决保护层削弱的问题；进一步地，第一接触孔201、第二接触孔202和第三接触孔203的孔心位于同一中心线上。该公共电极111上除了像素开口区以外的区域均覆盖有该金属电极110。衬底101可以是玻璃基板或塑料基板。第一绝缘层103、第二绝缘层107和第三绝缘层112例如为氧化硅(SiOx)、氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底(101)上制作第一金属层，该第一金属层包括扫描线和栅极(102)；在该衬底(101)上沉积覆盖该第一金属层的第一绝缘层(103)；在该第一绝缘层(103)上制作有源层(104)；在该第一绝缘层(103)上制作第二金属层，该第二金属层包括数据线、源极(106)和漏极(105)，该源极(106)和该漏极(105)分别与该有源层(104)连接；在该第一绝缘层(103)上沉积覆盖该第二金属层的第二绝缘层(107)，并在该第二绝缘层(107)中制作第一接触孔(201)；在该第二绝缘层(107)上沉积平坦层(108)，并在该平坦层(108)中制作第二接触孔(202)，其中该第二接触孔(202)与该第一接触孔处(201)位置相对应；在该平坦层(108)上沉积第一导电层(109)，该第一导电层(109)覆盖住该第二接触孔(202)，先不对该第一导电层(109)进行刻蚀；在该第一导电层(109)上制作金属电极(110)；在形成该金属电极(110)后，再对该第一导电层(109)进行蚀刻，该第一导电层(109)在蚀刻后形成公共电极(111)；沉积覆盖该金属电极(110)与该公共电极(111)的第三绝缘层(112)，并在该第三绝缘层(112)中制作第三接触孔(203)，其中该第三接触孔(203)与该第二接触孔(202)位置相对应；在该第三绝缘层(112)上沉积第二导电层并制作为像素电极(113)，其中该像素电极(113)填入该第三接触孔(203)与该第二接触孔(202)中并与该第二金属层的源极(106)或漏极(105)接触连接。...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底(101)上制作第一金属层，该第一金属层包括扫描线和栅极(102)；在该衬底(101)上沉积覆盖该第一金属层的第一绝缘层(103)；在该第一绝缘层(103)上制作有源层(104)；在该第一绝缘层(103)上制作第二金属层，该第二金属层包括数据线、源极(106)和漏极(105)，该源极(106)和该漏极(105)分别与该有源层(104)连接；在该第一绝缘层(103)上沉积覆盖该第二金属层的第二绝缘层(107)，并在该第二绝缘层(107)中制作第一接触孔(201)；在该第二绝缘层(107)上沉积平坦层(108)，并在该平坦层(108)中制作第二接触孔(202)，其中该第二接触孔(202)与该第一接触孔处(201)位置相对应；在该平坦层(108)上沉积第一导电层(109)，该第一导电层(109)覆盖住该第二接触孔(202)，先不对该第一导电层(109)进行刻蚀；在该第一导电层(109)上制作金属电极(110)；在形成该金属电极(110)后，再对该第一导电层(109)进行蚀刻，该第一导电层(109)在蚀刻后形成公共电极(111)；沉积覆盖该金属电极(110)与该公共电极(111)的第三绝缘层(112)，并在该第三绝缘层(112)中制作第三接触孔(203)，其中该第三接触孔(203)与该第二接触孔(202)位置相对应；在该第三绝缘层(112)上沉积第二导电层并制作为像素电极(113)，其中该像素电极(113)填入该第三接触孔(203)与该第二接触孔(202)中并...

【专利技术属性】
技术研发人员：李治朝，曾龙，郑玮玮，马晓旭，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32