显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种包括氧化物半导体的半导体装置、包括该半导体装置的显示装置及其制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。具体而言，本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子包括半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法以及它们的制造方法。在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的装置。晶体管及半导体电路是半导体装置的一个方式。存储装置、显示装置或电子设备有时包含半导体装置。
技术介绍
使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体膜形成晶体管的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)或图像显示装置(显示装置)等电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。例如，专利文献1公开了一种晶体管，该晶体管的活性层包括包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物半导体。对于显示装置，除了厚度及重量的降低之外，柔性或耐冲击性的提高也被期待。例如，专利文献2公开了在薄膜衬底上设置有有机EL元件及用作开关元件的晶体管的柔性有源矩阵型发光装置。[参考文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开2006-165528号公报[专利文献2]日本专利申请公开2003-174153号公报
技术实现思路
在柔性显示装置的制造工序中，当使用硬质衬底时不会发生问题的微细的不良部分有可能扩大，而使成品率降低。此外，该不良部分有时在显示装置完成后因弯曲或挠曲而扩大，而使显示品质及可靠性降低。因此，在柔性显示装置的制造方法中，优选使用适当的材料的组合或加工方法使得工序中途的制造物中不产生微细的不良部分。本专利技术的一个方式的目的是提供一种显示品质高的显示装置。另一目的是提供一种可靠性高的显示装置。另一目的是提供一种新颖的显示装置。此外，另一目的是提供一种新颖的半导体装置等。另一目的是提供一种上述显示装置的制造方法。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。在本专利技术的一个方式中，并不一定必须要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出其他的目的。本专利技术的一个方式涉及包括使用氧化物半导体层的晶体管的柔性显示装置以及该柔性显示装置的制造方法。本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法，该显示装置包括：第一元件层及第二元件层，第一元件层和第二元件层中的一方包括像素部及电路部，另一方包括着色层及遮光层。该像素部包括具有氧化物半导体层的第一晶体管及显示元件，该电路部包括具有氧化物半导体层的第二晶体管。该制造方法包括如下步骤：在第一衬底上形成第一有机树脂层的工序；在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜的工序；在第一绝缘膜上形成第一元件层的工序；在第二衬底上形成第二有机树脂层的工序；在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜的工序；在第二绝缘膜上形成第二元件层的工序；以将第一元件层及第二元件层密封的方式贴合第一衬底与第二衬底的工序；使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低而分离第一衬底的工序(第一分离工序)；利用第一粘合层贴合第一有机树脂层与第一柔性衬底的工序；使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低而分离第二衬底的工序(第二分离工序)；以及，利用第二粘合层贴合第二有机树脂层与第二柔性衬底的工序。在本说明书中，“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素之间的混淆而使用的，由此，这些序数词在数目方面上不限制构成要素。第一有机树脂层及第二有机树脂层可以使用选自环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或聚酰胺-酰亚胺树脂的材料来形成。优选使用线状的准分子激光进行照射来降低上述第一有机树脂层与上述第一衬底之间的附着性以及上述第二有机树脂层与上述第二衬底之间的附着性。上述准分子激光优选是将从多个振荡器发出的激光合成而得到的激光。优选以上述第一柔性衬底与滚筒的曲面接触的方式进行上述第二分离工序。第一绝缘膜及第二绝缘膜优选包含氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。作为氧化物半导体层，可以使用In-M-Zn氧化物(M为Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)。氧化物半导体层优选具有c轴取向的结晶。作为显示元件，可以使用有机EL元件。本专利技术的另一个方式是一种显示装置，该显示装置包括如下构成要素：第一柔性衬底；第一粘合层；第一有机树脂层；第一绝缘膜；包括像素部及电路部的第一元件层，该像素部包括具有氧化物半导体层的第一晶体管及显示元件，该电路部包括第二晶体管；包括着色层及遮光层的第二元件层；第二绝缘膜；第二有机树脂层；第二粘合层；以及第二柔性衬底，其中上述构成要素按该顺序层叠。第一晶体管所具有的氧化物半导体层可以为单层，并且，第二晶体管所具有的氧化物半导体层可以为多层。第一晶体管所具有的氧化物半导体层优选具有与包括氧化物半导体层的第二晶体管中的接触于栅极绝缘膜的层相同的组成。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种显示品质良好的显示装置。或者，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的显示装置。或者，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖的显示装置等。或者，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种上述显示装置的制造方法。或者，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种成品率高的显示装置的制造方法。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个方式并不一定必须要实现所有上述效果。从说明书、附图、权利要求书等的记载可以得知并抽出上述以外的效果。附图说明图1是说明显示装置的俯视图。图2是说明显示装置的截面图。图3是说明显示装置的截面图。图4A至4D是说明显示装置的制造方法的截面图。图5A至5C是说明显示装置的制造方法的截面图。图6示出使用准分子激光器的加工装置的例子。图7A至7E示出分离装置的例子。图8A至8C示出分离装置的例子。图9A至9C示出分离装置的例子。图10A至10E示出分离装置的例子。图11A至11C示出分离装置的例子。图12A至12C示出分离装置的例子。图13A至13C示出分离装置的例子。图14A和14B示出分离装置的例子。图15A1、15A2、15B1、15B215C1和15C2示出分离装置的例子。图16A1、16A2、16B1、16B216C1和16C2示出分离装置的例子。图17A至17C是说明显示装置的方框图及电路图。图18示出显示模块。图19A和19B是说明晶体管的截面图。图20A和20B是说明晶体管的截面图。图21A至21D是CAAC-OS的截面的Cs校正高分辨率TEM图像以及CAAC-OS的截面示意图。图22A至22D是CAAC-OS的平面的Cs校正高分辨率TEM图像。图23A至23C示出通过XRD得到的CAAC-OS及单晶氧化物半导体的结构分析。图24A至24D示出电子设备。图25A和25B是说明晶体管的截面图。图26A和26B是说明晶体管的截面图。图27A和27B是说明晶体管的截面图。图28A和28B是说明晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种便携式信息终端，包括：第一柔性衬底；所述第一柔性衬底上的第一粘合层；所述第一粘合层上的第一有机树脂层；所述第一有机树脂层上的绝缘层；所述绝缘层上的晶体管；以及电连接到所述晶体管的EL元件，其中，所述第一有机树脂层的厚度小于或等于20μm，并且其中，所述便携式信息终端的显示部分的至少一部分包括曲面。

【技术特征摘要】
2013.12.02 JP 2013-249631;2013.12.12 JP 2013-256871.一种便携式信息终端，包括：第一柔性衬底；所述第一柔性衬底上的第一粘合层；所述第一粘合层上的第一有机树脂层；所述第一有机树脂层上的绝缘层；所述绝缘层上的晶体管；以及电连接到所述晶体管的EL元件，其中，所述第一有机树脂层的厚度小于或等于20μm，并且其中，所述便携式信息终端的显示部分的至少一部分包括曲面。2.一种便携式信息终端，包括：第一柔性衬底；所述第一柔性衬底上的第一粘合层；所述第一粘合层上的第一有机树脂层；所述第一有机树脂层上的绝缘层；所述绝缘层上的晶体管；电连接到所述晶体管的EL元件；以及所述EL元件上的触摸传感器，其中，所述第一有机树脂层的厚度小于或等于20μm，其中，所述便携式信息终端的显示部分的至少一部分包括曲面，并且其中，所述便携式信息终端配置成通过无线供电进行充电工作。3.一种便携式信息终端，包括：第一柔性衬底；所述第一柔性衬底上的第一粘合层；所述第一粘合层上的第一有机树脂层；所述第一有机树脂层上的绝缘层；所述绝缘层上的晶体管；以及电连接到所述晶体管的EL元件，其中，所述第一有机树脂层的厚度小于或等于20μm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，大野正胜，安达广树，井户尻悟，武岛幸市，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP