A method for making a semiconductor device consists of forming a first spacer for at least one gate stacking on the first semiconductor material layer, and forming a corresponding second spacer for each of the source and drain regions adjacent to at least one gate. Each second spacer has paired opposite sidewalls and the end wall coupled to it. The method includes providing a limit area between the first spacer and the second spacer, while filling the source and drain regions with second semiconductor materials.
【技术实现步骤摘要】
使用用于源极/漏极限域的间隔物的半导体器件的制作方法分案申请说明本申请是于2014年4月8日提交的申请号为201410143386.1、名称为“使用用于源极/漏极限域的间隔物的半导体器件的制作方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及电子器件,并且更具体地涉及制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件技术持续演进,提供更高的芯片密度和工作频率。鳍式场效应晶体管(FinFET)是当前用于帮助提高期望器件缩小、同时保持适当功耗预算的一种晶体管技术。该鳍式场效应晶体管(FinFET)是形成在材料鳍内的晶体管。鳍是具有相对窄的宽度、相对高的高度的结构,其从衬底的顶表面突出。特意将鳍宽度保持为小以限制短沟道效应。在许多FinFET中,鳍帽定位在鳍的顶部上并且沿着鳍长度延伸。鳍帽具有等于鳍宽度的鳍帽宽度和小于鳍高度的鳍帽高度。在常规FinFET中,栅极导体定位在衬底的顶表面上和鳍的一部分之上。栅极导体与衬底的顶部并行并且与鳍长度垂直地延伸,从而栅极导体与鳍的一部分交叉。绝缘体(例如栅极氧化物)将栅极导体与鳍和鳍帽隔开。此外,定位在栅极导体下方的鳍的区域包括半导体沟道区域。FinFET结构可以包括多个鳍和鳍帽,在这种情况下栅极导体将环绕并填充这些鳍之间的空间。在FinFET形成期间,形成源极和漏极凹陷(recess),并且源极和漏极凹陷通常需要附加的清洗以在源极和漏极区域处的鳍上方具有外延再生长。由该外延再生长形成的一些外延结受到应力。在制造期间,当使用多个鳍并且外延结受到应力时难以制作均匀的鳍凹陷尺寸。而且,在制造期间,在间隔物形成之后并且在原位掺杂外 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:衬底,包括第一半导体材料,所述衬底包括第一表面;多个半导体鳍,在所述衬底的所述第一表面上,每个半导体鳍具有包括第二半导体材料的相应的源极区域和漏极区域以及位于每个源极区域和漏极区域之间的中间部分,每个源极区域和每个漏极区域具有相对的第一侧表面和第二侧表面和端部表面,所述衬底的第一表面在所述半导体鳍中的相邻半导体鳍之间延伸;至少一个栅极堆叠,叠置在所述半导体鳍的中间部分之上;多个第一间隔物,在所述衬底的第一表面之上,所述第一间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的第一侧表面;多个第二间隔物,在所述衬底的第一表面之上,所述第二间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的第二侧表面;以及多个第三间隔物,所述第三间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的端部表面,其中所述第一半导体材料和所述第二半导体材料是不同的半导体材料。
【技术特征摘要】
2013.05.30 US 13/905,5861.一种半导体器件,包括:衬底,包括第一半导体材料,所述衬底包括第一表面;多个半导体鳍,在所述衬底的所述第一表面上,每个半导体鳍具有包括第二半导体材料的相应的源极区域和漏极区域以及位于每个源极区域和漏极区域之间的中间部分,每个源极区域和每个漏极区域具有相对的第一侧表面和第二侧表面和端部表面,所述衬底的第一表面在所述半导体鳍中的相邻半导体鳍之间延伸;至少一个栅极堆叠,叠置在所述半导体鳍的中间部分之上;多个第一间隔物,在所述衬底的第一表面之上,所述第一间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的第一侧表面;多个第二间隔物,在所述衬底的第一表面之上,所述第二间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的第二侧表面;以及多个第三间隔物,所述第三间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的端部表面,其中所述第一半导体材料和所述第二半导体材料是不同的半导体材料。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一半导体材料包括硅。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二半导体材料包括硅和锗。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一间隔物和所述第二间隔物包括氮化物。5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中每个第一间隔物与至少一个栅极堆叠相邻。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述半导体器件包括FinFET晶体管。7.一种半导体器件,包括:衬底,具有第一表面;多个半导体鳍,从所述衬底的所述第一表面延伸,每个半导体鳍具有源极区域和漏极区域以及位于每个源极区域和漏极区域之间的中间部分,所述源极区域和所述漏极区域包括第一半导体材料,所述中间部分包括第二半导体材料,所述衬底的第一表面在所述半导体鳍中的相邻半导体鳍之间延伸;至少一个栅极堆叠,叠置在所述半导体鳍的中间部分之上;多个第一间隔物,所述第一间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的第一侧表面;多个第二间隔物,所述第二间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的第二侧表面,所述第二侧表面中的每个第二侧表面与所述第一侧表面中的相应第一侧表面相对;以及多个第三间隔物,所述第三间隔物邻接所述源极区域和所述漏极区域中的每个的端部表面,所述端部表面与所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述衬底横切,其中所述源极区域和所述漏极区域至少部分地在所述至少一个栅极堆叠下方延伸,以...
【专利技术属性】
技术研发人员:N·劳贝特,P·莫林,
申请(专利权)人:意法半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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