The invention discloses a dynamic management method for NAND flash memory, which first receives write instructions from a host. Next, determine whether the NAND flash memory is over the beginning of its life. If the NAND flash memory is still in the initial stage of its lifetime, take the first part of the NAND flash memory as the SLC cache. If the NAND flash memory exceeds its initial lifetime, the second part of the NAND flash memory is taken as the SLC cache. The second part is less than the first part. Write the data to the SLC cache according to the write instruction.
【技术实现步骤摘要】
NAND闪存的动态管理方法
本专利技术有关于闪存,特别是闪存的高速缓存的动态管理。
技术介绍
闪存可分为SLC(single-levelchip)闪存及MLC(multiple-levelchip)闪存。MLC闪存通常是TLC(triple-levelchip)闪存。把数据写入SLC闪存的速度大于把数据写入TLC闪存的速度,因可用突发写(burstwrite)模式把数据写入SLC闪存。所以,SLC闪存可被当作高速缓存。然而,SLC高速缓存贮存数据的密度小于TLC闪存贮存数据的密度。因此,NAND闪存通常被规划成两区,亦即SLC及TLC,求兼顾写的速度及贮存的密度。图1所示,一个主机10用一个固态硬盘32。固态硬盘32有一个NAND闪存34。NAND闪存34被规划为两个闪存,一个是SLC高速缓存36,另一个是TLC闪存38。依传统,SLC高速缓存36的贮存空间的尺寸及TLC闪存38的贮存空间的尺寸都是固定的。在一种常见的高速缓存的用法中,先以突发写模式,把数据写入SLC高速缓存36。然后,在即将用完SLC高速缓存36的贮存空间时,把数据从SLC高速缓存36移到TLC闪存38。然而,受限于NAND闪存34的贮存空间及超容量(over-provision),SLC高速缓存36的贮存空间通常只占NAND闪存34的贮存空间的一小部分。依实务,SLC高速缓存36的贮存空间通常小于NAND闪存34的贮存空间的3%。因此,突发写模式只能持续一小段时间,然后把数据写入闪存的速度就大降。在移动较大档案或执行基准工具的过程中,写数据的速度常大降。
技术实现思路
有鉴于上述习知技艺的 ...
【技术保护点】
1.一种NAND闪存的动态管理方法,其特征在于,包括以下步骤:从一个主机(10)接收写入指令;判断NAND闪存(14)是否过了其寿命的初期;若NAND闪存(14)尚在寿命的初期,则取NAND闪存(14)的第一部分当作SLC高速缓存(16);若NAND闪存(14)过了其寿命的初期,则取NAND闪存(14)的第二部分当作SLC高速缓存(16),其中第二部分小于该第一部分;及依写入指令把数据写入SLC高速缓存(16)。
【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存的动态管理方法,其特征在于,包括以下步骤:从一个主机(10)接收写入指令;判断NAND闪存(14)是否过了其寿命的初期;若NAND闪存(14)尚在寿命的初期,则取NAND闪存(14)的第一部分当作SLC高速缓存(16);若NAND闪存(14)过了其寿命的初期,则取NAND闪存(14)的第二部分当作SLC高速缓存(16),其中第二部分小于该第一部分;及依写入指令把数据写入SLC高速缓存(16)。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐家俊,徐伯贤,张柏坚,
申请(专利权)人:国科美国研究实验室,
类型:发明
国别省市:美国,US
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