用于无源滤波电路的磁环以及无源滤波电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于无源滤波电路的磁环以及无源滤波电路，磁环包括：纳米晶圈和铁基非晶圈，所述纳米晶圈与所述铁基非晶圈套设布置。由此，通过设置纳米晶圈和铁基非晶圈，能够有效地抑制充电机的功率器件开关引起的干扰，也能够降低电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度，还能够降低滤波电路的空间和成本，还能够具有较好的共差模抑制能力。

【技术实现步骤摘要】
用于无源滤波电路的磁环以及无源滤波电路
本技术涉及电路
，特别涉及一种用于无源滤波电路的磁环以及具有该磁环的无源滤波电路。
技术介绍
相关技术中，现有的滤波电路，充电机的功率器件开关会引起干扰，会增强电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度，并且，滤波电路空间较大，制造成本也较高。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术提出一种用于无源滤波电路的磁环，该用于无源滤波电路的磁环可以有效地抑制充电机的功率器件开关引起的干扰，也可以降低电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度。本技术进一步地提出了一种无源滤波电路。根据本技术的用于无源滤波电路的磁环，包括：纳米晶圈和铁基非晶圈，所述纳米晶圈与所述铁基非晶圈套设布置。根据本技术的用于无源滤波电路的磁环，通过设置纳米晶圈和铁基非晶圈，能够有效地抑制充电机的功率器件开关引起的干扰，也能够降低电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度，还能够降低无源滤波电路的空间和成本，还能够具有较好的共差模抑制能力。可选地，所述纳米晶圈套设在所述铁基非晶圈上。进一步地，所述纳米晶圈由纳米晶带材绕设第一预定厚度后构成，所述铁基非晶圈由铁基非晶带材绕设第二预定厚度后构成。具体地，所述第一预定厚度d1满足：4mm≤d1≤6mm，所述第二预定厚度d2满足：4mm≤d2≤6mm。可选地，所述第一预定厚度与所述第二预定厚度相同且均为5mm。进一步地，所述纳米晶带材的厚度d3满足：20umm≤d3≤25umm，所述铁基非晶带材的厚度d4满足：25umm≤d4≤35umm。具体地，所述纳米晶带材的厚度d3满足：d3＝21umm，所述铁基非晶带材的厚度d4满足：d4＝30umm。可选地，所述纳米晶圈和所述铁基非晶圈共圆心设置。进一步地，所述铁基非晶圈的最内侧到圆心的距离r满足：r≥10mm。根据本技术的无源滤波电路，包括：上述实施例的磁环以及漆包线，所述漆包线绕制在所述所磁环上，所述漆包线的匝数为3-7匝。附图说明图1是根据本技术实施例的用于无源滤波电路的磁环剖视图；图2是由漆包线绕在磁环上的共模电感结构示意图；图3是无源滤波电路的电路图；图4是无源滤波电路插入到充电机端口时损耗仿真曲线。附图标记：磁环10；纳米晶圈1；铁基非晶圈2；漆包线5。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。下面参考图1-图4详细描述一下根据本技术实施例的用于无源滤波电路的磁环10。如图1所示，根据本技术实施例的磁环10包括：纳米晶圈1和铁基非晶圈2，纳米晶圈1与铁基非晶圈2套设布置，换言之，可以把纳米晶圈1套设在铁基非晶圈2外部，也可以把铁基非晶圈2套设在纳米晶圈1外部，其中，纳米晶圈1的制造材料选用纳米晶材料，具有高磁导率、高饱和磁通密度、损耗小、高居里温度、高工作磁感等优点，铁基非晶圈2制造材料选用铁基非晶材料，具有狭窄的B-H回路、高导磁性低损耗低特点，由纳米晶圈1与铁基非晶圈2组成的磁环10具有良好的频率特性，磁环10的AL＝85uH@10kHz/1V。其中，该无源滤波电路的电路图如图3所示，无源滤波电路有良好的共差模抑制能力，共模150kHz－30MHz的插入损耗大于50dB,差模150kHz－30MHz的插入损耗大于30dB，无源滤波电路插入到充电机端口时损耗仿真曲线如图4所示。该无源滤波电路应用与车载充电机交流220VAC输入的端口，能有效地抑制充电机的功率器件开关引起的干扰，降低电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度，同时，由于无源滤波电路选择了具有高磁导率，高饱和磁通密度的复合材料绕制的磁环10，能够使相同电感量的情况下选择的磁环10的体积更小，绕线匝数相对更少，降低了无源滤波电路的占用空间和成本。由此，通过设置纳米晶圈1和铁基非晶圈2，能够有效地抑制充电机的功率器件开关引起的干扰，也能够降低电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度，还能够降低无源滤波电路的空间和成本，还能够具有较好的共差模抑制能力。可选地，如图1所示，纳米晶圈1套设在铁基非晶圈2上，这样能够使纳米晶圈1和铁基非晶圈2的整体结构更加稳定，从而可以提升磁环10的使用可靠性，同时，也能够使纳米晶圈1和铁基非晶圈2的结构更加紧凑，进而可以降低磁环10占用空间。进一步地，纳米晶圈1由纳米晶带材绕设第一预定厚度后构成，铁基非晶圈2由铁基非晶带材绕设第二预定厚度后构成，由于选择了具有高磁导率，高饱和磁通密度的纳米晶圈1和铁基非晶圈2的复合材料绕制的磁环10，能够在相同电感量的情况下选择的磁环10的体积更小，绕线匝数相对更少，从而可以降低无源滤波电路的空间和制造成本。具体地，第一预定厚度d1满足：4mm≤d1≤6mm，所述第二预定厚度d2满足：4mm≤d2≤6mm，这样设置能够扩大磁环10的使用范围，从而可以提升共差模抑制能力。可选地，第一预定厚度与第二预定厚度相同且均设置为5mm，这样设置能够使纳米晶圈1和铁基非晶圈2的厚度相同，从而可以进一步提升磁环10的结构统一性。进一步地，纳米晶带材的厚度d3满足：20umm≤d3≤25umm，铁基非晶带材的厚度d4满足：25umm≤d4≤35umm，厚度为20umm≤d3≤25umm的纳米晶带材和厚度为25umm≤d4≤35umm的铁基非晶带材能够更好地满足使用要求，从而可以进一步提高磁环10的频率特性。具体地，纳米晶带材的厚度d3满足：d3＝21umm，铁基非晶带材的厚度d4满足：d4＝30umm，这样设置能够进一步更好地满足使用要求，从而可以进一步提高磁环10的频率特性。可选地，如图1所示，纳米晶圈1和铁基非晶圈2共圆心设置，这样设置能够提升磁环10结构稳定性，从而可以更好地满足使用要求。进一步地，如图1所示，铁基非晶圈2的最内侧到圆心的距离r满足：r≥10mm，这样设置可以进一步抑制充电机的功率器件开关引起的干扰，也可以进一步降低电磁干扰沿交流输入线传导和辐射发射的强度。根据本技术实施例的无源滤波电路，包括上述实施例的磁环10以及漆包线5，漆包线5绕制在磁环10上，漆包线5的匝数为3-7匝，例如，采用1.6平方毫米的漆包线5双线并绕在磁环10上，漆包线5的匝数设置为5匝。由此，该共模电感具有匝数少、高电感量、不易饱和、良好的共模抑制能力，从而可以提升无源滤波电路的共差模抑制能力。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于无源滤波电路的磁环，其特征在于，包括：纳米晶圈和铁基非晶圈，所述纳米晶圈与所述铁基非晶圈套设布置,所述纳米晶圈由纳米晶带材绕设第一预定厚度后构成，所述铁基非晶圈由铁基非晶带材绕设第二预定厚度后构成,所述第一预定厚度d1满足：4mm≤d1≤6mm，所述第二预定厚度d2满足：4mm≤d2≤6mm。

【技术特征摘要】
1.一种用于无源滤波电路的磁环，其特征在于，包括：纳米晶圈和铁基非晶圈，所述纳米晶圈与所述铁基非晶圈套设布置,所述纳米晶圈由纳米晶带材绕设第一预定厚度后构成，所述铁基非晶圈由铁基非晶带材绕设第二预定厚度后构成,所述第一预定厚度d1满足：4mm≤d1≤6mm，所述第二预定厚度d2满足：4mm≤d2≤6mm。2.根据权利要求1所述的用于无源滤波电路的磁环，其特征在于，所述纳米晶圈套设在所述铁基非晶圈上。3.根据权利要求1所述的用于无源滤波电路的磁环，其特征在于，所述第一预定厚度与所述第二预定厚度相同且均为5mm。4.根据权利要求1所述的用于无源滤波电路的磁环，其特征在于，所述纳米晶带材的厚度d3满足：20umm...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东海，杨柳，
申请(专利权)人：北京新能源汽车股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11