The invention relates to a attenuator, which belongs to the technical field of signal transmission, in particular to a variable attenuator which uses phase cancellation to realize signal attenuation. The attenuator includes the differential input terminal RFIN1, the differential input terminal RFIN2, the input buffer 1, the input buffer 2, the pHEMT tube M1, the pHEMT tube M2, the load resistance RL and the RF output RFOUT. Attenuator can control the transmission power in the signal transmission system, or as the decoupling original, it can also be used to improve impedance matching. The attenuator designed by the invention is mainly used for controlling the power of a signal in a radio frequency microwave circuit. The invention adopts phase cancellation to realize signal attenuation, which has a large attenuation range (more than 43dB), and the attenuation amplitude can be adjusted continuously, and the chip area is small.
【技术实现步骤摘要】
一种衰减器
本专利技术涉及一种衰减器,属于信号传输
,尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。
技术介绍
现有衰减器的技术方案,π型衰减器结构图如图1所示,T型衰减器结构图如图2所示。衰减器结构由电阻和晶体管构成,单个衰减器衰减范围较小,若希望实现大范围衰减,需要多个衰减器级联,这就导致了芯片面积的增大,进而增加生产成本。大多数可变衰减器采用π型、T型、桥T型这三种基本形式实现。现有衰减器的衰减范围小,芯片面积大,成本高。
技术实现思路
衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小,或作为去耦原件,还可以用于改善阻抗匹配等。本专利技术设计的衰减器,主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本专利技术采用相位相消的方式实现信号衰减,具有衰减范围大(43dB以上),衰减幅度可连续调节,且芯片面积小的优点。本专利技术采用的技术方案为一种衰减器,该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2,pHEMT管M1,pHEMT管M2,负载电阻RL和射频输出端RFOUT。输入缓冲器1即Buffer1和输入缓冲器2即Buffer2均由pHEMT晶体管以及电阻网络构成。差分信号分别输入差分输入端RFIN1和差分输入端RFIN2,差分输入端RFIN1与输入缓冲器1的输入端连接;差分输入端RFIN2与输入缓冲器2输入端连接。输入缓冲器1的输出端与pHEMT管M1的漏极连接;偏压VDD接在pHEMT管M1的栅极。输入缓冲器2的输出端与pHEMT管M2的漏极连接;控制电压Vctr接在pHEMT管M2的栅极。pHEMT管M1和pHEM ...
【技术保护点】
一种衰减器,其特征在于:该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2,pHEMT管M1,pHEMT管M2,负载电阻RL和射频输出端RFOUT;输入缓冲器1即Buffer1和输入缓冲器2即Buffer2均由pHEMT晶体管以及电阻网络构成;差分信号分别输入差分输入端RFIN1和差分输入端RFIN2,差分输入端RFIN1与输入缓冲器1的输入端连接;差分输入端RFIN2与输入缓冲器2的输入端连接;输入缓冲器1的输出端与pHEMT管M1的漏极连接;偏压VDD接在pHEMT管M1的栅极;输入缓冲器2的输出端与pHEMT管M2的漏极连接;控制电压Vctr接在pHEMT管M2的栅极;pHEMT管M1和pHEMT管M2的源极以及射频输出端RFOUT共同加载在负载电阻RL的一端,负载电阻RL的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.一种衰减器,其特征在于:该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2,pHEMT管M1,pHEMT管M2,负载电阻RL和射频输出端RFOUT;输入缓冲器1即Buffer1和输入缓冲器2即Buffer2均由pHEMT晶体管以及电阻网络构成;差分信号分别输入差分输入端RFIN1和差分输入端RFIN2,差分输入端RFIN1与输入缓冲器1的输入端连接;差分输入端RFIN2与输入缓冲器2的输入端连接;输入缓冲器1的输出端与pHEMT管M1的漏极连接;偏压VDD接在pHEMT管M1的栅极;输入缓冲器2的输出端与pHEMT管M2的漏极连接;控制电压Vctr接在pHEMT管M2的栅极;pHEMT管M1和pHEMT管M2的源极以及射频输出端RFOUT共同加载在负载电阻RL的一端,负载电阻RL的另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种衰减器,其特征在于:pHEMT管M1和pHEMT管M2采用共栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐晨,安亚宁,潘冠中,解意洋,王秋华,董毅博,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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