电源供电切换电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电源供电切换电路，包括供电输入端、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一电容、P沟道增强MOS场效应晶体管，所述第一电阻一端与所述供电输入端相连，所述第一电阻另一端接地，所述第二电阻一端与所述供电输入端相连，所述第二电阻另一端与所述P沟道增强MOS场效应晶体管的3号脚相连，所述第一二极管正极与所述供电输入端相连，所述第一二极管负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管的4号脚相连。本实用新型专利技术的有益效果是：本实用新型专利技术的切换电路结构简单，设计灵活，可长时间大功率大电流工作，并且不容易发热、性能稳定。

Power supply switching circuit

The utility model provides a power supply switching circuit, which includes a power supply input terminal, a first resistor, a second resistor, a first diode, a first capacitor, a P channel enhancement MOS field effect transistor, which is connected with the power supply input end. The first electric resistance is connected to the other end, and one end of the second resistance is at one end. Connected to the power supply input end, the second resistor is connected to the 3 foot of the P channel enhancement MOS field effect transistor, the first diode positive pole is connected with the power supply input end, and the first diode negative electrode is connected with the 4 foot of the P channel enhancement MOS field effect transistor. The utility model has the advantages that the switching circuit of the utility model is simple in structure, flexible in design, and can work for long time, large power and large current, and is not easy to heat and stable in performance.

【技术实现步骤摘要】
电源供电切换电路
本技术涉及电子
，尤其涉及电源供电切换电路。
技术介绍
现有的MTK平台的MID产品在电源切换电路上主要是使用普通的MOS管来进行切换电路设计的。但随着消费类电子技术的发展，消费者对MID产品功能的要求越来越多，导致对MID产品上的设计需求也越来越多。只使用普通的MOS管来设计切换电路已承受不了长时间的大电流大功率的电路工作需求。并且以普通的MOS管来设计的切换电路MOS管发热严重、稳定性不强、容易损坏。
技术实现思路
本技术提供了一种电源供电切换电路，包括供电输入端、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一电容、P沟道增强MOS场效应晶体管，所述第一电阻一端与所述供电输入端相连，所述第一电阻另一端接地，所述第二电阻一端与所述供电输入端相连，所述第二电阻另一端与所述P沟道增强MOS场效应晶体管的3号脚相连，所述第一二极管正极与所述供电输入端相连，所述第一二极管负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管的4号脚相连，输出电压BAT连接在所述P沟道增强MOS场效应晶体管的4号脚上，所述第一电容一端与电池VBAT_IN相连，所述第一电容另一端接地，电池VBAT_IN分别与所述P沟道增强MOS场效应晶体管的1号脚、2号脚、5号脚、6号脚相连。作为本技术的进一步改进，该电源供电切换电路还包括第二二极管，所述第二二极管正极与所述电池VBAT_IN相连，所述第二二极管负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管的4号脚相连。作为本技术的进一步改进，该电源供电切换电路还包括第二电容，所述第二电容一端与输出电压BAT相连，所述第二电容另一端接地。作为本技术的进一步改进，所述第一二极管是肖基特二极管，所述第二二极管是肖基特二极管。作为本技术的进一步改进，所述供电输入端为5VDC输入端。作为本技术的进一步改进，所述P沟道增强MOS场效应晶体管是WPM1481。本技术的有益效果是：本技术的切换电路结构简单，设计灵活，可长时间大功率大电流工作，并且不容易发热、性能稳定。附图说明图1是本技术的电路图。具体实施方式如图1所示，本技术公开了一种电源供电切换电路，包括供电输入端、第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第一电容C1、P沟道增强MOS场效应晶体管Q1，所述第一电阻R1一端与所述供电输入端相连，所述第一电阻R1另一端接地，所述第二电阻R2一端与所述供电输入端相连，所述第二电阻R2另一端与所述P沟道增强MOS场效应晶体管Q1的3号脚相连，所述第一二极管D1正极与所述供电输入端相连，所述第一二极管D1负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管Q1的4号脚相连，输出电压BAT连接在所述P沟道增强MOS场效应晶体管Q1的4号脚上，所述第一电容C1一端与电池VBAT_IN相连，所述第一电容C1另一端接地，电池VBAT_IN分别与所述P沟道增强MOS场效应晶体管Q1的1号脚、2号脚、5号脚、6号脚相连。该电源供电切换电路还包括第二二极管D2，所述第二二极管D2正极与所述电池VBAT_IN相连，所述第二二极管D2负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管Q1的4号脚相连。该电源供电切换电路还包括第二电容C2，所述第二电容C2一端与输出电压BAT相连，所述第二电容C2另一端接地。所述第一二极管D1是肖基特二极管，所述第二二极管D2是肖基特二极管。所述供电输入端为5VDC输入端，所述P沟道增强MOS场效应晶体管Q1是WPM1481。本技术的结构主要由供电切换电路、输入电路、输出电路三部分，输入电路为5VDC输入和电池VBAT_IN输入这两路电路，输出电路由BAT连接到机器使机器工作。供电切换电路是对5VDC输入和电池VBAT_IN输入自动识别切换，保持5VDC输入和电池VBAT_IN输入互不干扰，让机器正常工作。当接5VDC输入、断开电池VBAT_IN时，5VDC输入给机器供电；当接电池VBAT_IN、断开5VDC输入时，电池VBAT_IN给机器供电；当5VDC输入和电池VBAT_IN同时接入时，因为5VDC输入的电压大于电池VBAT_IN，所以5VDC输入给机器供电，电池VBAT_IN不能给机器供电。WPM1481采用先进的沟槽技术和设计，具有优异的导通电阻和较高的导通电流的特点，导通电阻最小可达0.022Ω，导通电流最大可达5.5A。并且阀值电压非常低。多应用在驱动继电器、DC-DC转换电路、电源开关、负载开关等方面。并且价格低廉。下表为WPM1481的引脚描述：引脚号引脚定义描述1，2，5，6D极漏极D3G极栅极G4S极源极S当Vgs＝0V时，DS断开；当Vgs>0V时，DS断开；当Vgs≤-1.8V时，DS导通。当接5VDC输入、断开电池VBAT_IN时，5VDC电压经过第一二极管D1给机器BAT供电。此时WPM1481的3号脚Vg＝5V,4号脚Vs＝4.6V,Vgs＝0.4V,DS不导通。电容C2给BAT做滤波稳压作用。第二二极管D2防止5VDC电压反灌到电池里。当接电池VBAT_IN、断开5VDC输入时，一开始VBAT_IN经过第二二极管D2给机器BAT供电。这时WPM1481的3号脚Vg＝0V,4号脚Vs＝3.8V,Vgs＝-3.8V,DS导通。DS导通后VBAT_IN就直接通过WPM1481的D极向S极导通给机器供电，这时BAT的电压为为电池电压4.2V。第一电容C1给BAT_IN做滤波稳压作用。第一二极管D1防止电池电压反灌到5VDC里,造成不必要的损耗和干扰。当先接5VDC输入时，Vg＝5V,Vs＝BAT＝4.6V,DS断开，机器由5VDC供电。再接入电池VBAT_IN时，因为VBAT_IN＜BAT，VBAT_IN不能通过第二二极管D2导通到VBAT，也不能通过WPM1481导通到VBAT。机器还是由5VDC供电。当先接电池VBAT_IN时，Vgs＝-3.8V,DS导通，VBAT_IN经过WPM1481导通给VBAT供电。BAT＝VBAT_IN＝4.2V。这时接入5VDC输入时，Vgs＝0.8V,DS断开，VBAT_IN不能经过WPM1481导通给VBAT供电；又因为5VDC输入经过第一二极管D1后使BAT＝4.6V，这是BAT>BAT_IN，BAT_IN也不能通过第二二极管D2导通到BAT中。因此实现了5VDC输入与电池VBAT_IN的供电切换。本技术在MID产品上实现电池供电与5VDC供电的切换的功能。该切换电路结构简单，设计灵活，可长时间大功率大电流工作，并且不容易发热、性能稳定。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源供电切换电路，其特征在于：包括供电输入端、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第一二极管（D1）、第一电容（C1）、P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1），所述第一电阻（R1）一端与所述供电输入端相连，所述第一电阻（R1）另一端接地，所述第二电阻（R2）一端与所述供电输入端相连，所述第二电阻（R2）另一端与所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的3号脚相连，所述第一二极管（D1）正极与所述供电输入端相连，所述第一二极管（D1）负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的4号脚相连，输出电压BAT连接在所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的4号脚上，所述第一电容（C1）一端 与电池VBAT_IN相连，所述第一电容（C1）另一端接地，电池VBAT_IN分别与所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的1号脚、2号脚、5号脚、6号脚相连。

【技术特征摘要】
1.一种电源供电切换电路，其特征在于：包括供电输入端、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第一二极管（D1）、第一电容（C1）、P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1），所述第一电阻（R1）一端与所述供电输入端相连，所述第一电阻（R1）另一端接地，所述第二电阻（R2）一端与所述供电输入端相连，所述第二电阻（R2）另一端与所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的3号脚相连，所述第一二极管（D1）正极与所述供电输入端相连，所述第一二极管（D1）负极与所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的4号脚相连，输出电压BAT连接在所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的4号脚上，所述第一电容（C1）一端与电池VBAT_IN相连，所述第一电容（C1）另一端接地，电池VBAT_IN分别与所述P沟道增强MOS场效应晶体管（Q1）的1号脚、2号脚、5号脚、6号脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：石庆，张治宇，马保军，范德业，张龙，刘学友，谭小兵，张思平，
申请(专利权)人：深圳市亿道数码技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44