一种多芯片串联式背光LED制造技术

本实用新型专利技术涉及LED封装技术领域，尤其涉及一种多芯片串联式背光LED，一种多芯片串联式背光LED，包括基板，还包括第一电极端子、绝缘座、第二电极端子以及至少两个LED芯片，所述第一电极端子与第二电极端子相邻设置于基板上，所述第一电极端子与第二电极端子之间由所述基板填补隔开，相邻两LED芯片串联连接并导通连接于第一电极端子和第二电极端子之间，所述绝缘座嵌于所述第一电极端子和所述第二电极端子的表面上。实用新型专利技术为一种生产成本低、产能高、能提高LED灯流明值的多芯片串联式背光LED。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片串联式背光LED
本技术涉及LED封装
，尤其涉及一种多芯片串联式背光LED。
技术介绍
传统公知之LED灯的具体结构一般包括有LED支架和LED芯片，为了使LED灯发出的光线更明亮，流明值更高，通常在LED灯的制造生产中采用一颗大尺寸LED芯片，将该大尺寸LED芯片固设于金属支架上，并使该大尺寸LED芯片导通连接于金属支架的正极导电端子和负极导电端子之间，大尺寸LED芯片价格较贵，提高了产品的制造生产成本，并且采用大功率芯片制造LED灯时其生产速度慢，耗费较多的工时，使得LED灯的产能较低，同时对光线的射出造成影响，从而导致LED灯的光通量不能有效发挥。
技术实现思路
鉴于以上内容，本技术是为了解决现有技术的不足而提供一种生产成本低、产能高、能提高LED灯流明值的多芯片串联式背光LED。为达到上述目的，本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种多芯片串联式背光LED，包括基板，还包括第一电极端子、绝缘座、第二电极端子以及至少两个LED芯片，所述第一电极端子与第二电极端子相邻设置于基板上，所述第一电极端子与第二电极端子之间由所述基板填补隔开，相邻两LED芯片串联连接并导通连接于第一电极端子和第二电极端子之间，所述绝缘座嵌于所述第一电极端子和所述第二电极端子的表面上。进一步，所述所述第一电极端子和第二电极端子均有一端伸出至绝缘座外部。进一步，所述第二电极端子靠近第一电极端子的端部设置有若干底胶，每个LED芯片通过相配底胶粘结在第二电极端子上。进一步，所述第二电极端子占绝缘座底部的面积≥60％,所述LED芯片之间的间隔距离为0.1㎜-2㎜。进一步，所述绝缘座上设有一碗状凹槽，所述碗状凹槽的凹面上设有反光层。进一步，所述碗状凹槽内设置有荧光胶膜。进一步，相邻两LED芯片之间采用金线连接，金线直径为10μm-50μm。进一步，所述基板上设置有卡槽，所述卡槽位于基板侧面。从上述的技术方案可以看出，本技术通过利用至少两颗小尺寸LED芯片串联连接取代了传统之一颗大尺寸LED芯片，使得在保证LED灯发光明亮的条件下有效节约芯片成本，降低了产品的制造生产成本；采用小尺寸LED芯片制造LED灯时的生产速度比采用大尺寸LED芯片的生产速度要快，可有效提高产品的生产效率，减少工时的耗费，从根本上提高LED灯的产能。通过利用至少两颗小尺寸LED芯片串联连接使得LED芯片占据LED支架的空间有效减少，使光线的射出更加顺利，真正有效地使得LED灯的流明值得到提高，从而使得LED灯的发光更加明亮。附图说明图1是本技术一种多芯片串联式背光LED结构示意图。附图标记说明：1-基板，11-卡槽，2-第一电极端子，3-第二电极端子，4-绝缘座，41-反光层，5-底胶，6-LED芯片，7-荧光胶膜。具体实施方式下面结合具体实施例，对本技术的内容做进一步的详细说明：参阅图1，一种多芯片串联式背光LED，包括基板1，所述基板上设置有卡槽11，所述卡槽11位于基板侧面，基板1固定于需要背光的器件上时，卡槽11起到加固效果。还包括第一电极端子2、绝缘座4、第二电极端子3以及至少两个LED芯片6，所述第一电极端子2与第二电极端子3相邻设置于基板1上，所述第一电极端子2与第二电极端子3之间由所述基板填补隔开，相邻两LED芯片6串联连接并导通连接于第一电极端子2和第二电极端子3之间，所述绝缘座4嵌于所述第一电极端子2和所述第二电极端子3的表面上。本技术较优选的方案为包括2个LED芯片，2个LED芯片之串联连接并导通连接于第一电极端子和第二电极端子之间。所述LED芯片6为小尺寸芯片，所述小尺寸芯片为方形结构，其尺寸≤24mil，优选的，所述小尺寸LED芯片为8mil、9mil、12mil或14mil中的任意尺寸。通过利用至少两颗小尺寸LED芯片串联连接取代了传统之一颗大尺寸LED芯片，使得在保证LED灯发光明亮的条件下有效节约芯片成本，降低了产品的制造生产成本，并且，采用小尺寸LED芯片制造LED灯时的生产速度比采用大尺寸LED芯片的生产速度要快，可有效提高产品的生产效率，减少工时的耗费，从根本上提高LED灯的产能，所述所述第一电极端子2和第二电极端子3均有一端伸出至绝缘座4外部，与外部电源焊锡连通。所述第二电极端子3靠近第一电极端子2的端部设置有底胶5，所述底胶5数量与所述LED芯片6数量相同，所述LED芯片6通过底胶5粘结在第二电极端子3上，每个LED芯片6对应连接一个底胶5，可保证各个LED芯片6互不干扰，保证粘结效果。所述第二电极端子3占绝缘座4底部的面积≥60％,所述LED芯片6之间的间隔距离为0.1㎜-2㎜。所述绝缘座4上设有一碗状凹槽，所述碗状凹槽的凹面上设有反光层41，所述反光层41为高反光率涂层。LED芯片6贴片完成后，在绝缘座4的碗状凹槽里填充荧光胶膜7，荧光胶膜7根据需要进行配比，荧光胶膜7与LED芯片6发出的光复合，出射需要的颜色的光。相邻两LED芯片6之间采用金线连接，金线直径为10μm-50μm。本实施例较佳的方案为所述金线直径为14μm、18μm、20μm以及24μm任意一种金线直径。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并加以实施，并不能以此限制本技术的保护范围，凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片串联式背光LED，包括基板，其特征在于：还包括第一电极端子、绝缘座、第二电极端子以及至少两个LED芯片，所述第一电极端子与第二电极端子相邻设置于基板上，所述第一电极端子与第二电极端子之间由所述基板填补隔开，相邻两LED芯片串联连接并导通连接于第一电极端子和第二电极端子之间，所述绝缘座嵌于所述第一电极端子和所述第二电极端子的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种多芯片串联式背光LED，包括基板，其特征在于：还包括第一电极端子、绝缘座、第二电极端子以及至少两个LED芯片，所述第一电极端子与第二电极端子相邻设置于基板上，所述第一电极端子与第二电极端子之间由所述基板填补隔开，相邻两LED芯片串联连接并导通连接于第一电极端子和第二电极端子之间，所述绝缘座嵌于所述第一电极端子和所述第二电极端子的表面上。2.根据权利要求1所述的多芯片串联式背光LED，其特征在于，所述第一电极端子和第二电极端子均有一端伸出至绝缘座外部。3.根据权利要求1所述的多芯片串联式背光LED，其特征在于，所述第二电极端子靠近第一电极端子的端部设置有若干底胶，每个LED芯片通过相配底胶粘结...

【专利技术属性】
技术研发人员：占贤武，陈丹，
申请(专利权)人：苏州汉瑞森光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32