一种LED发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种LED发光装置。其包括由下至上依次层叠的陶瓷基体、氮化铝隔离层和类金刚石层，类金刚石层的上表面固定有多个相互交替间隔设置的LED芯片和金属薄膜电极，每一LED芯片的P电极和N电极分别与其两侧的金属薄膜电极电连接，类金刚石层的上表面设有多个向外突出的突出部，相邻两个突出部之间形成凹槽，LED芯片设置于类金刚石层的凹槽内，金属薄膜电极设置于类金刚石层的突出部上，其中，氮化铝隔离层与陶瓷基体之间以及与类金刚石层之间产生的附着力均大于陶瓷基体与类金刚石层相互附着时产生的附着力，且氮化铝隔离层的热膨胀系数介于陶瓷基体与类金刚石层之间。本发明专利技术能够在加快散热的同时防止类金刚石层脱离。

A LED light emitting device

【技术实现步骤摘要】
一种LED发光装置
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种LED发光装置。
技术介绍
随着LED(LightEmittingDiode，发光二极管)光效的不断提高，在通用照明领域，开始显现出使用LED替代传统的发光器件的趋势。但是LED光源在工作时通常会产生很大的热量，这些热量需要及时散发出去，否则将会影响到LED光源的正常工作以及使用寿命。现有的LED光源包括金属基板和设置于金属基板上的类金刚石层，LED芯片设置于类金刚石层上。类金刚石具有良好的导热系数。因此采用其的LED光源散热效果明显。然而，金属基板和类金刚石层的热膨胀系数相差数倍，当LED芯片产生的热量通过金属基板散发时，很容易发生类金刚石层自金属基板上脱离的现象，从而导致LED光源损坏。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种LED发光装置，能够在加快散热的同时防止类金刚石层脱离。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种LED发光装置，包括由下至上依次层叠的陶瓷基体、氮化铝隔离层和类金刚石层，所述类金刚石层的上表面固定有多个LED芯片和多个金属薄膜电极，所述LED芯片与金属薄膜电极相互交本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED发光装置，其特征在于，包括由下至上依次层叠的陶瓷基体、氮化铝隔离层和类金刚石层，所述类金刚石层的上表面固定有多个LED芯片和多个金属薄膜电极，所述LED芯片与金属薄膜电极相互交替间隔设置，每一所述LED芯片的P电极和N电极分别与其两侧的金属薄膜电极电连接，所述类金刚石层的上表面设有多个向外突出的突出部，相邻两个突出部之间形成凹槽，所述LED芯片设置于所述类金刚石层的凹槽内，所述金属薄膜电极设置于所述类金刚石层的突出部上，其中，所述氮化铝隔离层与陶瓷基体之间以及与类金刚石层之间产生的附着力均大于所述陶瓷基体与类金刚石层相互附着时产生的附着力，且所述氮化铝隔离层的热膨胀系数介于陶瓷基体与...

【技术特征摘要】
1.一种LED发光装置，其特征在于，包括由下至上依次层叠的陶瓷基体、氮化铝隔离层和类金刚石层，所述类金刚石层的上表面固定有多个LED芯片和多个金属薄膜电极，所述LED芯片与金属薄膜电极相互交替间隔设置，每一所述LED芯片的P电极和N电极分别与其两侧的金属薄膜电极电连接，所述类金刚石层的上表面设有多个向外突出的突出部，相邻两个突出部之间形成凹槽，所述LED芯片设置于所述类金刚石层的凹槽内，所述金属薄膜电极设置于所述类金刚石层的突出部上，其中，所述氮化铝隔离层与陶瓷基体之间以及与类金刚石层之间产生的附着力均大于所述陶瓷基体与类金刚石层相互附着时产生的附着力，且所述氮化铝隔离层的热膨胀系数介于陶瓷基体与类金刚石层之间。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏烬楚，
申请(专利权)人：夏烬楚，
类型：发明
国别省市：四川,51