硅二次电池制造技术

本发明专利技术涉及一种硅二次电池，尤其涉及一种具有固体电解质的固体状硅二次电池及其的制造方法。根据本发明专利技术，用硅代替二次电池的锂，以具有制造费用减少以及废弃二次电池时环境污染最小化的效果。并且，将阳极或阴极物质多次叠层压缩从而制造阳极或阴极活性物质，以具有使阳极或阴极活性物质的密度增加，从而增加电子密度和容量的效果。并且，使阳极活性物质和阴极活性物质的内部内置有网状板，以具有可以有效地移动电子的效果。并且，硅二次电池串联连接时，连接的硅二次电池的电极为共用化，以具有可以使硅二次电池组件的厚度减小并增大输出电压的效果。并且，与PCB或芯片形成一体从而供给电源，以具有发挥对于瞬间放电的备用电源的作用的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅二次电池
本专利技术涉及一种硅二次电池，尤其涉及一种具有固体电解质的固体状硅二次电池。
技术介绍
二次电池有时作为将化学能源变为电能源从而向外部电路供给电源，也可以作为放电时接收外部电源的供给，将电能源换为化学能源来储存电的电池，一般称之为二次电池。这种二次电池有铅蓄电池、镍-镉二次电池、锂电池等。铅蓄电池虽然电压高但体积大且重量重从而用于机动车，镍-镉二次电池替用干电池使用，锂电池特别轻用于数码相机、手机等电源来使用。随着最近急剧增加的类似智能手机和平板PC这种个人携带终端装置的普及，实际上，所述的二次电池中锂电池最为广泛使用。但是，作为锂电池的主要材料使用的锂价格相当高，废弃寿命将尽的锂电池时，在废弃场所会流出锂，从而伴随着环境污染的问题。因此，实际上，最需要的是开发可以代替锂电池的高输出二次电池。
技术实现思路
(要解决的问题)本专利技术的第1目的在于，提供一种可以代替锂电池的高输出以及高效率的硅二次电池。本专利技术的第2目的在于，提供一种将阳极或阴极物质多次叠层压缩从而制造阳极或阴极活性物质，以至可以增加阳极或阴极活性物质的密度，增加电子密度和容量的硅二次电池。本专利技术的第3目的在于，提供一种将网状板内置于阳极活性物质和阴极活性物质的内部，可以有效地移动电子的硅二次电池。本专利技术的第4目的在于，提供一种二次电池串联连接时，连接的硅二次电池的电极为共用化，减少硅二次电池组件的厚度，并且可以增大输出电压的硅二次电池组件。本专利技术的第5目的在于，提供一种与PCB或芯片一体形成从而供给电源，发挥瞬间放电的后背电源的作用的硅二次电池。(解决问题的手段)根据本专利技术到达所述目的，一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：第1硅多层薄膜部，将由第1硅化合物构成的多个硅阳极化薄膜层叠层而形成，所述第1硅化合物用于在充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；第2硅多层薄膜部，将由第2硅化合物构成的多个硅阴极化薄膜层叠层而形成，所述第2硅化合物用于在充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；及电解质部，位于所述第1硅多层薄膜部和所述第2硅多层薄膜部之间，用于在充电和放电时，将硅离子传达到第1硅多层薄膜部和第2硅多层薄膜部之间；使用包括所述硅阳离子和所述硅阴离子的硅离子从而执行充电和放电。并且，在固体电解质层和第1硅多层薄膜部之间，形成第1中间层，所述第1中间层包含第1硅化合物和固体电解质成分。并且，所述第1中间层中，第1硅化合物的含量比固体电解质成分的含量多。并且，所述第1中间层的厚度比所述固体电解质层及/或第1硅多层薄膜部的厚度薄。并且，所述第1硅化合物及/或第2硅化合物包含非活性物质粒子。并且，在所述第1中间层的任意一面或两面的表面形成有凸起。并且，在固体电解质层和第2硅多层薄膜部之间形成有第2中间层，所述第2中间层包含第2硅化合物和固体电解质成分。并且，所述第2中间层中，第2硅化合物的含量比固体电解质成分的含量多。并且，所述第2中间层的厚度比所述固体电解质层及/或第2硅多层薄膜部的厚度薄。并且，在所述第2中间层的任意一面或两面的表面形成有凸起。并且，所述固体电解质层包含PVDF聚偏二氟乙烯(polyvinylidenefluoride)和PTFE聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)中任意一种以上。并且，所述固体电解质层还包含导电性聚合物。并且，一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：阳极活性物质层，充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；阴极活性物质层，充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；固体电解质层，位于所述阳极活性物质层和阴极活性物质层之间，用于在充电和放电时，将硅离子传达到阳极活性物质层和阴极活性物质层之间；在固体电解质层和阳极活性物质层之间，形成有第1中间层，所述第1中间层包含阳极活性物质层成分和固体电解质成分。并且，所述第1中间层中，阳极活性物质层成分的含量比固体电解质成分的含量多。并且，所述第1中间层的厚度比所述固体电解质层及/或阳极活性物质层的厚度薄。在所述第1中间层的任意一面或两面的表面形成有凸起。并且，一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：阳极活性物质层，充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；阴极活性物质层，充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；固体电解质层，位于所述阳极活性物质层和阴极活性物质层之间，用于在充电和放电时，将硅离子传达到阳极活性物质层和阴极活性物质层之间；在固体电解质层和阴极活性物质层之间，形成有第2中间层，所述第2中间层包含阴极活性物质层成分和固体电解质成分。并且，所述第2中间层中，阴极活性物质层成分的含量比固体电解质层成分的含量多。并且，所述第2中间层的厚度比所述固体电解质层及/或阴极活性物质层的厚度薄。并且，在所述第2中间层的任意一面或两面的表面形成有凸起。并且，一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：阳极活性物质层，充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；阴极活性物质层，充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；固体电解质层，位于所述阳极活性物质层和阴极活性物质层之间，用于在充电和放电时，将硅离子传达到阳极活性物质层和阴极活性物质层之间；所述固体电解质层包含PVDF聚偏二氟乙烯(polyvinylidenefluoride)和PTFE聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)中任意一种以上。并且，所述固体电解质层还包含导电性聚合物。(专利技术的效果)由此，本专利技术具有如下效果：第一，用硅代替二次电池的锂，以具有制造费用减少以及废弃二次电池时环境污染最小化的效果。第二，将阳极或阴极物质多次叠层压缩从而制造阳极或阴极活性物质，以具有使阳极或阴极活性物质的密度增加，从而增加电子密度和容量的效果。第三，使阳极活性物质和阴极活性物质的内部内置有网状板，以具有可以有效地移动电子的效果。第四，硅二次电池串联连接时，连接的硅二次电池的电极为共用化，以至具有可以使硅二次电池组件的厚度减小，并且增大输出电压的效果。第五，与PCB或芯片形成一体从而供给电源，以至具有发挥瞬间放电的备用电源的作用的效果。附图说明图1是示出根据本专利技术的硅二次电池的结构。图2是示出根据本专利技术第1实施例的硅二次电池的结构。图3是示出根据本专利技术的第2实施例的硅二次电池的结构。图4是示出包括在根据本专利技术第3实施例的硅二次电池的活性物质的网状板的一个实施例。图5是示出根据本专利技术第4实施例硅二次电池单元的结构。图6是示出应用于根据本专利技术第4实施例硅二次电池单元的电动车电池模块的一个实施例。图7是示出根据本专利技术第6实施例的微型电池的一个实施例。具体实施方式本说明书和权利要求范围中使用的用语或单词不能为公知的或限定于词典的意思来进行解释，专利技术人为了用最佳的方法来说明自己的专利技术，遵守适当定义用语概念的规则，只对符合本专利技术技术思想的意义和概念进行解释。因此，本说明书中记载的实施例和图中图示的结构不过是本专利技术的一个最优选实施例，不全代表本专利技术的技术思想，基于本申请的观点，应该理解为可以是代替其的多种均等物和变形例。并且，基于本专利技术的说明，若相关的公知技术等能使本专利技术的要旨变得模糊，其相关的详本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于使用硅离子而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：第1硅多层薄膜部，将由第1硅化合物构成的多个硅阳极化薄膜层叠层而形成，所述第1硅化合物用于在充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；第2硅多层薄膜部，将由第2硅化合物构成的多个硅阴极化薄膜层叠层而形成，所述第2硅化合物用于在充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；及固体电解质层，位于所述第1硅多层薄膜部和所述第2硅多层薄膜部之间，用于在充电和放电时，将硅离子传达到第1硅多层薄膜部和第2硅多层薄膜部之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.22 KR 10-2014-00925181.一种基于使用硅离子而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：第1硅多层薄膜部，将由第1硅化合物构成的多个硅阳极化薄膜层叠层而形成，所述第1硅化合物用于在充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；第2硅多层薄膜部，将由第2硅化合物构成的多个硅阴极化薄膜层叠层而形成，所述第2硅化合物用于在充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；及固体电解质层，位于所述第1硅多层薄膜部和所述第2硅多层薄膜部之间，用于在充电和放电时，将硅离子传达到第1硅多层薄膜部和第2硅多层薄膜部之间。2.根据权利要求1所述的硅二次电池，其特征在于，在固体电解质层和第1硅多层薄膜部之间形成第1中间层，所述第1中间层包含第1硅化合物和固体电解质成分。3.根据权利要求2所述的硅二次电池，其特征在于，所述第1中间层中，第1硅化合物的含量比固体电解质成分的含量多。4.根据权利要求2所述的硅二次电池，其特征在于，所述第1中间层的厚度比所述固体电解质层及/或第1硅多层薄膜部的厚度薄。5.根据权利要求2所述的硅二次电池，其特征在于，在所述第1中间层的任意一面或两面的表面形成有凸起。6.根据权利要求1所述的硅二次电池，其特征在于，在固体电解质层和第2硅多层薄膜部之间形成有第2中间层，所述第2中间层包含第2硅化合物和固体电解质成分。7.根据权利要求6所述的硅二次电池，其特征在于，所述第2中间层中，第2硅化合物的含量比固体电解质成分的含量多。8.根据权利要求6所述的硅二次电池，其特征在于，所述第2中间层的厚度比所述固体电解质层及/或第2硅多层薄膜部的厚度薄。9.根据权利要求6所述的硅二次电池，其特征在于，在所述第2中间层的任意一面或两面的表面形成有凸起。10.根据权利要求1所述的硅二次电池，其特征在于，所述固体电解质层包含聚偏二氟乙烯和聚四氟乙烯中任意一种以上。11.根据权利要求10所述的硅二次电池，其特征在于，所述固体电解质层还包含导电性聚合物。12.一种基于使用硅离子而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：阳极活性物质层，充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳秉勋，公载景，
申请(专利权)人：瑞克锐斯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR