硅二次电池制造技术

本发明专利技术涉及一种硅二次电池，尤其涉及一种具有固体电解质的固体状硅二次电池及其的制造方法。根据本发明专利技术，用硅代替二次电池的锂，以具有制造费用减少以及废弃二次电池时环境污染最小化的效果。并且，将阳极或阴极物质多次叠层压缩从而制造阳极或阴极活性物质，以具有使阳极或阴极活性物质的密度增加，从而增加电子密度和容量的效果。并且，使阳极活性物质和阴极活性物质的内部内置有网状板，以具有可以有效地移动电子的效果。并且，硅二次电池串联连接时，连接的硅二次电池的电极为共用化，以至具有可以使硅二次电池组件的厚度减小并增大输出电压的效果。并且，与PCB或芯片形成一体从而供给电源，以具有发挥对于瞬间放电的备用电源的作用的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅二次电池
本专利技术涉及一种硅二次电池，尤其涉及一种具有固体电解质的固体状硅二次电池。
技术介绍
二次电池有时作为将化学能源变为电能源从而向外部电路供给电源，也可以作为放电时接收外部电源的供给，将电能源换为化学能源来储存电的电池，一般称之为二次电池。这种二次电池有铅蓄电池、镍-镉二次电池、锂电池等。铅蓄电池虽然电压高但体积大且重量重从而用于机动车，镍-镉二次电池替用干电池使用，锂电池特别轻用于数码相机、手机等电源来使用。随着最近急剧增加的类似智能手机和平板PC这种个人携带终端装置的普及，实际上，所述的二次电池中锂电池最为广泛使用。但是，作为锂电池的主要材料使用的锂价格相当高，废弃寿命将尽的锂电池时，在废弃场所会流出锂，从而伴随着环境污染的问题。因此，实际上，最需要的是开发可以代替锂电池的高输出二次电池。
技术实现思路
(要解决的问题)本专利技术的第1目的在于，提供一种可以代替锂电池的高输出以及高效率的硅二次电池。本专利技术的第2目的在于，提供一种将阳极或阴极物质多次叠层压缩从而制造阳极或阴极活性物质，以至可以增加阳极或阴极活性物质的密度，增加电子密度和容量的硅二次电池。本专利技术的第3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：第1硅多层薄膜部，将由第1硅化合物构成的多个硅阳极化薄膜层叠层而形成，所述第1硅化合物用于在充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；第2硅多层薄膜部，将由第2硅化合物构成的多个硅阴极化薄膜层叠层而形成，所述第2硅化合物用于在充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；及集电体，用于集电电荷；所述集电体为多孔网状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.22 KR 10-2014-00925181.一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：第1硅多层薄膜部，将由第1硅化合物构成的多个硅阳极化薄膜层叠层而形成，所述第1硅化合物用于在充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；第2硅多层薄膜部，将由第2硅化合物构成的多个硅阴极化薄膜层叠层而形成，所述第2硅化合物用于在充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；及集电体，用于集电电荷；所述集电体为多孔网状。2.根据权利要求1所述的硅二次电池，其特征在于，所述集电体表面涂层有金、银和导电性聚合物中的任意一种。3.根据权利要求2所述的硅二次电池，其特征在于，所述导电性聚合物从聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩和聚乙炔构成的群体中，选择其中的任意一种。4.一种基于使用硅离子从而执行充电和放电的硅二次电池，其特征在于，包括：第1硅多层薄膜部，将由第1硅化合物构成的多个硅阳极化薄膜层叠层而形成，所述第1硅化合物用于在充电时产生硅阳离子，放电时产生硅阴离子；第2硅多层薄膜部，将由第2硅化合物构成的多个硅阴极化薄膜层叠层而形成，所述第2硅化合物用于在充电时产生硅阴离子，放电时产生硅阳离子；及集电体，用于集电电荷；所述集电体为泡沫状。5.根据权利要求4所述的硅二次电池，其特征在于，所述集电体表面涂层有金、银和导电性聚合物中的任意一种。6.根据权利要求5所述的硅二次电池，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳秉勋，公载景，
申请(专利权)人：瑞克锐斯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR