一种持续稳定的单晶硅片清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种持续稳定的单晶硅片清洗装置，包括第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽、第六水槽、第七水槽、第八水槽，在每个水槽内设有加热器，每个加热器与加热器温控板单独连接，所述第三水槽和第四水槽内部均设有水冷块，在第三水槽和第四水槽外侧均设有散热片、水箱、液体输送泵，且所述水冷块和散热片、水箱、液体输送泵依次通过液体输送管顺序相通连接。本实用新型专利技术作为一种单晶硅片清洗装置，具有稳定、持续清洗的优点。

Continuously stable monocrystalline silicon wafer cleaning device

The utility model discloses a silicon wafer cleaning device comprises a first stable, water tank, second tank, third tank, fourth tank, fifth tank, sixth tank, seventh tank, eighth tank in each tank is provided with a heater connected separately each heater and the heater temperature control board, the third and fourth tank the internal tank are equipped with water cooling block, in the third and fourth tank tank are equipped with lateral fins, water tank, liquid delivery pump, followed by a liquid conveying pipe connected sequentially and the water-cooling block and heat sink, water tank, liquid delivery pump. The utility model has the advantages of stable and continuous cleaning, as a cleaning device for monocrystalline silicon sheets.

【技术实现步骤摘要】
一种持续稳定的单晶硅片清洗装置
本技术涉及单晶硅清洗设备领域，尤其涉及一种持续稳定的单晶硅片清洗装置。
技术介绍
清洗硅片采用的清洗装置设有八个水槽，每个水槽中设有加热器，并通过加热器温控板控制水温。清洗时从第一槽至第八槽按顺序进行，通常情况下，为保证清洗效果，第三槽和第四槽中清洁液的温度需要设定在45～60℃，因第三槽和第四槽中的水加有清洗剂，需要保持不变状态，而由于清洗装置及其加热器是连续不断工作的，会导致第三槽和第四槽内的水温逐渐上升并超过60℃，导致硅片表面氧化，形成废品。如果此时通过加热器温控板将加热器关闭，停止加温，加热器温控板就不能显示第三槽和第四槽内水的温度，使操作人员不能很好掌握，从而影响硅片的正常清洗。公开号为202034357U的专利中：一种单晶硅片清洗装置，包括第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽、第六水槽、第七水槽、第八水槽，在每个水槽内设有加热器，每个加热器与加热器温控板单独连接，其特征在于在第三水槽和第四水槽中分别设有冷水循环管，在第三水槽和第四水槽的一侧分别设有贮水槽，且冷水循环管与贮水槽相连接。通过冷水循环管吸收水槽中的热量，用水来将水槽降温，但是在持续工作一定时间后，贮水槽中的水温度会随着吸收热量的增加而升温，其冷却效果则会慢慢降低，甚至无效。从而并不能做到不关闭加热器持续工作。因此，提供一种能够稳定持续工作的单晶硅片清洗装置，就成为了业内亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决
技术介绍
提到的问题，本技术提出如下技术方案：一种持续稳定的单晶硅片清洗装置，包括第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽、第六水槽、第七水槽、第八水槽，在每个水槽内设有加热器，每个加热器与加热器温控板单独连接，所述第三水槽和第四水槽内部均设有水冷块，在第三水槽和第四水槽外侧均设有散热片、水箱、液体输送泵，且所述水冷块和散热片、水箱、液体输送泵依次通过液体输送管顺序相通连接。优选的，所述的散热片外侧设有若干散热管，增加散热效果。优选的，所述的水冷块为一个内部带有水道的金属块，由铜或铝制成，增加吸热效果。优选的，所述的水冷块横截面为扁平的椭圆形，增大吸热面积。本技术具有的有益效果是：通过水冷块吸收水槽中的热量，传递到液体输送管中的冷水中，来降低温度；并通过散热片，将液体输送管中水的热量传递到外部，因此，具有可持续稳定的进行清洗工作的优点。附图说明：图1为本技术的整体结构示意图。其中：1-第一水槽，2-第二水槽，3-第三水槽，4-第四水槽，5-第五水槽，6-第六水槽，7-第七水槽，8-第八水槽，9-加热器，10-加热器温控板，11-水冷块，12-液体输送管，13-散热片，14-水箱，15-液体输送泵，16-散热管。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面对本技术作进一步说明：一种持续稳定的单晶硅片清洗装置，包括第一水槽1、第二水槽2、第三水槽3、第四水槽4、第五水槽5、第六水槽6、第七水槽7、第八水槽8，在每个水槽内设有加热器9，每个加热器9与加热器温控板10单独连接，所述第三水槽3和第四水槽4内部均设有水冷块11，在第三水槽3和第四水槽4外侧均设有散热片13、水箱14、液体输送泵15，且所述水冷块11和散热片13、水箱14、液体输送泵15依次通过液体输送管12顺序相通连接。优选的，所述的散热片13外侧设有若干散热管16，增加散热效果。优选的，所述的水冷块11为一个内部带有水道的金属块，由铜或铝制成，增加吸热效果。优选的，所述的水冷块11横截面为扁平的椭圆形，增大吸热面积。以上只通过说明的方式描述了本技术的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本技术的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本技术权利要求保护范围的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种持续稳定的单晶硅片清洗装置，包括第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽、第六水槽、第七水槽、第八水槽，在每个水槽内设有加热器，每个加热器与加热器温控板单独连接，其特征在于：所述第三水槽和第四水槽内部均设有水冷块，在第三水槽和第四水槽外侧均设有散热片、水箱、液体输送泵，且所述水冷块和散热片、水箱、液体输送泵依次通过液体输送管顺序相通连接。

【技术特征摘要】
1.一种持续稳定的单晶硅片清洗装置，包括第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽、第六水槽、第七水槽、第八水槽，在每个水槽内设有加热器，每个加热器与加热器温控板单独连接，其特征在于：所述第三水槽和第四水槽内部均设有水冷块，在第三水槽和第四水槽外侧均设有散热片、水箱、液体输送泵，且所述水冷块和散热片、水箱、液体输送泵依次通过液体输送管...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞豪威，梁庭卫，
申请(专利权)人：安徽爱森能源有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34