一种医疗芯片的体内电源模块及芯片系统技术方案

本发明专利技术涉及医疗保健设备领域，尤其涉及的是一种医疗芯片的体内电源模块及芯片系统。本发明专利技术提供了一种医疗芯片的体内电源模块，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块。本发明专利技术还提供了一种医疗芯片的芯片系统。本发明专利技术所提供的一种医疗芯片体内电源模块，有效地解决了现有技术中医疗芯片体内电源模块体积重量大、精度低、稳定性差的问题，提高了抑制电压波动的性能，具有更高精度和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种医疗芯片的体内电源模块及芯片系统
本专利技术涉及医疗保健设备领域，尤其涉及的是一种医疗芯片的体内电源模块及芯片系统。
技术介绍
近年来，伴随着微电子技术的高速发展，微芯片逐渐在医学工程领域开始应用。系统芯片(SOC)的出现，使微芯片上的器件密度达到了人脑神经元的密度水平，医疗芯片成为一个重要的发展方向。采用金属导线与芯片直接相连的传输方式容易导致二次感染，现有的医疗芯片的供电多采用埋设电池装置的方式，导致整个装置的体积重量较大，这样可能带来一些对人体不利的后果。而采用无线射频传输的方式会因为线圈较大而限制其使用位置，且容易受其他射频信号的干扰。现有的体外无线供电所产生的电压不够稳定，造成植入设备的寿命缩短。基于此，本专利技术提供了一种具有更高精度和稳定性的医疗芯片体内电源模块及芯片系统。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有的医疗芯片体内电源模块体积重量大、精度低、稳定性差的问题，提供了一种具有更高精度和稳定性的医疗芯片体内电源模块及芯片系统。本专利技术提供了一种医疗芯片体内电源模块及芯片系统，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块；所述整流模块包括：第一电容C1的第一端连接输入电压VIN，第一二极管D1的正极连接第一电容C1的第二端，第二二极管D2的正极连接第一电容C1的第二端、负极接地电压，第二电容C2的第一端连接第一二极管D1的负极、第二端接地电压，所述稳压模块包括：第三电容C3的一端连接第一二极管D1的负极，第三电容C3的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地电压，第一NMOS管N1的栅极连接第一PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的源极，第一PMOS管P2的源极连接第一二极管D1的负极，第一PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地电压；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源极连接第一二极管D1的负极，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的栅极连接第一运算放大器OP1的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第二PMOS管P3的漏极连接第一运算放大器OP1的正向输入端、第一PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地电压，第一电阻R1的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地电压；第三PMOS管P4的漏极连接第一运算放大器OP1的反向输入端以及第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地电压，电阻第三电阻R3的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地电压；所述第一三极管Q1和所述第二三极管Q2均为PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源极均连接第一二极管D1的负极，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第四PMOS管P5的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第三NMOS管N3的栅极和漏极，第三NMOS管N3的源极接地电压，第五PMOS管P6的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第四NMOS管N4的漏极，第四NMOS管N4的栅极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第四NMOS管N4的源极接地电压；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源极连接第一二极管D1的负极，第六PMOS管P7的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第六PMOS管P7的漏极连接第七PMOS管P8的漏极，第七PMOS管P8的源极连接第一二极管D1的负极，第七PMOS管P8的栅极连接第一NMOS管N1的漏极，第七PMOS管P8的漏极连接输出端VOUT，第六电阻R6的第一端连接第七PMOS管P8的漏极，第六电阻R6的第二端接地电压。所述芯片系统包括压电陶瓷、体内电源模块、传感器、数据存储装置、数据读取装置；所述压电陶瓷通过接受人体外发送的超声波产生电压VIN作为体内电源模块的输入；所述体内电源模块为传感器、数据存储装置、数据读取装置提供电源，所述传感器用于检测数据，并将数据存储在数据存储装置中，数据读取装置用于读取数据。本专利技术所提供的一种医疗芯片体内电源模块，有效地解决了现有技术中医疗芯片体内电源模块体积重量大、精度低、稳定性差的问题，提高了抑制电压波动的性能，具有更高精度和稳定性。附图说明图1为本专利技术提供的一种医疗芯片体内电源模块电路示意图。图2为本专利技术提供的芯片系统示意图。具体实施方式本专利技术提供了一种医疗芯片的体内电源模块及芯片系统，为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如1图所示，一种医疗芯片体内电源模块，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块；所述整流模块包括：第一电容C1的第一端连接输入电压VIN，第一二极管D1的正极连接第一电容C1的第二端，第二二极管D2的正极连接第一电容C1的第二端、负极接地电压，第二电容C2的第一端连接第一二极管D1的负极、第二端接地电压，所述稳压模块包括：第三电容C3的一端连接第一二极管D1的负极，第三电容C3的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地电压，第一NMOS管N1的栅极连接第一PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的源极，第一PMOS管P2的源极连接第一二极管D1的负极，第一PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地电压；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源极连接第一二极管D1的负极，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的栅极连接第一运算放大器OP1的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第二PMOS管P3的漏极连接第一运算放大器OP1的正向输入端、第一PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地电压，第一电阻R1的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地电压；第三PMOS管P4的漏极连接第一运算放大器OP1的反向输入端以及第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地电压，电阻第三电阻R3的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地电压；所述第一三极管Q1和所述第二三极管Q2均为PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源极均连接第一二极管D1的负极，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第四PMOS管P5的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第三NMOS管N3的栅极和漏极，第三NMOS管N3的源极接地电压，第五PMOS管P6的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第四NMOS管N4的漏极，第四NMOS管N4的栅极连接第二运算放大器OP2的反向输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种医疗芯片的体内电源模块，其特征在于，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块；所述整流模块包括：第一电容C1的第一端连接输入电压VIN，第一二极管D1的正极连接第一电容C1的第二端，第二二极管D2的正极连接第一电容C1的第二端、负极接地电压，第二电容C2的第一端连接第一二极管D1的负极、第二端接地电压，所述稳压模块包括：第三电容C3的一端连接第一二极管D1的负极，第三电容C3的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地电压，第一NMOS管N1的栅极连接第一PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的源极，第一PMOS管P2的源极连接第一二极管D1的负极，第一PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地电压；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源极连接第一二极管D1的负极，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的栅极连接第一运算放大器OP1的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第二PMOS管P3的漏极连接第一运算放大器OP1的正向输入端、第一PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地电压，第一电阻R1的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地电压；第三PMOS管P4的漏极连接第一运算放大器OP1的反向输入端以及第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地电压，电阻第三电阻R3的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地电压；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源极均连接第一二极管D1的负极，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第四PMOS管P5的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第三NMOS管N3的栅极和漏极，第三NMOS管N3的源极接地电压，第五PMOS管P6的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第四NMOS管N4的漏极，第四NMOS管N4的栅极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第四NMOS管N4的源极接地电压；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源极连接第一二极管D1的负极，第六PMOS管P7的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第六PMOS管P7的漏极连接第七PMOS管P8的漏极，第七PMOS管P8的源极连接第一二极管D1的负极，第七PMOS管P8的栅极连接第一NMOS管N1的漏极，第七PMOS管P8的漏极连接输出端VOUT，第六电阻R6的第一端连接第七PMOS管P8的漏极，第六电阻R6的第二端接地电压。...

【技术特征摘要】
1.一种医疗芯片的体内电源模块，其特征在于，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块；所述整流模块包括：第一电容C1的第一端连接输入电压VIN，第一二极管D1的正极连接第一电容C1的第二端，第二二极管D2的正极连接第一电容C1的第二端、负极接地电压，第二电容C2的第一端连接第一二极管D1的负极、第二端接地电压，所述稳压模块包括：第三电容C3的一端连接第一二极管D1的负极，第三电容C3的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地电压，第一NMOS管N1的栅极连接第一PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的源极，第一PMOS管P2的源极连接第一二极管D1的负极，第一PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地电压；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源极连接第一二极管D1的负极，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的栅极连接第一运算放大器OP1的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第二PMOS管P3的漏极连接第一运算放大器OP1的正向输入端、第一PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地电压，第一电阻R1的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地电压；第三PMOS管P4的漏极连接第一运算放大器OP1的反向输入端以及第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地电压，电阻第三电阻R3的一端连接第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘博文，
申请(专利权)人：刘博文，
类型：发明
国别省市：重庆,50