基于norflash的宽带载波从节点控制方法技术

本发明专利技术公开了基于nor flash的宽带载波从节点控制方法，涉及flash从节点控制技术领域，该方法采用多开扇区，只将要修改的新数据存储到flash的新扇区中，不需要对整块flash中的全部数据进行搬移、擦除和存储。有效的避免了大量数据搬移和频繁擦除flash的问题。包括flash芯片和与flash芯片连接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干个扇区，宽带载波从节点控制方法如下：初始化flash芯片；添加flash芯片的从节点，删除flash芯片的从节点。

【技术实现步骤摘要】
基于norflash的宽带载波从节点控制方法
本专利技术涉及flash从节点控制
，具体涉及基于norflash的宽带载波从节点控制方法。
技术介绍
目前，在宽带载波中一般都采用flash来存储数据信息，但传统的norflash算法中，若要修改flash中的已有任何数据，都要先将整块flash中的全部数据读到RAM芯片中，然后在RAM芯片中将数据修改好，并同时擦除整块flash中的全部原有数据，然后再将在RAM芯片中已修改好的数据写入到flash中去。目前这种对flash中已有数据的修改存在如下不足，如果flash中已有数据量较大，大量数据的搬移无疑会给系统带来风险，如果关键数据在搬移过程中出错就可能导致系统瘫痪。并且每次修改flash中的已有数据都会对整块flash进行一次擦除，如果频繁修改flash中的数据，则必然会较快的让flash达到擦除次数的上限而导致flash坏掉，从而缩短了flash的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术是为了解决现有flash对已有数据的修改存在的上述不足，提供一种采用多开扇区，只将要修改的新数据存储到flash的新扇区中，同时将flash原扇区中的原数据设置为无效，而不需要对整块flash中的全部数据进行搬移、擦除和存储，灵活性好，安全性高的基于norflash的宽带载波从节点控制方法。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：基于norflash的宽带载波从节点控制方法，包括flash芯片和与flash芯片连接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干个扇区，宽带载波从节点控制方法如下：(1)、初始化flash芯片；步骤(1-1-1)、上电后读取所有flash扇区的数据，查询出有效的从节点数据，将有效的从节点数据保存在RAM芯片中，并同时将该有效的从节点数据在flash中的地址也保存在RAM芯片中，以便删除从节点时能确定该从节点在flash中的地址；步骤(1-1-2)、每读1个扇区就统计该扇区内总的从节点个数和有效的从节点个数，并将统计的该扇区总的从节点个数和有效从节点个数的数据保存在RAM芯片中；并查询出当前可直接写入的flash地址，并将该当前可直接写入的flash地址也保存到RAM芯片中；步骤(1-1-3)、确保有1个以上已经擦除的备用扇区，第一次上电要擦除至少两个扇区；(2)、添加flash芯片的从节点步骤(1-2-1)、将新的从节点数据写入当前可直接写入的flash地址，计算下1个新的从节点的flash地址，当前flash地址加上从节点信息长度即可得到下1个从节点地址，若不跨扇区，则下1个新的从节点即可用这个地址；步骤(1-2-2)、若跨扇区，比较所有扇区的有效从节点个数，选出有效从节点个数最少的扇区，将该扇区所有有效的从节点数据读出并存入备用扇区，并保存当前可直接写入的flash地址到RAM芯片中；最后擦除该扇区作为下一次存入的一个备用扇区；(3)删除flash芯片的从节点；根据从节点保存在RAM芯片中的flash地址，将该flash地址开始的从节点信息长度的flash区域写为0以判断删除该从节点，然后清除掉该从节点在RAM芯片中对应的数据和地址，并将RAM芯片中该地址后面的数据和地址依次向前移动一个地址。该方法采用多开扇区，只将要修改的新数据存储到flash的新扇区中，不需要对整块flash中的全部数据进行搬移、擦除和存储。有效的避免了大量数据搬移和频繁擦除flash的问题。灵活性好，结构简单，使用方便，可靠性好，安全性高。作为优选，设flash芯片共包括5个扇区，并设flash芯片的这5个扇区分别为flash_1、flash_2、flash_3、flash_4和flash_5；设flash_1的总节点个数为8个、有效从节点个数为3个；设flash_2的总节点个数为8个、有效从节点个数为2个；设flash_3的总节点个数为2个、有效从节点个数为2个；设flash_4的总节点个数为0个、有效从节点个数为0个；设flash_5的总节点个数为8个、有效从节点个数为4个；如果当前可直接写入的flash地址为flash_3全FF的起始地址；若flash_3写满后比较所有flash有效从节点个数，因为flash_2中的有效从节点个数最少，则将flash_2中有效的从节点读出写入flash_4，并保存当前可直接写入的flash地址到RAM芯片；最后擦除flash_2新的做备用扇区；假如当前flash_5的第一个节点是有效从节点，若要删除flash_5中的第一个有效从节点，则删除将该flash地址开始的从节点信息长度的flash区域写为0以判断删除该从节点，然后将该从节点在RAM芯片中对应的地址清除，并将RAM芯片中该地址后面的数据和地址依次向前移动一个地址。作为优选，在步骤(1-2-2)中，若有两个以上扇区中的有效从节点个数相等，则按顺时针方向查找后找到的第一个有效从节点个数最少的扇区作为要读出所有有效的从节点的扇区。作为优选，在所述的5个扇区中的每个flash扇区都分别包括A存储区、B存储区、C存储区和D存储区，并且A存储区的存储容量小于B存储区的存储容量，C存储区的存储容量小于D存储区的存储容量；当要向某个flash扇区内存储数据时，将数据存在B存储区中或D存储区中，将该flash扇区内的总节点个数和有效从节点个数的节点数信息存储在A存储区中或C存储区中。作为优选，若某个flash扇区的B存储区出现磁导损坏，则将该对应的B存储区设为数据不可存储区，当有数据要申请使用数据不可存储区时，则有磁导损坏的这个B存储区拒绝存储该数据，并自动将该数据转存到与该B存储区在同一个flash扇区内的D存储区中去。作为优选，若某个flash扇区的A存储区出现磁导损坏，则将该对应的A存储区设为节点数不可存储区，当要记录节点数信息而要申请使用节点数不可存储区时，则有磁导损坏的这个A存储区拒绝存储该节点数信息的记录，并自动将该节点数信息的记录转存到与该A存储区在同一个flash扇区内的C存储区中去。作为优选，当同一个flash扇区内的A存储区、B存储区、C存储区和D存储区这四个存储区中有三个存储区内出现磁导损坏时，则将这四个存储区所在的这个flash扇区设为不可用扇区，当把某个flash扇区被设为不可用扇区时，则该flash扇区不再接受数据使用的申请和节点数记录的申请，并将该不可用的flash扇区的地址信息存储到RAM芯片中。作为优选，A存储区的存储容量等于C存储区的存储容量，B存储区的存储容等于D存储区的存储容量。作为优选，预先设定不同数据类型存储所需要的安全存储阈值；并设定高于安全存储阈值的数据在存储时需要存储在两个扇区中，并设定高于安全存储阈值的数据在一个扇区中被删除后在另一个扇区中要延后并自动删除的时间长度。这种方法能够保证数据的安全性和可靠性，也让数据存储更加灵活。对于不重要的数据就把安全存储阈值设高点，对于重要的数据就把安全存储阈值设低点，灵活性好，可靠性高。作为优选，当要向flash芯片存储数据时，先判断所要存储的数据类型，然后根据预先设定的对应数据类型的安全存储阈值来判断是否需要将该要存储的数据存储在5个扇区中的一个扇区中还是将该要存储的数据同时存储在5个扇区中的任本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于norflash的宽带载波从节点控制方法，包括flash芯片和与flash芯片连接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干个扇区，其特征在于，宽带载波从节点控制方法如下：(1)、初始化flash芯片；步骤(1‑1‑1)、上电后读取所有flash扇区的数据，查询出有效的从节点数据，将有效的从节点数据保存在RAM芯片中，并同时将该有效的从节点数据在flash中的地址也保存在RAM芯片中，以便删除从节点时能确定该从节点在flash中的地址；步骤(1‑1‑2)、每读1个扇区就统计该扇区内总的从节点个数和有效的从节点个数，并将统计的该扇区总的从节点个数和有效从节点个数的数据保存在RAM芯片中；并查询出当前可直接写入的flash地址，并将该当前可直接写入的flash地址也保存到RAM芯片中；步骤(1‑1‑3)、确保有1个以上已经擦除的备用扇区，第一次上电要擦除至少两个扇区；(2)、添加flash芯片的从节点步骤(1‑2‑1)、将新的从节点数据写入当前可直接写入的flash地址，计算下1个新的从节点的flash地址，当前flash地址加上从节点信息长度即可得到下1个从节点地址，若不跨扇区，则下1个新的从节点即可用这个地址；步骤(1‑2‑2)、若跨扇区，比较所有扇区的有效从节点个数，选出有效从节点个数最少的扇区，将该扇区所有有效的从节点数据读出并存入备用扇区，并保存当前可直接写入的flash地址到RAM芯片中；最后擦除该扇区作为下一次存入的一个备用扇区；(3)删除flash芯片的从节点；根据从节点保存在RAM芯片中的flash地址，将该flash地址开始的从节点信息长度的flash区域写为0以判断删除该从节点，然后清除掉该从节点在RAM芯片中对应的数据和地址，并将RAM芯片中该地址后面的数据和地址依次向前移动一个地址。...

【技术特征摘要】
1.基于norflash的宽带载波从节点控制方法，包括flash芯片和与flash芯片连接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干个扇区，其特征在于，宽带载波从节点控制方法如下：(1)、初始化flash芯片；步骤(1-1-1)、上电后读取所有flash扇区的数据，查询出有效的从节点数据，将有效的从节点数据保存在RAM芯片中，并同时将该有效的从节点数据在flash中的地址也保存在RAM芯片中，以便删除从节点时能确定该从节点在flash中的地址；步骤(1-1-2)、每读1个扇区就统计该扇区内总的从节点个数和有效的从节点个数，并将统计的该扇区总的从节点个数和有效从节点个数的数据保存在RAM芯片中；并查询出当前可直接写入的flash地址，并将该当前可直接写入的flash地址也保存到RAM芯片中；步骤(1-1-3)、确保有1个以上已经擦除的备用扇区，第一次上电要擦除至少两个扇区；(2)、添加flash芯片的从节点步骤(1-2-1)、将新的从节点数据写入当前可直接写入的flash地址，计算下1个新的从节点的flash地址，当前flash地址加上从节点信息长度即可得到下1个从节点地址，若不跨扇区，则下1个新的从节点即可用这个地址；步骤(1-2-2)、若跨扇区，比较所有扇区的有效从节点个数，选出有效从节点个数最少的扇区，将该扇区所有有效的从节点数据读出并存入备用扇区，并保存当前可直接写入的flash地址到RAM芯片中；最后擦除该扇区作为下一次存入的一个备用扇区；(3)删除flash芯片的从节点；根据从节点保存在RAM芯片中的flash地址，将该flash地址开始的从节点信息长度的flash区域写为0以判断删除该从节点，然后清除掉该从节点在RAM芯片中对应的数据和地址，并将RAM芯片中该地址后面的数据和地址依次向前移动一个地址。2.根据权利要求1所述的基于norflash的宽带载波从节点控制方法，其特征在于，设flash芯片共包括5个扇区，并设flash芯片的这5个扇区分别为flash_1、flash_2、flash_3、flash_4和flash_5；设flash_1的总节点个数为8个、有效从节点个数为3个；设flash_2的总节点个数为8个、有效从节点个数为2个；设flash_3的总节点个数为2个、有效从节点个数为2个；设flash_4的总节点个数为0个、有效从节点个数为0个；设flash_5的总节点个数为8个、有效从节点个数为4个；如果当前可直接写入的flash地址为flash_3全FF的起始地址；若flash_3写满后比较所有flash有效从节点个数，因为flash_2中的有效从节点个数最少，则将flash_2中有效的从节点读出写入flash_4，并保存当前可直接写入的flash地址到RAM芯片；最后擦除flash_2新的做备用扇区；假如当前flash_5的第一个节点是有效从节点，若要删除flash_5中的第一个有效从节点，则删除将该flash地址开始的从节点信息长度的flash区域写为0以判断删除该从节点，然后将该从节点在RAM芯片中对应的地址清除，并将RAM芯片中该地址后面的数据和地址依次向前移动一个地址。3.根据权利要求1所述的基于norflash的宽带载波从节点控制方法，其特征在于，在步骤(1-2-2)中，若有两个以上扇区中的有效从节点个数相等，则按顺时针方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨虎岳，
申请(专利权)人：昊宏广泰北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11