一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置，包括冷凝塔，所述冷凝塔内设有喷淋头、换热管和水箱，所述喷淋头设置有多个，均匀分布在所述冷凝塔的顶部，所述水箱设置在所述冷凝塔的底部，所述换热管布置在所述冷凝塔的中部，所述换热管包括第一换热管组和第二换热管组，所述第一换热管组和所述第二换热管组均呈倒V型设置，所述第一换热管组和所述第二换热管组顶端分别设置有第一气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组之间设置有第二气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组的外表面均设置有气水分离孔。本发明专利技术提供的生产高纯四氯化锗的冷凝装置，换热面积大，换热效率高。

Condensing device for producing high-purity four germanium chloride

The invention discloses a condensing device for producing high purity germanium chloride four, including condensing tower, the condensing tower with spray head, heat pipe and water tank, the spray head is provided with a plurality of top, evenly distributed in the cooling tower, the water tank is arranged on the bottom of the cooling tower, the middle of the heat exchange tube is arranged in the cooling tower, the heat pipe includes a first heat pipe heat exchanger tube group and the second group, the first group of heat exchanger and the second heat transfer tubes were inverted V type setting, the first group and the heat exchange tube the second top of the heat transfer tubes are respectively provided with a first gas distribution pipe, the first heat transfer tubes and the second heat transfer tubes are arranged between the second gas distribution pipe, the outer surface of the first heat exchanger tube group and the second heat pipe group are provided with a gas water separation hole. The invention provides a condensing device for producing high-purity four germanium chloride, which has large heat exchange area and high heat exchange efficiency.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是指一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置。
技术介绍
锗具备多方面的特殊性质，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。目前美国的锗储量全球第一，但由于主要以铅锌伴生矿为主，锗的产量受制于铅锌的产量，实际上并无增长潜力，而在中国，对稀有金属的整合之下，未来几年锗的产量将会逐步下降，预计控制在140万吨左右（2010年），相对产量的严格受限，社会对锗的需求显现出稳定增长的态势，尤其是太阳能电池、红外光学、光纤这三种行业对锗的需求增长最为明显，这也是现时主要应用锗的领域。另外，PET催化剂对锗的需求也稳定增长。我国供给了世界71%的锗产品，是全球最大的锗生产国和出口国，但由于我国高附加值深加工产品技术环节薄弱，导致内需相对有限，产品多以初加工产品出口为主。目前，在化工生产的时候，经常需要使用到冷凝设备来进行冷凝，但是现有的冷凝设备存在换热面积小、换热效率低的缺点。因此，有必要对现有的冷凝设备进行改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述
技术介绍
中所提到的问题，提供了一种换热面积大，换热效率高的生产高纯四氯化锗的冷凝装置。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置，包括冷凝塔，所述冷凝塔内设有喷淋头、换热管和水箱，所述喷淋头设置有多个，均匀分布在所述冷凝塔的顶部，所述水箱设置在所述冷凝塔的底部，所述换热管布置在所述冷凝塔的中部，所述换热管包括第一换热管组和第二换热管组，所述第一换热管组和所述第二换热管组均呈倒V型设置，所述第一换热管组和所述第二换热管组顶端分别设置有第一气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组之间设置有第二气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组的外表面均设置有气水分离孔，所述第一换热管组和所述第二换热管组的外表面均设置有换热翅片。优选的，所述水箱连接有水泵，所述水泵的出水管和所述喷淋头连接。优选的，所述水箱和所述换热管之间设有吸水层。优选的，所述气水分离孔的孔径为1mm~2mm。优选的，所述第一换热管组的自由端设置有第一蒸汽进口，所述第二换热管组的自由端设置有第二蒸汽进口。与现有技术相比，本专利技术提供的生产高纯四氯化锗的冷凝装置，换热面积大，换热效率高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实施例中的结构示意图。附图标记：1、冷凝塔，2、喷淋头，3、换热管，4、水箱，5、第一换热管组，6、第二换热管组，7、水泵，8、出水管，9、吸水层，10、第一气体分配管，11、第二气体分配管，12、第一蒸汽进口，13、第二蒸汽进口。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。具体实施例：结合图1所示的一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置，包括冷凝塔1，冷凝塔1内设有喷淋头2、换热管3和水箱4，喷淋头2设置有多个，均匀分布在冷凝塔1的顶部，水箱4设置在冷凝塔1的底部，换热管3布置在冷凝塔1的中部，换热管3包括第一换热管组5和第二换热管组6，第一换热管组5和第二换热管组6均呈倒V型设置，第一换热管组5和第二换热管组6顶端分别设置有第一气体分配管10，第一换热管组5和第二换热管组6之间设置有第二气体分配管11，第一换热管组5和第二换热管组6的外表面均设置有气水分离孔，第一换热管组5和第二换热管组6的外表面均设置有换热翅片。本实施例中，水箱4连接有水泵7，水泵7的出水管8和喷淋2头连接。本实施例中，水箱4和换热管3之间设有吸水层9。本实施例中，气水分离孔的孔径为1mm~2mm。本实施例中，第一换热管组5的自由端设置有第一蒸汽进口12，第二换热管组6的自由端设置有第二蒸汽进口13。本实施例在工作时，通过水泵7控制喷淋头2进行水冷的同时，通过蒸汽加热换热管3，换热管3由第一换热管组5和第二换热管组6组成，大大增加了换热面积，提高了换热效率，同时第一换热管组5和第二换热管组6均呈倒V型，更进一步地增加了换热面积，冷凝后的水从吸水层9过，被部分吸收，另外一部分经过出水管8继续进行水冷，加快换热效率。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的保护范围内所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置，其特征在于，包括冷凝塔，所述冷凝塔内设有喷淋头、换热管和水箱，所述喷淋头设置有多个，均匀分布在所述冷凝塔的顶部，所述水箱设置在所述冷凝塔的底部，所述换热管布置在所述冷凝塔的中部，所述换热管包括第一换热管组和第二换热管组，所述第一换热管组和所述第二换热管组均呈倒V型设置，所述第一换热管组和所述第二换热管组顶端分别设置有第一气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组之间设置有第二气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组的外表面均设置有气水分离孔，所述第一换热管组和所述第二换热管组的外表面均设置有换热翅片。

【技术特征摘要】
1.一种生产高纯四氯化锗的冷凝装置，其特征在于，包括冷凝塔，所述冷凝塔内设有喷淋头、换热管和水箱，所述喷淋头设置有多个，均匀分布在所述冷凝塔的顶部，所述水箱设置在所述冷凝塔的底部，所述换热管布置在所述冷凝塔的中部，所述换热管包括第一换热管组和第二换热管组，所述第一换热管组和所述第二换热管组均呈倒V型设置，所述第一换热管组和所述第二换热管组顶端分别设置有第一气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组之间设置有第二气体分配管，所述第一换热管组和所述第二换热管组的外表面均设置有气水分离孔，所述第一换热管组和所述第二换...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建国，
申请(专利权)人：衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43