The present invention provides a method for dense metal adhesion growth Shi Moxi, said method comprises the steps of: 1) in the first step, the surface oxide deposition of metal foil, second surface of the metal foil for the metal surface, the metal foil surface toward the metal surface of the oxide according to the sequence of stacked or rolled up, forming a metal or metal stacking volume; step 2), deposition on the metal or metal stacking volume on the surface of metal graphene by chemical vapor growth. The method of the invention has high repeatability, simple and easy, can be used for large area high quality graphene scale batch preparation; the method of metal foil back deposition of oxide, avoid mutual adhesion between metal foil, disposable CVD devices in the cavity of the metal foil into large or large area, great to improve the efficiency of the growth of graphene.
【技术实现步骤摘要】
一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法
本专利技术属石墨烯薄膜制备
,特别是涉及一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法。
技术介绍
自2004年两位在俄罗斯出生的科学家AndreGeim和KonstantinNovoselov发表第一篇有关石墨烯的论文后,石墨烯在科学界激起了巨大的波澜,它的出现有望在现代电子科技领域引发新一轮革命。石墨烯具备很多优越的性能,例如高透光率、高电子迁移率、高电流密度、高机械强度、易于修饰等等。正因为这些特性,它被公认为制造透明导电薄膜、高频晶体管、储氢电池,乃至集成电路的理想材料,具有广阔的市场应用前景。制备石墨烯的方法很多,这些方法各有特点,并且制备出的石墨烯有不同的用途。CVD法在金属衬底上可以获得大面积高质量的连续石墨烯,适于光电子和微电子领域的应用。目前,实验室已经可以制备出小面积高质量的石墨烯,但是目前实验室中的生长方法大多是一次在腔体中放一块金属衬底,效率非常低下,不适于大规模生长石墨烯。虽然,有人将金属衬底完成一个圆筒形,可以将效率提高三倍;目前一些厂家采用的盒式多片生长技术,成本较高且效率提升有限;索尼公司专利技术的卷到卷的生长方式,由于避免了升降温的时间,较大限度的提高了生产效率。索尼公司专利技术的卷到卷的生长仍然属于单层衬底的生长,相比而言,充分利用腔体的空间,利用堆垛或者成卷的方式一次放入尽量多的金属,是最高效的做法。但是,金属衬底挤在一起会在高温时发生粘连,成为金属堆垛或者成卷生长石墨烯方法面临的重要问题。基于以上所述,提供一种可以有效防止堆垛和成卷石墨烯生长中金属发生粘连的石墨烯生长方法实属必要。专利技 ...
【技术保护点】
一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法,其特征在于,所述方法包括步骤:步骤1),在金属箔片的第一表面沉积氧化物,金属箔片的第二表面为金属面,将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来,形成金属堆垛或金属卷;步骤2),采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。
【技术特征摘要】
1.一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法,其特征在于,所述方法包括步骤:步骤1),在金属箔片的第一表面沉积氧化物,金属箔片的第二表面为金属面,将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来,形成金属堆垛或金属卷;步骤2),采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。2.根据权利要求1所述的无粘连金属密堆生长石墨烯的方法,其特征在于:步骤2)中,将所述金属堆垛或金属卷放入化学气相反应腔中,在700-1090℃下通入含碳气体,在0.1-760torr的气压下反应0.1-9999min,然后将金属堆垛或者金属卷进行降温,以于所述金属堆垛或者金属卷的金属面上生长石墨烯。3.根据权利要求1所述的无粘连金属密堆生长石墨烯的方法,其特征在于:所述金属箔片包括铜及铜的合金中的一种,所述铜的合金包括铜镍合金、铜锡合金、铜钌合金及铜钼合金中的一种。4.根据权利要求1所述的无粘连金属密堆生长石墨烯的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:于广辉,张燕辉,隋妍萍,陈志蓥,邓荣轩,葛晓明,梁逸俭,胡诗珂,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:上海,31
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