一种高功放芯片保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高功放芯片保护电路，包括门电路、开关驱动器、FET管和负电保护电路；所述负电保护电路的输出端，连接所述门电路的使能端，负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端；所述门电路的输出端连接所述开关驱动器的输入端；所述开关驱动器的输出端连接FET管的栅极；FET管的漏极连接高功放芯片的漏压端；还包括下拉电阻和上拉电阻；所述下拉电阻一端连接所述开关驱动器的输入端，另一端接地；所述上拉电阻一端连接所述FET管的输入端，另一端连接电源电压。本实用新型专利技术可提高高功放芯片使用时的稳定性，降低高功放芯片的损坏率。

High power amplifier chip protection circuit

The utility model discloses a high power amplifier chip protection circuit, including gate circuit, switch driver, FET tube and negative protection circuit; the negative protection circuit. The output end is connected to the gate circuit enable terminal, negative protection input circuit, power amplifier chip is connected with a high gate voltage output end; the gate circuit is connected with the input end of the output driver switch; the switch driver is connected FET gate tube; FET pressure leakage end connected with the high power amplifier chip transistor; also includes a pull-down resistor and a pull-up resistor; the input end of the pull-down resistor connected to the switch driver. The other end is grounded; the pull-up resistor is connected with the input end of the FET tube, the other end is connected with the power supply voltage. The utility model can improve the stability of the high power amplifier chip and reduce the damage rate of the high power amplifier chip.

【技术实现步骤摘要】
一种高功放芯片保护电路
本技术涉及电子电路技术，具体涉及一种高功放芯片保护电路。
技术介绍
高功放芯片是微波组件，特别是TR组件中最常用的芯片。高功放芯片是一种高值的器件，也是组件中最容易损坏的器件之一。频繁的更换高功放会直接导致产品成本提高。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术公开了一种高功放芯片保护电路。本技术的技术方案如下：一种高功放芯片保护电路，包括门电路、开关驱动器、FET管和负电保护电路；所述负电保护电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和三极管；所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的负极；所述三极管的基极连接所述第一二极管和所述第二二极管的公共端；所述第一电阻和所述第二电阻相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接所述门电路的使能端，另一端连接所述第一二极管的正极；所述第一电阻和所述第二电阻的公共端连接电源电压；所述第二二极管的负极作为所述负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端；所述三极管的集电极连接于负电保护电路的输出端；所述三极管的发射极接地；所述门电路的输出端连接所述开关驱动器的输入端；所述开关驱动器的输出端连接FET管的栅极；FET管的漏极连接高功放芯片的漏压端；还包括下拉电阻和上拉电阻；所述下拉电阻一端连接所述开关驱动器的输入端，另一端接地；所述上拉电阻一端连接所述FET管的输入端，另一端连接电源电压。本技术的有益技术效果是：本技术通过负电保护电路、上拉电阻、下拉电阻三重保护，提高了高功放芯片使用时的稳定性，降低高功放芯片的损坏率。附图说明图1是本技术的电路图。具体实施方式图1是本技术的电路图。如图1所示，本技术包括包括门电路A1、开关驱动器A2、FET管A3和负电保护电路。负电保护电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二二极管D2和三极管T。第一二极管D1的负极连接第二二极管D2的负极。三极管T的基极连接第一二极管D1和第二二极管D2的公共端。第一电阻R1和第二电阻R2相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接门电路A1的使能端，另一端连接第一二极管D1的正极。第一电阻R1和第二电阻R2的公共端连接电源电压V1。第二二极管D2的负极作为负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端。三极管T的集电极连接于负电保护电路的输出端，三极管T的发射极接地。门电路A1的输出端连接开关驱动器A2的输入端。开关驱动器A2的输出端连接FET管A3的栅极。FET管A3的漏极连接高功放芯片的漏压端。还包括下拉电阻R3和上拉电阻R4。下拉电阻R3一端连接开关驱动器A2的输入端，另一端接地。上拉电阻R4一端连接FET管A3的输入端，另一端连接电源电压V1。在图1所示的电路中，门电路A1的使能端控制其通断，门电路A1的输入端输入发射控制信号T1。使能信号EN由负电保护电路提供，负电保护电路中，第一电阻R1和第二电阻R2的公共端所输入的电源电压V1为正电。负电保护电路的输入端所输入的电压V3为负电并与高功放芯片的栅压端相连接。开关驱动器A2输出反向信号，其输入端接下拉电阻R3。FET管A3，输出反向信号，其输入端接上拉电阻R4。本技术的工作方法是：负电保护电路监测高功放芯片A4的栅压，当高功放芯片A4的栅压掉电时，负电保护电路所输出的使能信号EN为低，门电路A1关闭，高功放芯片A4不工作。当门电路A1发生异常或门电路A1与开关驱动器A3断路，导致门电路A1所输出的控制信号T1*状态不确定时，下拉电阻R3保证控制信号T1*恒为低，控制信号T1*经开关驱动器A2和FET管A3两次反向后，输出到高功放芯片A4的漏压端仍为低，高功放芯片A4不工作。当开关驱动器A2发生异常或开关驱动器A2与FET管A3断路，导致开关驱动器锁输出的驱动信号T1_0状态不确定时，上拉电阻R2保证驱动信号T1_0恒为高，经FET管A3反向后输出到高功放芯片A4漏压端为低，高功放芯片A4不工作。通过这三重保护，提高了高功放芯片使用时的稳定性，降低高功放芯片的损坏率。本技术所述的门电路和开关驱动器，均为电路中十分常见的常用芯片。门电路的作用在于，其使能端所输入的使能信号可控制门电路的通断，门电路的输入端和输出端的信号电平相同。开关驱动器的作用在于，其输入端和输出端的信号电平反相。在现有技术中有非常多的类似功能的芯片，可直接购买市售产品，不再详述。以上所述的仅是本技术的优选实施方式，本技术不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本技术的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功放芯片保护电路，其特征在于：包括门电路(A1)、开关驱动器(A2)、FET管(A3)和负电保护电路；所述负电保护电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和三极管(T)；所述第一二极管(D1)的负极连接所述第二二极管(D2)的负极；所述三极管(T)的基极连接所述第一二极管(D1)和所述第二二极管(D2)的公共端；所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接所述门电路(A1)的使能端，另一端连接所述第一二极管(D1)的正极；所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)的公共端连接电源电压；所述第二二极管(D2)的负极作为所述负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端；所述三极管(T)的集电极连接于负电保护电路的输出端；所述三极管(T)的发射极接地；所述门电路(A1)的输出端连接所述开关驱动器(A2)的输入端；所述开关驱动器(A2)的输出端连接FET管(A3)的栅极；FET管(A3)的漏极连接高功放芯片的漏压端；还包括下拉电阻(R3)和上拉电阻(R4)；所述下拉电阻(R3)一端连接所述开关驱动器(A2)的输入端，另一端接地；所述上拉电阻(R4)一端连接所述FET管(A3)的输入端，另一端连接电源电压。...

【技术特征摘要】
1.一种高功放芯片保护电路，其特征在于：包括门电路(A1)、开关驱动器(A2)、FET管(A3)和负电保护电路；所述负电保护电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和三极管(T)；所述第一二极管(D1)的负极连接所述第二二极管(D2)的负极；所述三极管(T)的基极连接所述第一二极管(D1)和所述第二二极管(D2)的公共端；所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接所述门电路(A1)的使能端，另一端连接所述第一二极管(D1)的正极；所述第一电阻(R1)和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：方晨炯，
申请(专利权)人：无锡华测电子系统有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32