The invention discloses a method for preparing a new type of CdTe thin film solar cell components, which include preparation of glass substrate with conductive / film / CdS / CdTe solar cell substrate, the sliver shaped battery solar cell substrate vertically divided into a plurality of equal width, then the strip transverse battery the battery is divided into several sub blocks, each sub cell blocks are connected in series or in parallel; the lateral division includes characterization of insulated wire and partition partition line, line is located in the middle of two insulated wire. The strip is divided into sub sub battery batteries, can effectively reduce the cadmium telluride thin film solar cell due to uneven distribution of each layer or component by non-uniform light effect on the performance of the components, improve the generation ability of the component.
【技术实现步骤摘要】
一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法
本专利技术涉及一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,属于太阳能电池组件制备
技术介绍
太阳能电池组件是采用光伏技术直接将光能转换为电能的一种器件,其中碲化镉薄膜太阳能电池被广泛认为是结构简单,生产成本相对低廉,商业化进展最快的高效廉价的薄膜电池。碲化镉薄膜太阳电池是以多晶n型的硫化镉层和多晶p型碲化镉层做pn结,再加上相应的透明导电膜前电极和金属膜背电极所组成的薄膜太阳电池器件。目前其组件效率已经达到18%左右,实验室效率达到22%以上,理论转化效率可以达到33%。碲化镉薄膜太阳电池由于制造成本低,转化效率高,在光伏领域有着非常重要的角色。目前产业化的碲化镉薄膜太阳能电池组件一般采用在已经沉积好TCO的玻璃衬底上沉积硫化镉,然后沉积碲化镉,接着在碲化镉膜层表面喷涂或者滚涂CdCl2溶液后进行高温退火处理,然后沉积背接触层以及金属导电层并进行相应的高温处理。由于碲化镉单结电池的开路电压最高约为800mV,为了给二次电池充电,或者直接用于直流电器,需要在碲化镉薄膜太阳电池的制备过程中实现多结串联集成,从而获得一定开路电压和短路电流,因此在上述工艺过程中会采用相应的激光或机械划线方法将大面积的电池基板竖线划分为长条形子电池1并完成串联,并经过汇流封装制成组件,如图1所示。在各层薄膜的沉积及处理过程中,由于基板温度分布不均、腔室不同区域压强差异、腔室内气流等等原因,不可避免的造成整个基板上不同区域硫化镉、碲化镉膜的沉积以及CdCl2处理等等的差异,进而造成薄膜性能的差异。膜层性能的差异又会导致同一组件上不 ...
【技术保护点】
一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括准备具有玻璃衬底/导电膜/硫化镉/碲化镉的太阳能电池基板,将太阳能电池基板竖向划分为多个宽度相等的长条形子电池,其特征在于:将长条形子电池横向划分为多个子电池块,将每个子电池块进行串联或并联连接;所述横向划分包括刻划绝缘线和分区线,分区线位于两条绝缘线中间。
【技术特征摘要】
1.一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括准备具有玻璃衬底/导电膜/硫化镉/碲化镉的太阳能电池基板,将太阳能电池基板竖向划分为多个宽度相等的长条形子电池,其特征在于:将长条形子电池横向划分为多个子电池块,将每个子电池块进行串联或并联连接;所述横向划分包括刻划绝缘线和分区线,分区线位于两条绝缘线中间。2.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述竖向划分或横向划分的方法采用激光或机械刻划方法。3.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)在玻璃衬底上沉积导电膜,对导电膜进行竖线刻划,然后在垂直于竖线的方向对导电膜进行绝缘线刻划,绝缘线以两条为一组进行刻划;(2)在导电膜上依次沉积硫化镉和碲化镉后进行热处理,然后完成背电极沉积,之后对硫化镉、碲化镉和背电极进行竖线刻划,其刻划竖线与导电膜的刻划竖线平行,相邻的导电膜刻划竖线与硫化镉、碲化镉和背电极的刻划竖线之间的间距为50-350...
【专利技术属性】
技术研发人员:马立云,彭寿,潘锦功,殷新建,蒋猛,
申请(专利权)人:成都中建材光电材料有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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