The invention discloses a method and a device for detecting the ionization rate, which relates to the technical field of microelectronic processing. The ionization rate detection device comprises a detection chip and the first DC power supply, the detection chip is arranged on the test hole, the test hole is arranged at the bottom part of the conductive foil, the conductive foil is connected to the first DC power supply anode cathode, the first DC power supply grounding in connected between the conductive the foil and the first DC power supply line is provided with a current detecting unit, the test hole at the top of stack is provided with at least one layer of the first grid and at least one layer of the second grid, the first grid for blocking the electron reaches the conductive foil, the second grid for reaching the conductive foil blocking work gas ion. The invention is used for detecting the ionization rate of the sputtered particles.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子加工
,尤其涉及一种离化率检测装置及方法。
技术介绍
薄膜工艺包括深孔(槽)填充工艺,具体地,深孔(槽)填充工艺用于实现深宽比比较高的孔(槽)的侧壁和基底部的薄膜覆盖,深孔(槽)填充工艺的难度较高,已经成为业内重点研究的对象。通常通过提高溅射粒子的离化率,然后通过负偏压加速溅射过程中产生的金属离子的方式,提高金属离子的方向性,进而较好地实现深孔(槽)的填充。由以上所述可知,溅射粒子的离化率越高,通过深孔(槽)填充工艺可以填充的孔槽就越深。因此,对溅射粒子的离化率进行准确检测非常重要。现有技术中提供的离化率检测装置如图1所示,在该离化率检测装置中,检测晶片1’上需要检测溅射粒子的离化率的位置处设有测试孔,测试孔下设置有铜箔2’,铜箔2’连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接直流电源的负极,直流电源的正极接地,通过与电阻R并联的电压表检测电阻R两端的电压,即可计算得到流经电阻R的电流,从而计算出到达铜箔2’的溅射过程中产生的金属离子数量,进而能够计算出溅射粒子的离化率。但是,本申请的专利技术人发现,到达每一个测试孔下的铜箔2’上的粒子并不全是金属离子,还包含了电子、金属原子、工作气体离子和工作气体原子等。其中,金属原子和工作气体原子呈电中性,对于检测结果无影响。但是,电子和工作气体离子均带有电荷,将严重影响到检测所得的溅射粒子的离化率的精确度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种离化率检测装置及方法,用于准确检测溅射粒子的离化率。为达到上述目的,本专利技术提供一种离化率检测装置,采用如下技术方案:一种离化率检测装置包括:检测晶片和 ...
【技术保护点】
一种离化率检测装置,包括检测晶片和第一直流电源,所述检测晶片上设置有测试孔,所述测试孔底部设置有导电箔,所述导电箔连接所述第一直流电源的负极,所述第一直流电源的正极接地,在连接所述导电箔和所述第一直流电源的线路上设有电流检测单元,其特征在于,所述测试孔顶部叠加设置有至少一层第一栅网和至少一层第二栅网,所述第一栅网用于阻挡电子到达所述导电箔,所述第二栅网用于阻挡工作气体离子到达所述导电箔。
【技术特征摘要】
1.一种离化率检测装置,包括检测晶片和第一直流电源,所述检测晶片上设置有测试孔,所述测试孔底部设置有导电箔,所述导电箔连接所述第一直流电源的负极,所述第一直流电源的正极接地,在连接所述导电箔和所述第一直流电源的线路上设有电流检测单元,其特征在于,所述测试孔顶部叠加设置有至少一层第一栅网和至少一层第二栅网,所述第一栅网用于阻挡电子到达所述导电箔,所述第二栅网用于阻挡工作气体离子到达所述导电箔。2.根据权利要求1所述的离化率检测装置,其特征在于,所述测试孔顶部从上至下依次设置有一层所述第一栅网和一层所述第二栅网;所述第一栅网为施加负电压的导电网格;所述第二栅网为施加正电压的导电网格。3.根据权利要求2所述的离化率检测装置,其特征在于,施加在所述第一栅网上的负电压的大小为-10V~-15V;施加在所述第二栅网上的正电压的大小为10V~15V。4.根据权利要求2所述的离化率检测装置,其特征在于,施加在所述第一栅网上的负电压的大小可调;施加在所述第二栅网上的正电压的大小可调。5.根据权利要求2所述的离化率检测装置,其特征在于,所述离化率检测装置还包括第二直流电源和第三直流电源;所述第二直流电源的负极与所述第一栅网连接,所述第二直流电源的正极接地;所述第三直流电源的正极与所述第二栅网连接,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵崇军,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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