一种计算机内电源模块保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种计算机内电源模块保护电路，包括三极管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C1、二极管D1和DC/DC电路，所述电阻R1分别连接电源VCC和MOS管Q2的S极，电阻R1另一端分别连接MOS管Q2的G极和电阻R2，电阻R2另一端连接三极管Q1集电极，三极管Q1发射极分别连接电容C1和电阻R5，电容C1另一端分别连接电阻R5另一端和电阻R4并接地，电阻R4另一端分别连接三极管Q1基极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接二极管D1负极和二极管D2负极，二极管D2正极连接二极管D3正极。本发明专利技术计算机内电源模块保护电路，当电路输出端Vo发生短路时，输出端Vo电压为0V，三极管Q1关断，MOS管Q2也随着关断，输出电压为0，短路电流为0，形成自锁状态，从而起到保护的作用。

Computer internal power supply module protection circuit

The invention discloses a computer power supply module protection circuit comprises a triode Q1, MOS tube Q2, a resistor R1 and a capacitor C1, a diode D1 and DC/DC circuit, the resistance of R1 S VCC and MOS tube are respectively connected with the power supply of Q2, the other end resistor R1 are respectively connected with the MOS tube Q2 G pole and resistance R2, the resistance R2 is connected with the other end of the collector of the triode Q1, a triode Q1 emitter connected capacitor C1 and a resistor R5, a capacitor C1 the other end are respectively connected with the other end resistance R5 and the resistance R4 and grounding resistance R4, the other ends are respectively connected with the base electrode of the triode Q1 and a resistor R3, the other end is respectively connected resistor R3 diode D1 the anode and cathode of the diode D2 diode D2 anode and cathode of the diode D3 is connected. The protection circuit of power module of the invention in the computer, when the output of the circuit Vo is short circuited, the output voltage is 0V Vo, a triode Q1 off, MOS tube Q2 with shutdown, the output voltage is 0, short-circuit current is 0, a self-locking state, so as to play the role of protection.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护电路，具体是一种计算机内电源模块保护电路。
技术介绍
电源作为一切电子产品的供电设备，除了性能要满足供电产品的要求外，其自身的保护措施也非常重要，如过压、过流、过热保护等，一旦电子产品出现故障时，如电子产品输入侧短路或输出侧开路时，则电源必须关闭其输出电压，才能保护功率MOSFET和输出侧设备等不被烧毁，否则可能引起电子产品的进一步损坏，甚至引起操作人员的触电及火灾等现象。计算机作为一种较为昂贵的电子设备，其内部的电源安全性尤其重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种计算机内电源模块保护电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种计算机内电源模块保护电路，包括三极管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C1、二极管D1和DC/DC电路，所述电阻R1分别连接电源VCC和MOS管Q2的S极，电阻R1另一端分别连接MOS管Q2的G极和电阻R2，电阻R2另一端连接三极管Q1集电极，三极管Q1发射极分别连接电容C1和电阻R5，电容C1另一端分别连接电阻R5另一端和电阻R4并接地，电阻R4另一端分别连接三极管Q1基极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接二极管D1负极和二极管D2负极，二极管D2正极连接二极管D3正极，二极管D3负极分别连接DC/DC电路输出端和输出端Vo，DC/DC电路输入端连接MOS管Q2的D极，所述二极管D1正极连接输入信号Vi。作为本专利技术进一步的方案：所述输入信号Vi能够为高电平或者低电平。作为本专利技术进一步的方案：所述低电平输入信号Vi来自单片机I/O口。作为本专利技术进一步的方案：所述电源VCC电压为9V。作为本专利技术再进一步的方案：所述二极管D3为稳压二极管。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术计算机内电源模块保护电路，当电路输出端Vo发生短路时，输出端Vo电压为0V，三极管Q1关断，MOS管Q2也随着关断，输出电压为0，短路电流为0，形成自锁状态，从而起到保护的作用。附图说明图1为计算机内电源模块保护电路的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。按照图1所示参数搭建电路，本专利技术实施例中，一种计算机内电源模块保护电路，包括三极管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C1、二极管D1和DC/DC电路，所述电阻R1分别连接电源VCC和MOS管Q2的S极，电阻R1另一端分别连接MOS管Q2的G极和电阻R2，电阻R2另一端连接三极管Q1集电极，三极管Q1发射极分别连接电容C1和电阻R5，电容C1另一端分别连接电阻R5另一端和电阻R4并接地，电阻R4另一端分别连接三极管Q1基极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接二极管D1负极和二极管D2负极，二极管D2正极连接二极管D3正极，二极管D3负极分别连接DC/DC电路输出端和输出端Vo，DC/DC电路输入端连接MOS管Q2的D极，所述二极管D1正极连接输入信号Vi。所述输入信号Vi能够为高电平或者低电平。所述低电平输入信号Vi来自单片机I/O口。所述电源VCC电压为9V。所述二极管D3为稳压二极管。本专利技术电路为计算机内部的电源模块的保护电路，计算机开机时，电源VCC接通，通过计算机内的单片机(图1中未示出)给输入信号Vi置高电平，此时三极管Q1导通，MOS管Q2也导通，DC/DC电路工作，输出端Vo输出稳定的直流电压对外供电，三极管Q1通过二极管D1、二极管D2和电阻R3维持导通，从开机到此时的最短时间可以通过电路参数计算得出，到达上述状态后，单片机通过延时设置，将输入信号Vi设置低电平。当输出端Vo发生短路时，输出端Vo电压为0V，三极管Q1关断，MOS管Q2也随着关断，输出电压为0，短路电流为0，形成自锁状态，从而起到保护的作用；电容C1的作用是利用其充电电流提高三极管Q1的导通速度，从而提高电路的反应速度，提升电路的安全性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机内电源模块保护电路，包括三极管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C1、二极管D1和DC/DC电路，其特征在于，所述电阻R1分别连接电源VCC和MOS管Q2的S极，电阻R1另一端分别连接MOS管Q2的G极和电阻R2，电阻R2另一端连接三极管Q1集电极，三极管Q1发射极分别连接电容C1和电阻R5，电容C1另一端分别连接电阻R5另一端和电阻R4并接地，电阻R4另一端分别连接三极管Q1基极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接二极管D1负极和二极管D2负极，二极管D2正极连接二极管D3正极，二极管D3负极分别连接DC/DC电路输出端和输出端Vo，DC/DC电路输入端连接MOS管Q2的D极，所述二极管D1正极连接输入信号Vi。

【技术特征摘要】
1.一种计算机内电源模块保护电路，包括三极管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C1、二极管D1和DC/DC电路，其特征在于，所述电阻R1分别连接电源VCC和MOS管Q2的S极，电阻R1另一端分别连接MOS管Q2的G极和电阻R2，电阻R2另一端连接三极管Q1集电极，三极管Q1发射极分别连接电容C1和电阻R5，电容C1另一端分别连接电阻R5另一端和电阻R4并接地，电阻R4另一端分别连接三极管Q1基极和电阻R3，电阻R3另一端分别连接二极管D1负极和二极管D2负极，二极管D2正极连接二极管D3正极，二极管D3负...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：河南时代云通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41