智能老化负载制造技术

技术编号:15152338 阅读:68 留言:0更新日期:2017-04-11 16:27
本实用新型专利技术公开了一种智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块。本实用新型专利技术通过电流采样模块和电压采样模块采集电流和电压信号,然后和预设的指标比较,通过动态调整14脚PWM的占空比,来调节主功率MOSFET的G极信号,实现全程老化过程中负载的精确恒定。本实用新型专利技术采用数字电路和模拟电路配合,由MCU单片机实现全程控制,达到动态改变老化模式的要求,并通过按键自主设置对应的老化指标,实现单独的指标设置和报警功能。本实用新型专利技术成本低廉,配置灵活,人工成本需求低,并可以为不同规模的企业带来极高的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及产品老化辅助设备,具体地说是一种智能老化负载
技术介绍
生产型企业在生产过程中必定会涉及到生产产品的老化问题,现有企业一般采用与产品相配的大功率电阻来实现老化,或者采用高档电子负载来实现老化。采用电阻模式老化,最大的缺点在于电阻值会随着温度变化而变化,所以在整个产品老化过程中,其负载一直在动态变化,而且采用电阻老化,不可避免为了配合产品,好几个电阻采用串联或者并联方式达到预设负债的目的,而且,在老化过程中,产品指标出现问题,不能反馈给管理者,势必需要安排专门的人员,不定时的去巡检,造成人员的浪费。采用电子负载方式来实现老化虽然可以实现全程高精度负载功能,但是显然其成本不是一般企业可以承受的,而且体积巨大。
技术实现思路
本技术要解决的是现有技术存在的生产型企业在产品老化过程中碰到的负载选择难,成本高,人工需求大的问题问题,旨在提供一种智能老化负载。为解决上述问题,本技术采用以下技术方案:智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块,所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连接到被老化电源的输出端与地之间,其特征在于:所述的电流采样模块采集主功率MOSFET的源极电流信号,并输出电流采样信号到MCU;所述的电压采样模块采集主功率MOSFET的漏极电压信号,并输出电压采样信号到电压选择模块;所述的电压选择模块接收MCU的控制信号,选择相应的电压采样信号,并输出到CV控制模块和MCU;所述的MCU检测到电流采样信号和电压采样信号,产生PWM控制信号控制所述的CC控制模块、CV控制模块和模式转换开关模块;所述的CC控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒流模式时,驱动主功率MOSFET;所述的CV控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒压模式时,驱动主功率MOSFET;所述的模式转换开关根据MCU的控制信号,选择导通CC控制模块和CV控制模块的输出信号,通过动态调整PWM的占空比来调节所述的主功率MOSFET的栅极信号实现被老化电源的老化测试;所述的串转并信号模块接收MCU输出的串行信号并转化为并行输出到显示模块。本技术的智能老化负载,通过电流采样模块和电压采样模块采集电流和电压信号,然后和预设的指标比较,通过动态调整14脚PWM的占空比,来调节主功率MOSFET的G极信号,实现全程老化过程中负载的精确恒定。本实用新型采用数字电路和模拟电路配合,由MCU单片机实现全程控制,达到动态改变老化模式的要求,并通过按键自主设置对应的老化指标,实现单独的指标设置和报警功能。与现有技术相比,本技术最大的优点是成本低廉,配置灵活,人工成本需求低。同时,由于本技术采用模块化设计,可以为不同规模的企业带来极高的生产效率。作为本技术的改进,所述的MCU产生的PWM控制信号经滤波电路输出到所述的CC控制模块和CV控制模块。作为本技术的进一步改进,智能老化负载还设有指示灯模块和/或蜂鸣报警模块,在老化指标超过预设值的时候实现报警功能。作为本技术的再进一步改进,智能老化负载还设有风扇散热模块,在温度超过设定值的时候开启风扇进行散热。作为本技术的再进一步改进,智能老化负载还设有用于给各模块电路供电的电源模块。所述的电源模块包括可控精密稳压电路、DC/DC变换器和三端稳压电路。可控精密稳压电路通过两个电阻精确设置输出电压为+12V,DC/DC变换器利用其反向器的功能提供-12V电压值,三端稳压电路提供+5V电压值,使电源模块能够满足本技术智能老化负载中的各模块的电源需要。作为本技术的再进一步改进,还设有通讯模块,用于连接PC或者智能老化负载自身。通过按键设置老化负载的地址和主从模式,本技术能够加入联网功能,配合PC电脑上位机软件实现数据采集、监测和管理功能。作为本技术的更进一步改进,所述的电流采样模块采集的电流信号通过运放后输入到MCU,该运放电路上还设有电流自动校正模块。该电流自动校正模块将运放器的输入负端箝位于零,从而提高电流信号的精度。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步说明。图1是本技术的电路结构图。图2是本技术的可控精密稳压电源的电路结构图。图3是本技术的DC/DC变换器的电路结构图。图4是本技术的三端稳压电路的电路结构图。图5是本技术的MCU的电路结构图。图6是本技术的MCU的外围电路图。图7是本技术的滤波电路、CC控制模块、电流采样模块和电流自动校正模块的电路结构图。图8是本技术的电压采样模块的电路结构图。图9是本技术的电压选择模块的电路结构图。图10是本技术的CV控制模块的电路结构图。图11是本技术的模式转换开关模块的电路结构图。图12是本技术的串转关信号模块的电路结构图。图13是本技术的显示模块的电路结构图。图14是本技术的通讯模块的电路结构图。图15是本技术的指示灯模块的电路结构图。图16是本技术的按键模块的电路结构图。图17是本技术的蜂鸣报警模块的电路结构图。图18是本技术的风扇散热模块的电路结构图。图19是本技术的电路框图。具体实施方式参照图1,本技术的智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块、按键模块、滤波电路、指示灯模块、蜂鸣报警模块、风扇散热模块、电源模块、通讯模块和电流自动校正模块,所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连接到被老化电源的输出端与地之间。参照图2、图3和图4,所述的电源模块包括可控精密稳压电路、DC/DC变换器和三端稳压电路。可控精密稳压电路通过调整电阻R58和R59的阻值精确设置输出电压为+12V。DC/DC变换器利用其反向器的功能可提供-12V电压值;三端稳压电路则提供+5V电压值。上述三个电源模块能够满足向本技术智能老化负载中的各模块供电的需要。参照图5和图6,MCU为本技术智能老化负载的本文档来自技高网...

【技术保护点】
智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块,所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连接到被老化电源的输出端与地之间,其特征在于:所述的电流采样模块采集主功率MOSFET的源极电流信号,并输出电流采样信号到MCU;所述的电压采样模块采集主功率MOSFET的漏极电压信号,并输出电压采样信号到电压选择模块;所述的电压选择模块接收MCU的控制信号,选择相应的电压采样信号,并输出到CV控制模块和MCU;所述的MCU检测到电流采样信号和电压采样信号,产生PWM控制信号控制所述的CC控制模块、CV控制模块和模式转换开关模块;所述的CC控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒流模式时,驱动主功率MOSFET;所述的CV控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒压模式时,驱动主功率MOSFET;所述的模式转换开关根据MCU的控制信号,选择导通CC控制模块和CV控制模块的输出信号,通过动态调整PWM的占空比来调节所述的主功率MOSFET的栅极信号实现被老化电源的老化测试;所述的串转并信号模块接收MCU输出的串行信号并转化为并行输出到显示模块。...

【技术特征摘要】
1.智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制
模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转
并信号模块、显示模块和按键模块,所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连
接到被老化电源的输出端与地之间,其特征在于:
所述的电流采样模块采集主功率MOSFET的源极电流信号,并输出电流采
样信号到MCU;
所述的电压采样模块采集主功率MOSFET的漏极电压信号,并输出电压采
样信号到电压选择模块;
所述的电压选择模块接收MCU的控制信号,选择相应的电压采样信号,并
输出到CV控制模块和MCU;
所述的MCU检测到电流采样信号和电压采样信号,产生PWM控制信号控
制所述的CC控制模块、CV控制模块和模式转换开关模块;
所述的CC控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模
式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒流模式时,驱动主功率MOSFET;
所述的CV控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模
式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒压模式时,驱动主功率MOSFET;
所述的模式转换开关根据MCU的控制信号,选择导通CC控制模块和CV<...

【专利技术属性】
技术研发人员:严海林吴海燕方洁苗
申请(专利权)人:浙江榆阳电子有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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