【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种控制装置，具体涉及一种谐振控制装置。
技术介绍
在现今的电源产业中，切换式电源供应器大多使用一种半桥式架构的驱动器，用以驱动外部的负载电路；原因在于使用半桥式架构可以将感应磁场工作于第一与第三象限中，而如前向式或反驰式架构则只能工作在第一象限中，比较起来，半桥式架构的驱动器很明显在工作效率上高很多。现有的半桥式驱动装置，大体皆设成如图1所示，包含一讯号控制器10、一第一电子开关12、一第二电子开关14与一谐振槽16，其中第一电子开关12与第二电子开关14皆为N通道金氧半场效晶体管。理论上，讯号控制器10控制第一电子开关12与第二电子开关14为交替式切换，即当第一电子开关12导通时，第二电子开关14关闭，使能量从高电压端VH储存于谐振槽16中，当第一电子开关12关闭时，第二电子开关14导通，使能量从谐振槽16中，释放于低电压端VL。然而，讯号控制器10其实并不稳定，在实际状况中，当第二电子开关14从导通状态欲变为关闭状态，但却仍是导通状态时，第一电子开关12亦会导通，使能量通往谐振槽16，造成第一电子开关12与第二电子开关14之间产生电流突波，以伤害第一电子开关12与第二电子开关14。此外，现有的全桥式驱动装置也有同样状况，全桥式驱动装置如图2所示，包含一讯号控制器18、一第一电子开关20、一第二电子开关22、一第三电子开关24、一第四电子开关26与一谐振槽...
【技术保护点】
一种谐振控制装置，其特征在于：包括一第一电子开关，电性连接一高电压端与一节点；一第二电子开关，电性连接所述节点与一低电压端，所述第二电子开关具有一寄生电容，所述寄生电容之一端电性连接所述低电压端，另一端电性连接所述节点；一谐振槽，电性连接所述节点，并储有谐振能量；以及一侦测控制器，电性连接所述低电压端、所述节点与所述第一电子开关，并接收所述节点之所述电压，在所述第二电子开关呈导通状态时，所述节点之电压为所述低电压端之低电压，所述侦测控制器依据所述节点之所述电压提供所述低电压给所述第一电子开关，使所述第一电子开关呈关闭状态，且所述谐振槽利用所述谐振能量产生一谐振电流流经所述第二电子开关。
【技术特征摘要】
1.一种谐振控制装置，其特征在于：包括一第一电子开关，电
性连接一高电压端与一节点；
一第二电子开关，电性连接所述节点与一低电压端，所述第二电
子开关具有一寄生电容，所述寄生电容之一端电性连接所述低电压
端，另一端电性连接所述节点；
一谐振槽，电性连接所述节点，并储有谐振能量；以及
一侦测控制器，电性连接所述低电压端、所述节点与所述第一电
子开关，并接收所述节点之所述电压，在所述第二电子开关呈导通状
态时，所述节点之电压为所述低电压端之低电压，所述侦测控制器依
据所述节点之所述电压提供所述低电压给所述第一电子开关，使所述
第一电子开关呈关闭状态，且所述谐振槽利用所述谐振能量产生一谐
振电流流经所述第二电子开关。
2.根据权利要求1所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第
二电子开关呈关闭状态时，所述谐振电流向所述寄生电容充电，以提
升所述节点之所述电压至大于所述低电压的一默认电压值，所述侦测
控制器依据所述默认电压值提供一第一数字讯号给所述第一电子开
关，使所述第一电子开关呈导通状态。
3.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于：更包含
一讯号控制器，其系具有第一端与第二端，所述第一端电性连接所述
侦测控制器，并透过一电隔离器电性连接所述第一电子开关，所述电
隔离器阻挡所述高电压端之高电压通往所述讯号控制器，所述第二端
电性连接所述第二电子开关，所述讯号控制器在一时间点于所述第一
\t端产生所述第一数字讯号，并在所述时间点于所述第二端产生一第二
数字讯号给所述第二电子开关，以依序控制所述第二电子开关呈所述
导通状态与关闭状态。
4.根据权利要求3所述的谐振控制装置，其特征在于：所述第
一电子开关与所述第二电子开关皆为N通道金氧半场效晶体管，所述
寄生电容为寄生汲源电容，所述第一数字讯号包含依序出现之高准位
电压讯号与低准位电压讯号，所述第二数字讯号包含依序出现之高准
位电压讯号与低准位电压讯号。
5.根据权利要求1所述的谐振控制装置，其特征在于：所述谐
振槽更包含：
一第一谐振电感，电性连接所述节点；
一第二谐振电感，串接所述第一谐振电感，并储有所述谐振能量；
以及
一谐振电容，串接所述第二谐振电感，并电性连接所述低电压端，
所述第一谐振电感、所述第二谐振电感与所述谐振电容利用所述谐振
能量产生所述谐振电流。
6.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦
测控制器更包含一P通道金氧半场效晶体管，其闸极电性连接所述节
点，汲极电性连接所述低电压端，源极电性连接所述第一电子开关，
并接收所述第一数字讯号；在所述节点之所述电压为所述低电压时，
所述P信道金氧半场效晶体管提供所述低电压给所述第一电子开关；
在所述节点之所述电压为所述默认电压值时，所述P通道金氧半场效
\t晶体管提供所述第一数字讯号给所述第一电子开关。
7.根据权利要求6所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦
测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述闸极与所
述节点。
8.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦
测控制器更包含一PNP双载子接面晶体管，其基极透过一第一电阻电
性连接所述节点，集极电性连接所述低电压端，射极电性连接所述第
一电子开关，并透过一第二电阻电性连接所述基极，所述射极接收所
述第一数字讯号；在所述节点之所述电压为所述低电压时，所述PNP
双载子接面晶体管提供所述低电压给所述第一电子开关；在所述节点
之所述电压为所述默认电压值时，所述PNP双载子接面晶体管提供所
述第一数字讯号给所述第一电子开关。
9.根据权利要求8所述的谐振控制装置，其特征在于：所述侦
测控制器更包含一二极管，其正极与负极分别电性连接所述第一电阻
与所述节点。
10.一种谐振控制装置，其特征在于：一第一电子开关，电性连
接一高电压端与一第一节点；
一第二电子开关，电性连接一低电压端；
一第三电子开关，电性连接所述高电压端与所述第二电子开关；
一第四电子开关，电性连接所述低电压端与所述第一节点，所述
第三电子开关与所述第四电子开关之开关状态相同，所述第四电子开
关具有一第一寄生电容，所述第一寄生电容之一端电性连接所述低电
\t压端，另一端电性连接所述第一节点；
一谐振槽，电性连接所述第一节点、所述第一电子开关、所述第
二电子开关、所述第三电子开关与所述第四电子开关；以及
一第一侦测控制器，电性连接所述低电压端、所述第一节点、所
述第一电子开关与所述第二电子开关，并接收所述第一节点之第一电
压，在所述第三电子开关与所述第四电子开关呈导通状态时，所述第
一电压为所述低电压端之低电压，所述第一侦测控制器依据所述第一
电压提供所述低电压给所述第一电子开关与所述第二电子开关，使所
述第一电子开关与所述第二电子开关呈关闭状态，且所述高电压端产
生一第一谐振电流，以依序流经所述第三电子开关、所述谐振槽、所
述第四电子开关与所述低电压端。
11.根据权利要求10所述的谐振控制装置，其特征在于：所述
第三电子开关与所述第四电子开关呈关闭状态时，所述第一谐振电流
向所述第一寄生电容充电，以提升所述第一电压至大于所述低电压的
一第一默认电压值，所述第一侦测控制器依据所述第一默认电压值提
供一第一数字讯号给所述第一电子开关与所述第二电子开关，使所述
第一电子开关与所述第二电子开关呈导通状态。
12.根据权利要求11所述的谐振控制装置，其特征在于：更包
含一第二侦测控制器，其系电性连接所述低电压端、所述第二电子开
关与所述第三电子开关之间的一第二节点、所述第三电子开关与所述
第四电子开关，所述第二电子开关具有一第二寄生电容，所述第二寄
生电容之一端电性连接所述低电压端，另一端电性连接所述第二节
\t点，所述谐振槽电性连接所述第二节点，所述第二侦测控制器接收所
述第二节点之第二电压；在所述第一电子开关与所述第二电子开关呈
所述导通状态时，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱致翔，叶锦松，
申请(专利权)人：明纬广州电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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