像素电路、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素电路、显示面板及显示装置，像素电路包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容以及发光二极管，其中，所述驱动晶体管为双栅结构，所述驱动晶体管的顶栅连接至第一参考电压源，所述驱动晶体管的底栅通过所述开关晶体管连接至数据信号，所述驱动晶体管的第一电极连接至第一参考电压源，所述驱动晶体管的第二电极通过所述发光二极管连接至第二参考电压源；通过将驱动晶体管的顶栅与第一参考电压源连接，增加了驱动晶体管的迁移率，同时保持漏电流基本没有变化，从而达到提升IGZO工艺器件的迁移率，提高半导体器件的驱动能力的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体涉及一种像素电路、显示面板及显示装置。
技术介绍
IGZO(indiumgalliumzincoxide)是铟镓锌氧化物的缩小，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料，是金属氧化物(Oxide)面板技术的一种。利用IGZO技术可以使显示屏功耗接近OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)，但成本更低，厚度也只比OLED高出25％，且分辨率可以达到全高清(fullHD，1920*1080P)乃至超高清(UltraDefinition，分辨率4k*2k)级别程度。IGZO是目前非常热门的应用于OLED显示器中驱动TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的衬底材质，相对于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)工艺的背板技术，基于IGZO工艺的TFT具有均匀性好，适合大尺寸显示等优点；但是IGZO工艺TFT的迁移率较低，而AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极管)显示作为电流驱动的器件，是需要较大的迁移率。现有技术一般通过工艺的提高和改进来提高IGZO的迁移率，但是其本身具有一定的极限，对于迁移率的提高效果不是很好。因此，如何提高IGZO工艺TFT的迁移率是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素电路、显示面板及显示装置，提升IGZO工艺器件的迁移率，从而提高半导体器件的驱动能力。为实现上述目的，本专利技术提供一种像素电路，包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容以及发光二极管，其中，所述驱动晶体管为双栅结构，所述驱动晶体管的顶栅连接至一第一参考电压源，所述驱动晶体管的底栅通过所述开关晶体管连接至数据信号，所述驱动晶体管的第一电极连接至一第一参考电压源，所述驱动晶体管的第二电极通过所述发光二极管连接至一第二参考电压源。可选的，所述驱动晶体管的第二电极连接至所述发光二极管的阳极，所述发光二极管的阴极连接至所述第二参考电压源。可选的，所述开关晶体管的栅极连接至扫描信号，所述开关晶体管的第一电极连接至数据信号，所述开关晶体管的第二电极连接至所述驱动晶体管的底栅。可选的，所述存储电容的一端连接至所述驱动晶体管的底栅，所述存储电容的另一端连接至所述驱动晶体管的第一电极。可选的，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极；或者，所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极。可选的，所述驱动晶体管为金属氧化物薄膜晶体管。可选的，所述驱动晶体管包括依次设置于基板上的栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、刻蚀阻挡层、源/漏极、钝化层以及导电层，其中，所述栅极为底栅，一部分所述源/漏极作为顶栅。可选的，所述金属氧化物半导体层为IGZO层。相应的，本专利技术还提供一种显示面板，包括上述的像素电路。相应的，本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。与现有技术相比，本专利技术提供的像素电路、显示面板及显示装置，将驱动晶体管设置为双栅结构，其中顶栅连接至第一参考电压源，底栅通过开关晶体管连接至数据信号，第一电极连接至第一参考电压源，第二电极通过所述开关晶体管连接至第二参考电压源，通过将驱动晶体管的顶栅与第一参考电压源连接，增加了驱动晶体管的迁移率，同时保持漏电流基本没有变化，从而达到提升IGZO工艺器件的迁移率，提高半导体器件的驱动能力的目的。附图说明图1为本专利技术一实施例所提供的像素电路的结构示意图；图2为本专利技术一实施例所提供的驱动晶体管的截面图；图3为本专利技术一实施例所提供的Id-Vg曲线示意图。具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容做进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本专利技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本专利技术的限定。本专利技术的核心思想在于，将驱动晶体管设置为双栅结构，其中顶栅连接至第一参考电压源，底栅通过开关晶体管连接至数据信号，第一电极连接至第一参考电压源，第二电极通过所述开关晶体管连接至第二参考电压源，通过将驱动晶体管的顶栅与第一参考电压源连接，增加了驱动晶体管的迁移率，同时保持漏电流基本没有变化，从而达到提升IGZO工艺器件的迁移率，提高半导体器件的驱动能力的目的。图1为本专利技术一实施例所提供的像素电路的结构示意图，如图1所示，本专利技术提出一像素电路，包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、存储电容C以及发光二极管OLED，其中，所述驱动晶体管DR为双栅结构，所述驱动晶体管DR的顶栅连接至一第一参考电压源VDD，所述驱动晶体管DR的底栅通过所述开关晶体管SW连接至数据信号VDTAT，所述驱动晶体管DR的第一电极连接至一第一参考电压源VDD，所述驱动晶体管DR的第二电极通过所述发光二极管OLED连接至一第二参考电压源VSS。具体的，所述驱动晶体管DR的顶栅连接至第一参考电压源VDD，所述驱动晶体管DR的底栅连接至所述开关晶体管SW的第二电极，所述驱动晶体管DR的第一电极连接至第一参考电压源VDD，所述驱动晶体管DR的第二电极连接至所述发光二极管OLED的阳极，所述发光二极管OLED的阴极连接至第二参考电压源VSS。所述开关晶体管SW的栅极连接至扫描信号SCAN，所述开关晶体管SW的第一电极连接至数据信号VDTAT，所述开关晶体管SW的第二电极连接至所述驱动晶体管DR的底栅。所述存储电容C的一端连接至所述驱动晶体管DR的底栅，所述存储电容C的另一端连接至所述驱动晶体管DR的第一电极。本实施例中，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极；或者所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极。本专利技术所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。优选的，所述驱动晶体管DR与所述开关晶体管SW均为薄膜晶体管，更优选的，所述驱动晶体管DR与所述开关晶体管SW均为金属氧化物薄膜晶体管。本专利技术通过将驱动晶体管的顶栅与第一参考电压源连接，增加了驱动晶体管的迁移率，同时保持漏电流基本没有变化，从而达到提升IGZO工艺器件的迁移率，提高半导体器件的驱动能力的目的。图2为本专利技术一实施例所提供的驱动晶体管的截面图，如图2所示，所述驱动晶体管DR包括依次设置于基板200上的栅极201、栅极绝缘层202、金属氧化物半导体层203、刻蚀阻挡层(etchstoplayer，ESL)204、源/漏极205、钝化层(passivation，PVX)206以及导电层207，其中，所述栅极201为底栅，一部分所述源极205或漏极205作为顶栅。具体的，在所述基板200上形成有栅极材料，通过曝光与刻蚀形成所述栅极201；在所述栅极201以及暴露出的所述基板200上形成有栅极绝缘层202；在所述栅极绝缘层202上形成有金属氧化物半导体材料，通过曝光与刻蚀形成所述金属氧化物半导体层203，所述金属氧化物半导体层203位于所述栅极201的正上方；然后在所述金属氧化物半导体层203以及暴露出的栅极绝缘层202上形成刻蚀阻挡层204，在所述刻蚀阻挡层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容以及发光二极管，其中，所述驱动晶体管为双栅结构，所述驱动晶体管的顶栅连接至第一参考电压源，所述驱动晶体管的底栅通过所述开关晶体管连接至数据信号，所述驱动晶体管的第一电极连接至一第一参考电压源，所述驱动晶体管的第二电极通过所述发光二极管连接至一第二参考电压源。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容以及发光二极管，其中，所述驱动晶体管为双栅结构，所述驱动晶体管的顶栅连接至第一参考电压源，所述驱动晶体管的底栅通过所述开关晶体管连接至数据信号，所述驱动晶体管的第一电极连接至一第一参考电压源，所述驱动晶体管的第二电极通过所述发光二极管连接至一第二参考电压源。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管的第二电极连接至所述发光二极管的阳极，所述发光二极管的阴极连接至所述第二参考电压源。3.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述开关晶体管的栅极连接至扫描信号，所述开关晶体管的第一电极连接至一数据信号，所述开关晶体管的第二电极连接至所述驱动晶体管的底栅。4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述存储电容的一端连接至所述驱动晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张九占，蔡世星，胡思明，朱晖，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32