一种基于第二代QR技术的PWM控制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于第二代QR技术的PWM控制器，包括控制器单元，功率因素校正单元，变压器。所述控制器单元的第一引脚端与输入端连接，输入端通过第三电容接地，还通过第二MOS管与功率因素校正单元连接；第二MOS管的S极通过第四电阻接地；所述输入端还与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极通过第一电阻与功率因素校正单元的误差放大器反向输入端连接，第一电阻还通过第二电阻接地；所述控制器单元的第七引脚与功率因素校正单元的电源输入端连接，为功率因素校正单元供电；所述控制器单元的第五引脚与第一MOS管的门极连接，第一MOS管的S极接地；所述变压器的原边侧为输入端，副边侧为直流电源输出端。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及PWM控制器
，尤其涉及一种基于第二代QR技术的PWM控制器。
技术介绍
在现有的PWM控制器中，为了进一步提高电能的使用效率，通常会在AC/DC转换电路中加入PFC单元，对电路的功率因素进行校正，提高电能质量，利用效率等。但是在较低负载的情况下，PFC单元的运行反而会增加控制器自身的能耗。因此，现有技术还有待发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种基于第二代QR技术的PWM控制器，旨在解决现有技术中PWM控制器在低功率状态下效率较低的问题。为了达到上述目的，本技术采取了以下技术方案：一种基于第二代QR技术的PWM控制器，其中，所述PWM控制器包括：具有8个端口的控制器单元，功率因素校正单元，变压器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容；第一二极管、第二二极管以及第一MOS管、第二MOS管；所述控制器单元的第一引脚端与输入端连接，输入端通过第三电容接地，还通过第二MOS管与功率因素校正单元连接；第二MOS管的S极通过第四电阻接地；所述输入端还与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极通过第一电阻与功率因素校正单元的误差放大器反向输入端连接，第一电阻还通过第二电阻接地；所述控制器单元的第七引脚与功率因素校正单元的电源输入端连接，为功率因素校正单元供电；所述控制器单元的第五引脚与第一MOS管的门极连接，第一MOS管的S极接地；所述变压器的原边侧为输入端，一端与所述第一二极管的正极连接，另一端与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极分别通过第三电阻和第二电容与第一正极管的正极连接；副边侧为直流电源输出端，所述功率因素校正单元为SF6252。所述的基于第二代QR技术的PWM控制器，其中，所述控制器单元采用SOP8封装。所述的基于第二代QR技术的PWM控制器，其中，所述控制器单元的第一引脚为高压启动引脚，与大容量电容器连接；第二引脚为电压反馈引脚，第三引脚为电流输入引脚；PWM的占空因素由所述第二引脚和第三引脚获取的电压、电流信息生成；第四引脚为接地引脚；第五引脚为图腾柱式输出端，驱动外部的第一MOS管；第六引脚为所述控制器单元的电源输入端，第七引脚为电源输出端，为功率因素校正单元供电；第八引脚为过压输出保护。有益效果：本技术提供的一种基于第二代QR技术的PWM控制器，结合第二QR技术的控制器单元，能够在低负载状态下关闭PFC单元，保持较高的工作效率，整个应用电路具有良好的应用前景。附图说明图1为本技术具体实施例的基于第二代QR技术的PWM控制器的电路图。具体实施方式本技术提供一种基于第二代QR技术的PWM控制器。为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，为本技术具体实施例的一种基于第二代QR技术的PWM控制器。在本实施例中，所述控制器为非在线的AC/DC反驰式转换器，可以用于AC/DC转换，或者为SMPS供电。所述PWM控制器包括：具有8个端口的控制器单元100，功率因素校正单元200，变压器300、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3；第一二极管D1、第二二极管D2以及第一MOS管Q1、第二MOS管Q2。所述控制器单元的第一引脚端1与输入端连接，输入端通过第三电容C3接地，还通过第二MOS管Q2与功率因素校正单元200连接。第二MOS管Q2的S极通过第四电阻R4接地。所述输入端还与第一二极管D1的负极连接，第一二极管的正极通过第一电阻与功率因素校正单元的误差放大器反向输入端连接，第一电阻还通过第二电阻接地。所述控制器单元的第七引脚与功率因素校正单元的电源输入端连接，为功率因素校正单元供电；所述控制器单元的第五引脚与第一MOS管的门极连接，第一MOS管的S极接地；所述变压器的原边侧为输入端，一端与所述第一二极管的正极连接，另一端与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极分别通过第三电阻和第二电容与第一正极管的正极连接；副边侧为直流电源输出端，所述功率因素校正单元为SF6252。其具体的引脚连接如图1所示，具体的，所述控制器单元100采用SOP8封装。更具体的，所述控制器单元的8个引脚具体功能为：第一引脚为高压启动引脚，与大容量电容器连接；第二引脚为电压反馈引脚，第三引脚为电流输入引脚；PWM的占空因素由所述第二引脚和第三引脚获取的电压、电流信息生成；第四引脚为接地引脚；第五引脚为图腾柱式输出端，驱动外部的第一MOS管；第六引脚为所述控制器单元的电源输入端，第七引脚为电源输出端，为功率因素校正单元供电；第八引脚为过压输出保护。在实际使用过程中，输入一端为整流桥的输出端，在变压器的副边侧形成直流输出端(DC OUT)。在较低负载的情况下，通过控制器单元100控制功率因素校正单元关闭，保持较高的效率。可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本技术的技术方案及本技术构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本技术所附的权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于第二代QR技术的PWM控制器，其特征在于，所述PWM控制器包括：具有8个端口的控制器单元，功率因素校正单元，变压器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容；第一二极管、第二二极管以及第一MOS管、第二MOS管；所述控制器单元的第一引脚端与输入端连接，输入端通过第三电容接地，还通过第二MOS管与功率因素校正单元连接；第二MOS管的S极通过第四电阻接地；所述输入端还与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极通过第一电阻与功率因素校正单元的误差放大器反向输入端连接，第一电阻还通过第二电阻接地；所述控制器单元的第七引脚与功率因素校正单元的电源输入端连接，为功率因素校正单元供电；所述控制器单元的第五引脚与第一MOS管的门极连接，第一MOS管的S极接地；所述变压器的原边侧为输入端，一端与所述第一二极管的正极连接，另一端与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极分别通过第三电阻和第二电容与第一正极管的正极连接；副边侧为直流电源输出端，所述功率因素校正单元为SF6252。

【技术特征摘要】
1.一种基于第二代QR技术的PWM控制器，其特征在于，所述PWM控制器包括：具有8个端口的控制器单元，功率因素校正单元，变压器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容；第一二极管、第二二极管以及第一MOS管、第二MOS管；所述控制器单元的第一引脚端与输入端连接，输入端通过第三电容接地，还通过第二MOS管与功率因素校正单元连接；第二MOS管的S极通过第四电阻接地；所述输入端还与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极通过第一电阻与功率因素校正单元的误差放大器反向输入端连接，第一电阻还通过第二电阻接地；所述控制器单元的第七引脚与功率因素校正单元的电源输入端连接，为功率因素校正单元供电；所述控制器单元的第五引脚与第一MOS管的门极连接，第一MOS管的S极接地；所述变压器的原边侧为输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈晓东，
申请(专利权)人：深圳市通宝微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44