The invention relates to a method for improving linearity and sensitivity of piezoresistive displacement sensor, belonging to the technical field of measurement. The method of solution mixing method and extrusion curing package prepared piezoresistive displacement sensitive components of composite materials based on carbon black filled polyethylene; two piezoresistive displacement sensor sensitive element as a sub unit is placed on the opposite side of the measured workpiece and applying the initial deformation, the deformation of the two sub units change with displacement on the contrary and in the area of piezoresistive sensitivity curve of the largest; the adjacent bridge arm two sub unit placed on the bridge. This method makes full use of the characteristics of sensitive material itself, does not require software compensation can effectively improve the linearity, but also can improve the sensitivity, suitable for the national defense and industrial equipment of large narrow and small surface layer displacement measurement etc..
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于测量
,特别涉及到压阻传感器和位移测量。
技术介绍
压阻位移传感器在现代工程领域起着重要作用,导电高分子复合材料作为一种具有压阻效应的新型功能材料,是制备压阻位移传感器常用的敏感材料。然而,复合材料的压阻曲线是非线性的,故而降低了系统性能,而且,基于这种材料的压阻位移传感器的灵敏度也亟需提高。为了提高压阻位移传感器的线性度,传统的方法是采用软件补偿,但这种方法增加了系统复杂性,没有充分利用敏感材料本身的特性,而且在改善线性度的同时,并不能提高传感器的灵敏度。
技术实现思路
本专利技术的目的是为克服已有技术的不足之处,提出一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:利用溶液混合法和挤压硫化封装法将炭黑和聚乙烯混合制备为压阻位移敏感元件,炭黑的粒径小于50纳米,炭黑和聚乙烯的体积比为介于2.5%到3.5%之间,以确保压阻位移敏感元件的压阻曲线单调且具有最大灵敏度;将所述的压阻位移敏感元件作为1号子单元置于被测工件的正面,将另一个结构与1号子单元相同的压阻位移敏感元件作为2号子单元置于被测工件的反面,并对1号子单元和2号子单元施加初始形变,以确保1号子单元和2号子单元在位移变化过程中的形变变化趋势相反且处于压阻曲线灵敏度最大的区域;将1号子单元和2号子单元置于电桥的相邻桥臂。本专利技术的特点及效果:与传统的提高传感器线性度的方法相比,本专利技术所提出的方法,充分利用了敏感材料本身的特性,不需要软件补偿,就可有效提高线性度,而且还可同时提高灵敏度,适合应用于国防与工业大型设备狭小曲面层间位移测量等领域。附图说明图1 ...
【技术保护点】
一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:利用溶液混合法和挤压硫化封装法将炭黑和聚乙烯混合制备为压阻位移敏感元件,炭黑的粒径小于50纳米,炭黑和聚乙烯的体积比为介于2.5%到3.5%之间;将所述的压阻位移敏感元件作为1号子单元置于被测工件的正面,将另一个结构与1号子单元相同的压阻位移敏感元件置于被测工件的反面作为2号子单元,并对1号子单元和2号子单元施加初始形变;将1号子单元和2号子单元分别放置于电桥的相邻桥臂。
【技术特征摘要】
1.一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:利用溶液混合法和挤压硫化封装法将炭黑和聚乙烯混合制备为压阻位移敏感元件,炭黑的粒径小于50纳米,炭黑和聚乙烯的体积比为介于2.5%到3.5%之间;...
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