一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统，其特征在于，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，极性电容C2，极性电容C19，极性电容C18，电阻R14，脉宽调制电路，比较放大电路，电压检测电路，压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成。本发明专利技术能提高逆变后的电压的耐压性和动态范围，并且能将逆变后的电压电流的中间零点偏移控制在0.5nA以内，从而确保了本发明专利技术输出的交流电压的稳定性；并且本发明专利技术还能降低逆变时电压电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输出电流的异常波动，从而提高了本发明专利技术的负载能力，即本发明专利技术的负载能力为额定负载的80‑95％。

Pulse width adjustable inverter system based on overvoltage protection circuit

The invention discloses an overvoltage protection circuit based on pulse width adjustable type inverter system, characterized mainly by the inverter chip U, T transformer, VT1 transistor, capacitor polarity C2 polarity capacitor C19 polarity capacitor C18, resistor R14, pulse width modulation circuit, comparison amplifying circuit, voltage detection circuit, voltage controlled oscillator circuit and overvoltage protection circuit is connected in series between the negative voltage controlled oscillator circuit and a polar capacitor consisting of C18. The invention can improve the dynamic range of pressure and voltage of the inverter, and the intermediate voltage current inverter after the zero offset control within 0.5nA, so as to ensure the stability of the AC voltage output by the invention; and the invention can reduce the inverter voltage and current leakage current and current loss, abnormal fluctuations and suppression of the output current, thus improving the load capacity of the invention, the invention is the load capacity of the rated load of 80 95%.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体的说，是一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统。
技术介绍
逆变系统是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220V，50Hz正弦波)。逆变系统广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑、电视、洗衣机、抽油烟机、冰箱，录像机、按摩器、风扇、照明等。随着科技的发展，上述的电子产品也在不断的发展，因此对逆变系统输出电压的稳定性和负载能力的要求也越来越高。然而，现有的逆变系统逆变后输出的交流电压不稳定；并且现有的逆变系统还存在的负载能力差的问题，即现有的逆变系统仅为额定负载的40-60％，不能满足人们的要求。因此，提供一种既能输出稳定的电压，又能提高负载能力的逆变系统是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的现有的逆变系输出的电压不稳定，负载能力差的缺陷，提供的一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电感L1后与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R1后与极性电容C1的负极相连接的二极管D1，一端与逆变芯片U的COUT管脚相连接、另一端与逆变芯片U的REF管脚相连接的电阻R3，负极与逆变芯片U的DT管脚相连接、正极与逆变芯片U的REF管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R2后与极性电容C3的正极相连接、负极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的极性电容C2，正极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、负极接地的极性电容C19，N极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、P极与极性电容C19的负极相连接的稳压二极管D13，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极经电感L2后与极性电容C19的负极相连接的极性电容C18，负极经电阻R24后与逆变芯片U的VCC管脚相连接、正极与逆变芯片U的C2管脚相连接的极性电容C17，一端与逆变芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R14，分别与二极管D1的N极和逆变芯片U以及与极性电容C2的正极相连接的比较放大电路，与逆变芯片U相连接的电压检测电路，串接在比较放大电路与电压检测电路之间的脉宽调制电路，分别与逆变芯片U的C1管脚和E1管脚以及变压器T相连接的压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成；所述极性电容C2的负极与逆变芯片U的+IN2管脚相连接后接地；所述三极管VT1的集电极分别与极性电容C17的负极和逆变芯片U的C1管脚相连接；所述压控振荡电路还与电压检测电路相连接；所述变压器T副边电感线圈的非同名端与稳压二极管D13的P极共同形成输出端。所述脉宽调制电路由三极管VT11，三极管VT12，正极经电阻R36后与三极管VT11的发射极相连接、负极经电阻R37后与三极管VT11的基极相连接的极性电容C24，N极与极性电容C24的正极相连接、P极与极性电容C24的负极相连接的二极管D18，正极与三极管VT11的集电极相连接、负极经电阻R39后与三极管VT12的集电极相连接的极性电容C25，一端与极性电容C25的负极相连接、另一端与三极管VT12的集电极相连接的电感L3，P极经电阻R38后与三极管VT11的集电极相连接、N极经电阻R40后与三极管VT12的集电极相连接的二极管D19，一端与二极管D19的P极相连接、另一端接地的电阻R42，正极经电阻R41后与三极管VT12的基极相连接、负极接地的极性电容C26，正极与三极管VT12的发射极相连接、负极接地的极性电容C27，以及一端与三极管VT12的发射极相连接、另一端与极性电容C27的负极相连接的电阻R43组成；所述极性电容C24的负极接地；所述二极管D18的N极与比较放大电路相连接；所述极性电容C26的正极与二极管D19的P极相连接；所述三极管VT12的集电极作为脉宽调制电路的输出端并与电压检测电路相连接。进一步的，所述过压保护电路由场效应管MOS2，三极管VT9，三极管VT10，正极经电阻R20后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R27后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C20，P极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接、N极顺次经电阻R29和电阻R31后与三极管VT9的基极相连接的二极管D14，正极与三极管VT9的基极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C21，N极与三极管VT10的发射极相连接后接地、P极经电阻R33后与极性电容C21的负极相连接的二极管D16，N极与三极管VT9的基极相连接、P极经电阻R34后与三极管VT10的集电极相连接的二极管D15，一端与极性电容C21的负极相连接、另一端与二极管D15的P极相连接的可调电阻R32，正极经电阻R30后与场效应管MOS2的漏极相连接、负极接地的极性电容C22，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极与二极管D15的P极相连接的极性电容C23，P极与场效应管MOS2的漏极相连接、N极经电阻R35后与三极管VT10的集电极相连接的稳压二极管D17，以及一端与稳压二极管D17的N极相连接、另一端与三极管VT10的基极相连接的热敏电阻RT组成；所述三极管VT9的发射极接地；所述场效应管MOS2的源极还与压控振荡电路相连接；所述稳压二极管D17的N极与极性电容C18的负极相连接。所述比较放大电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，N极与极性电容C2的正极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D2，负极经电阻R5后与三极管VT3的基极相连接、正极与三极管VT2的基极相连接的极性电容C4，P极与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R6后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D3，正极与逆变芯片U的-IN2管脚相连接、负极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C5，N极与逆变芯片U的PWM管脚相连接、P极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接的二极管D5，负极与三极管VT3的发射极相连接、正极与二极管D5的P极相连接的极性电容C6，正极经电阻R8后与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C7，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极与三极管VT4的集电极相连接的二极管D4，以及一端与二极管D5的P极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接后接地的电阻R9组成；所述三极管VT3的基极还与二极管D1的N极相连接；所述二极管D1的P极和N极共同形成输入端；所述三极管VT4的发射极与二极管D18的N极相连接、其基极与逆变芯片U的-IN1管脚相连接。所述电压检测电路由三极管VT5，正极与三极管VT12的集电极相连接、负极接地的极性电容C8，P极与极性电容C8的负极相连接、N极经电阻R10后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接的二极管D6，P极经电阻R11后与逆变芯片U的+IN1管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D7，正极与逆变芯片U的CT管脚相连接、负极与三极管VT5的基极相连接的极性电容C9，一端与逆变芯片U的RT管脚相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统，其特征在于，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电感L1后与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R1后与极性电容C1的负极相连接的二极管D1，一端与逆变芯片U的COUT管脚相连接、另一端与逆变芯片U的REF管脚相连接的电阻R3，负极与逆变芯片U的DT管脚相连接、正极与逆变芯片U的REF管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R2后与极性电容C3的正极相连接、负极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的极性电容C2，正极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、负极接地的极性电容C19，N极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、P极与极性电容C19的负极相连接的稳压二极管D13，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极经电感L2后与极性电容C19的负极相连接的极性电容C18，负极经电阻R24后与逆变芯片U的VCC管脚相连接、正极与逆变芯片U的C2管脚相连接的极性电容C17，一端与逆变芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R14，分别与二极管D1的N极和逆变芯片U以及与极性电容C2的正极相连接的比较放大电路，与逆变芯片U相连接的电压检测电路，串接在比较放大电路与电压检测电路之间的脉宽调制电路，分别与逆变芯片U的C1管脚和E1管脚以及变压器T相连接的压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成；所述极性电容C2的负极与逆变芯片U的+IN2管脚相连接后接地；所述三极管VT1的集电极分别与极性电容C17的负极和逆变芯片U的C1管脚相连接；所述压控振荡电路还与电压检测电路相连接；所述变压器T副边电感线圈的非同名端与稳压二极管D13的P极共同形成输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统，其特征在于，主要由逆变芯片U，变压器T，三极管VT1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极接地的极性电容C1，P极经电感L1后与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R1后与极性电容C1的负极相连接的二极管D1，一端与逆变芯片U的COUT管脚相连接、另一端与逆变芯片U的REF管脚相连接的电阻R3，负极与逆变芯片U的DT管脚相连接、正极与逆变芯片U的REF管脚相连接的极性电容C3，正极经电阻R2后与极性电容C3的正极相连接、负极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的极性电容C2，正极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、负极接地的极性电容C19，N极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、P极与极性电容C19的负极相连接的稳压二极管D13，正极与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、负极经电感L2后与极性电容C19的负极相连接的极性电容C18，负极经电阻R24后与逆变芯片U的VCC管脚相连接、正极与逆变芯片U的C2管脚相连接的极性电容C17，一端与逆变芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R14，分别与二极管D1的N极和逆变芯片U以及与极性电容C2的正极相连接的比较放大电路，与逆变芯片U相连接的电压检测电路，串接在比较放大电路与电压检测电路之间的脉宽调制电路，分别与逆变芯片U的C1管脚和E1管脚以及变压器T相连接的压控振荡电路，以及串接在压控振荡电路与极性电容C18的负极之间的过压保护电路组成；所述极性电容C2的负极与逆变芯片U的+IN2管脚相连接后接地；所述三极管VT1的集电极分别与极性电容C17的负极和逆变芯片U的C1管脚相连接；所述压控振荡电路还与电压检测电路相连接；所述变压器T副边电感线圈的非同名端与稳压二极管D13的P极共同形成输出端。2.根据权利要求1所述的一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统，其特征在于，所述脉宽调制电路由三极管VT11，三极管VT12，正极经电阻R36后与三极管VT11的发射极相连接、负极经电阻R37后与三极管VT11的基极相连接的极性电容C24，N极与极性电容C24的正极相连接、P极与极性电容C24的负极相连接的二极管D18，正极与三极管VT11的集电极相连接、负极经电阻R39后与三极管VT12的集电极相连接的极性电容C25，一端与极性电容C25的负极相连接、另一端与三极管VT12的集电极相连接的电感L3，P极经电阻R38后与三极管VT11的集电极相连接、N极经电阻R40后与三极管VT12的集电极相连接的二极管D19，一端与二极管D19的P极相连接、另一端接地的电阻R42，正极经电阻R41后与三极管VT12的基极相连接、负极接地的极性电容C26，正极与三极管VT12的发射极相连接、负极接地的极性电容C27，以及一端与三极管VT12的发射极相连接、另一端与极性电容C27的负极相连接的电阻R43组成；所述极性电容C24的负极接地；所述二极管D18的N极与比较放大电路相连接；所述极性电容C26的正极与二极管D19的P极相连接；所述三极管VT12的集电极作为脉宽调制电路的输出端并与电压检测电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于过压保护电路的脉宽可调型逆变系统，其特征在于，所述过压保护电路由场效应管MOS2，三极管VT9，三极管VT10，正极经电阻R20后与场效应管MOS2的源极相连接、负极经电阻R27后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C20，P极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接、N极顺次经电阻R29和电阻R31后与三极管VT9的基极相连接的二极管D14，正极与三极管VT9的基极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C21，N极与三极管VT10的发射极相连接后接地、P极经电阻R33后与极性电容C21的负极相连接的二极管D16，N极与三极管VT9的基极相连接、P极经电阻R34后与三极管VT10的集电极相连接的二极管D15，一端与极性电容C21的负极相连接、另一端与二极管D15的P极相连接的可调电阻R32，正极经电阻R30后与场效应管MOS2的漏极相连接、负极接地的极性电容C22，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极与二极管D15的P极相连接的极性电容C23，P极与场效应管MOS2的漏极相连接、N极经电阻R35后与三极管VT10的集电极相连接的稳压二极管D17，以及一端与稳压二极管D17的N极...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都翰道科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51