一种非隔离型光伏并网逆变器制造技术

一种非隔离型光伏并网逆变器，包括：由光伏电池PV和电容C1并联组成的电路，该并联组成的电路的一端连接到电感L1的一端，并联组成的电路的另一端顺次连接到绝缘栅双极型晶体管IG1的发射极、电容Cd的一端、电容C3的一端、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的源极、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的源极。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种非隔离型光伏并网逆变器，属于光伏发电能源领域。
技术介绍
隔离型光伏并网逆变器体积大，效率不高，存在看诸多缺陷，非隔离型光伏并网逆变器结构不含变压器，具有变换效率高，体积小，重量轻，成本低的绝对优势，但是，存在共模电流干扰的问题。本技术正是针对该问题而提出的。在抑制共模电流的同时，进一步提高效率。
技术实现思路
根据本技术的非隔离型光伏并网逆变器，在克服共模电流的情况下同时保持了高效率的特点。根据本技术的一实施例，提供了一种非隔离型光伏并网逆变器，包括：由光伏电池PV和电容C1并联组成的电路，该并联组成的电路的一端连接到电感L1的一端，并联组成的电路的另一端顺次连接到绝缘栅双极型晶体管IG1的发射极、直流滤波电容Cd的一端、电容C3的一端、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的源极、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的源极。电感L1的另一端连接绝缘栅双极型晶体管IG1的集电极和二极管D1的阳极，二极管D1的阴极顺次连接到直流滤波电容Cd的另一端、电容C2的一端、二极管D2的阴极、二极管D3的阴极、绝缘栅双极型晶体管IG2的集电极和绝缘栅双极型晶体管IG3的集电极。二极管D1，D2，D3的阳极位置分别串有饱和磁珠Ls1，Ls2，Ls3。电容C2的另一端连接电容C3的另一端，二极管D2的阳极连接金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的漏极，二极管D3的阳极连接金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的漏极，绝缘栅双极型晶体管IG2的发射极连接电容C4的一端，绝缘栅双极型晶体管IG3的发射极连接电容C5的一端，电容C4的另一端连接电容C5的另一端，电容C2和C3的中点连接电容C4和C5的中点。二极管D2和金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的中点连接共模电感L2的
第一端，二极管D3和金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的中点连接共模电感L2的第二端，共模电感L2的第三端连接电感L3，共模电感L2的第四端连接电感L4，电感L3的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管IG3和电容C5的中点并进一步连接到电网的一端，电感L4的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管IG2和电容C4的中点并进一步连接到电网的另一端及接地端。附图说明附图1是本技术的非隔离型光伏并网逆变器的示意图。具体实施方式下面将在结合附图的基础上详细描述本技术的非隔离型光伏并网逆变器：该非隔离型光伏并网逆变器包括：由光伏电池PV和电容C1并联组成的电路，该并联组成的电路的一端连接到电感L1的一端，并联组成的电路的另一端顺次连接到绝缘栅双极型晶体管IG1的发射极、电容Cd的一端、电容C3的一端、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的源极、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的源极。电感L1的另一端连接绝缘栅双极型晶体管IG1的集电极和二极管D1的阳极，二极管D1的阴极顺次连接到电容Cd的另一端、电容C2的一端、二极管D2的阴极、二极管D3的阴极、绝缘栅双极型晶体管IG2的集电极和绝缘栅双极型晶体管IG3的集电极。二极管D1，D2，D3的阳极位置分别串有饱和磁珠Ls1，Ls2，Ls3。电容C2的另一端连接电容C3的另一端，二极管D2的阳极连接金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的漏极，二极管D3的阳极连接金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的漏极，绝缘栅双极型晶体管IG2的发射极连接电容C4的一端，绝缘栅双极型晶体管IG3的发射极连接电容C5的一端，电容C4的另一端连接电容C5的另一端，电容C2和C3的中点连接电容C4和C5的中点。二极管D2和金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的中点连接共模电感L2的第一端，二极管D3和金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的中点连接共模电感L2的第二端，共模电感L2的第三端连接电感L3，共模电感L2的第四端连接电感L4，电感L3的另一端连接到绝缘栅双极型晶体
管IG3和电容C5的中点并进一步连接到电网的一端，电感L4的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管IG2和电容C4的中点并进一步连接到电网的另一端及接地端。其中L1，D1，IG1组成BOOST升压电路，Cd为直流滤波电容，C2，C3为高频膜电容，D2，D3为续流二极管，L2为共模电感，L3，L4，C3，C4组成差模滤波电路，C3，C4的中点与C2，C3的中点连接，与L2一起组成共模抑制回路。由于二极管的反向恢复会增加损耗，在D1，D2，D3的阳极位置均串有饱和磁珠Ls1，Ls2，Ls3，降低二极管的反向恢复引起的损耗。正常工作时，MOS1与MOS2工作在高频状态，IG2与IG3工作在工频状态，在提高效率的同时又降低了共模干扰，电网正半周时，IG3导通，MOS2高频工作，使得注入电网的电流为与电网电压相位相同的电流，电网负半周时，IG3，MOS2关断，IG2导通，MOS1高频工作，形成注入电网的负半周电流。如此循环。由此，根据本技术的逆变器，可以解决现有技术中共模电流的难题并进一步提高效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非隔离型光伏并网逆变器，其特征在于：包括：由光伏电池PV和电容C1并联组成的电路，该并联组成的电路的一端连接到电感L1的一端，并联组成的电路的另一端顺次连接到绝缘栅双极型晶体管IG1的发射极、直流滤波电容Cd的一端、电容C3的一端、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的源极、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的源极；电感L1的另一端连接绝缘栅双极型晶体管IG1的集电极和二极管D1的阳极，二极管D1的阴极顺次连接到直流滤波电容Cd的另一端、电容C2的一端、二极管D2的阴极、二极管D3的阴极、绝缘栅双极型晶体管IG2的集电极和绝缘栅双极型晶体管IG3的集电极；二极管D1，D2，D3的阳极位置分别串有饱和磁珠Ls1，Ls2，Ls3；电容C2的另一端连接电容C3的另一端，二极管D2的阳极连接金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的漏极，二极管D3的阳极连接金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的漏极，绝缘栅双极型晶体管IG2的发射极连接电容C4的一端，绝缘栅双极型晶体管IG3的发射极连接电容C5的一端，电容C4的另一端连接电容C5的另一端，电容C2和C3的中点连接电容C4和C5的中点；二极管D2和金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的中点连接共模电感L2的第一端，二极管D3和金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的中点连接共模电感L2的第二端，共模电感L2的第三端连接电感L3，共模电感L2的第四端连接电感L4，电感L3的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管IG3和电容C5的中点并进一步连接到电网的一端，电感L4的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管IG2和电容C4的中点并进一步连接到电网的另一端及接地端。...

【技术特征摘要】
1.一种非隔离型光伏并网逆变器，其特征在于：包括：由光伏电池PV和电容C1并联组成的电路，该并联组成的电路的一端连接到电感L1的一端，并联组成的电路的另一端顺次连接到绝缘栅双极型晶体管IG1的发射极、直流滤波电容Cd的一端、电容C3的一端、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS1的源极、金属氧化物半导体场效应晶体管MOS2的源极；电感L1的另一端连接绝缘栅双极型晶体管IG1的集电极和二极管D1的阳极，二极管D1的阴极顺次连接到直流滤波电容Cd的另一端、电容C2的一端、二极管D2的阴极、二极管D3的阴极、绝缘栅双极型晶体管IG2的集电极和绝缘栅双极型晶体管IG3的集电极；二极管D1，D2，D3的阳极位置分别串有饱和磁珠Ls1，Ls2，Ls3；电容C2的另一端连接电容C3的另一端，二极管D2的阳极连接金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宏，黄敏，李松涛，任芝，杜建国，张一梅，鲍迎娣，
申请(专利权)人：华北电力大学保定，江苏固德威电源科技有限公司，华北电力大学苏州研究院，
类型：新型
国别省市：河北;13