【技术实现步骤摘要】
在氟离子不存在下合成ITQ-17
本专利技术涉及一种新型的微孔晶体材料,这种晶体材料在煅烧状态下具有与ITQ-17相同的组成,本专利技术还涉及在氟离子不存在下合成所述的新型微孔晶体材料。
技术介绍
沸石是微孔结晶硅铝酸盐,主要用作催化剂、吸附剂和离子交换剂。许多这种沸石材料,人们能很好地限定其结构,使在沸石的里面形成孔道和孔,由于这些孔道和孔具有均一的大小和形状,所以允许吸附某些分子,而阻止其它分子(即分子太大而不能扩散穿过孔隙的分子)穿过晶体内部。这种性质赋予了这些材料分子筛性能。这些分子筛可包括在晶格Si和周期表IIIA族的其它元素中,它们全部为四面体配位,这些四面体借助于晶格的氧原子通过它们的顶点相连。晶格位置中的四面体配位的IIIA族元素所产生的负电荷,通过晶体中存在的阳离子(例如碱金属或碱土金属)而达到平衡。采用离子交换技术,一种类型的阳离子可全部或部分被另一种类型的阳离子所交换。选择所需要的阳离子,利用阳离子交换,有可能改变特定的硅酸盐的性能。在有机分子存在下已合成出许多种沸石,所述的有机分子起结构引导剂(structure directing agent)的作用。这些作为结构引导剂(SDA)的有机分子在其组成中通常含有氮,氮在反应介质中可产生稳定的有机阳离子。在OH-基和碱性介质存在下,可使二氧化硅进行活化(mobilization),所述的OH-基和碱性可能由SDA本身引入,例如,对于沸石ZSM-5,SDA为氢氧化四丙基铵。为了合成沸石,也已知氟离子同样可使二氧化硅活化,例如,在欧洲专利EP-337479中叙述了,在低pH下在H2O中的H ...
【技术保护点】
一种晶体材料,其特征是,所述的晶体材料不包含氟化物,在煅烧状态下的组成与称为ITQ-17的材料的组成相同;在无水基础上,根据合成、未经煅烧的氧化物的摩尔数,这种晶体材料的组成表示如下:xX↓[2]O↓[3]:(1-z)YO↓[2]: zGeO↓[2]:r/nR↓[n]O其中:-X为至少一种三价元素;-Y为一种或多种除锗以外的四价元素;-R为有机结构引导化合物;-x为0~0.02,优选0~0.01;-z为0.02~0.67, 优选0.04~0.5;-r为0.01~0.5,优选0.01~0.25;及-n为1或2;以及这种晶体材料X-射线衍射角最有代表性的值如下:2Θ±0.5(度)强度(I/I↓[0])6.89w,m 9.57vs19.35m21.37m21.90vsvs:非常高;m:中等;w:低。
【技术特征摘要】
ES 2001-7-3 P2001016081.一种晶体材料,其特征是,所述的晶体材料不包含氟化物,在煅烧状态下的组成与称为ITQ-17的材料的组成相同;在无水基础上,根据合成、未经煅烧的氧化物的摩尔数,这种晶体材料的组成表示如下:xX2O3:(1-z)YO2:zGeO2:r/n RnO其中:-X为至少一种三价元素;-Y为一种或多种除锗以外的四价元素;-R为有机结构引导化合物;-x为0~0.02,优选0~0.01;-z为0.02~0.67,优选0.04~0.5;-r为0.01~0.5,优选0.01~0.25;及-n为1或2;以及这种晶体材料X-射线衍射角最有代表性的值如下:2Θ±0.5(度) 强度(I/I0)6.89 w,m9.57 vs19.35 m21.37 m21.90 vsvs:非常高;m:中等;w:低。2.根据权利要求1所述的晶体材料,在无水基础上,根据合成、未经煅烧的氧化物的摩尔数,这种晶体材料的组成表示如下:xX2O3:tTO2:(1-z-t)SiO2:zGeO2:r/n RnO其中:-T为一种或多种除Ge或Si以外的四价元素;-t为0~0.15,优选0~0.10;-z为0.02~0.67,优选0.04~0.5;“x”、“X”、“R”、“r”和“n”的定义在权利要求1中已给出。3.根据权利要求1或2所述的晶体材料,其中R为1-甲基-4-氮杂,1-氮鎓二环[2.2.2]辛烷(DABMe+)阳离子。4.根据权利要求1或2所述的晶体材料,其中R为1,4-二[N-(4-氮杂,1-氮鎓二环[2,2,2]辛烷)甲基]苯(d-DABBz)2+阳离子。5.根据权利要求1所述的晶体材料,其中Y为一种或多种选自Si、Sn、Ti和V中的四价元素。6.根据权利要求1所述的晶体材料,其中Y为Si。7.根据权利要求1或2所述的晶体材料,其中X为一种或多种选自B、Al、In、Ga、Fe和Cr中的三价元素。8.根据权利要求2所述的晶体材料,其中T为一种或多种选自V、Sn和Ti中的四价元素。9.根据权利要求2或3所述的晶体材料,其组成用摩尔比表示如下:-ROH/(SiO2+GeO2+TO2)为0.5~0.01,优选为0.25~0.01;-GeO2/(SiO2+GeO2+TO2)为0.67~0.02,优选为0.5~0.04;-(SiO2+GeO2+TO2)/X2O3为∞~50之间,优选∞~100之间;-TO2/(SiO2+GeO2+TO2)为0.15~0之间,优选0.1~0之间。10.根据权利要求2或4所述的晶体材料,其组成用摩尔比表示如下:-R(OH)2/(SiO2+GeO2+TO2)为0.25~0.005,优选为0.125~0.005;-GeO2/(SiO2+GeO2+TO2)为0.67~0.02,优选为0.5~0.04;-(SiO2+GeO2+TO2)/X2O3为∞~50之间,优选∞~100之间;-TO2/(SiO2+GeO2+TO2)为0.15~0之间,优选0.1~0之间。11.一种合成不包含氟化物的晶体材料的方法,该晶体材料在煅烧状态下的组成与称为ITQ-17的材料的组成相同,在无水基础上,根据合成、未经煅烧的氧化物的摩尔数,这种晶体材料的组成表示如下:xX2O3:(1-z)YO2:zGeO2:r/n RnO其中:-X为至少一种三价元素;-Y为一种或多种除锗以外的四价元素;-R为有机结构引导化合物;-x为0~0.02,优选0~0.01;-z为0.02~0.67,优选0.04~0.5;-r为0.01~0.5,优选0.01~0.25;和-n为1或2;以及这种晶体材料X-射线衍射角最有代表性的值如下:2Θ±0.5(度) 强度(I/I0)6.89 w,m9.57 vs19.35 m21.37 m21.90 vsvs:非常高;m:中等;w:低;所述的合成方法包括:a)配制一种合成混合物,该合成混合物至少包括:-一种或几种四价元素的原料,所述的四价元素包括在定义的Y的范围内;-Ge的原料;-至少一种结构引导剂的原料,及-水;b)使合成混合物保持在100~200℃的温度下,直至有晶体材料生成,及c)回收晶体材料。12.根据权利要求11所述的方法,其中锗和其余四价元素的原料是氧化物。13.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:A科尔马卡诺斯,F雷加西亚,MT纳瓦罗维拉尔巴,S瓦伦西亚瓦伦西亚,
申请(专利权)人:A科尔马卡诺斯,F雷加西亚,MT纳瓦罗维拉尔巴,S瓦伦西亚瓦伦西亚,
类型:发明
国别省市:ES[西班牙]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。