一种干扰抑制型PWM反激式开关电源制造技术

本发明专利技术公开了一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，其特征在于：主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与恒流源电路相连接的尖峰电流抑制电路等组成。本发明专利技术采用UC3842作为控制芯片，并结合新颖的外围电路，可以有效的降低自身的功耗，使本发明专利技术的效率达到95％以上。同时，本发明专利技术可以对开关管和整流管产生的尖峰电流进行抑制，从而减少谐波和电磁辐射干扰信号，极大的提高了本发明专利技术的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电源，具体是指一种干扰抑制型PWM反激式开关电源。
技术介绍
开关电源是利用现代电力电子技术控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，其被广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备等领域。随着社会的不断发展，人们的节能环保意识的不断提高，人们对开关电源的效率提出了更高的要求。然而，目前的开关电源自身的功耗较高，导致其电能利用率过低，无法满足人们的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决目前的开关电源自身的功耗较高，导致其电能利用率过低的缺陷，提供一种干扰抑制型PWM反激式开关电源。本专利技术的目的通过下述技术方案现实：一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与恒流源电路相连接的尖峰电流抑制电路，串接在控制芯片U2和输出电路之间的反馈链路，串接在控制芯片U2和尖峰电流抑制电路之间的开关触发电路，正极与控制芯片U2的RT/CT管脚相连接、负极接地的电容C7，P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R11后与电容C7的正极相连接的二极管D7，一端与控制芯片U2的CS管脚相连接、另一端则与开关触发电路相连接的电阻R13，正极与控制芯片U2的CS管脚相连接、负极则与开关触发电路相连接的电容C6，负极与控制芯片U2的COMP管脚相连接、正极与反馈链路相连接的电容C5，与电容C5相并联的电阻R8，以及一端与控制芯片U2的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R9组成；所述控制芯片U2的VCC管脚与恒流源电路相连接、其FB管脚和REF管脚均与反馈链路相连接、其OUT管脚与开关触发电路相连接；所述二极管D7的N极还与控制芯片U2的REF管脚相连接。进一步的，所述尖峰电流抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，三极管VT9，负极与抑制芯片U3的ON管脚相连接、正极作为该尖峰电流抑制电路的输入端的电容C10，负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接、正极经电阻R16后与电容C10的负极相连接的电容C12，串接在电容C10的负极和电容C12的负极之间的电阻R17，串接在电容C12的正极和三极管VT9的集电极之间的电阻R23，一端与电容C12的正极相连接、另一端接地的电阻R22，P极与三极管VT9的集电极相连接、N极作为该尖峰电流抑制电路的输出端的稳压二极管D16，一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R24，N极与三极管VT9的基极相连接、P极接地的二极管D15，正极与抑制芯片U3的OUT管脚相连接、负极与三极管VT9的基极相连接的电容C14，正极与三极管VT8的集电极相连接、负极顺次经电阻R20和电阻R21后与电容C14的正极相连接的电容C13，串接在抑制芯片U3的GND管脚和二极管D15的P极之间的电阻R19，正极与电容C10的负极相连接、负极经电阻R18后与三极管VT7的集电极相连接的电容C11，P极与三极管VT7的发射极相连接、N极与三极管VT8的基极相连接的二极管D14，以及N极与电容C10的负极相连接、P极与三极管VT7的基极相连接的二极管D13组成；所述三极管VT8的发射极接地；所述抑制芯片U3的ADJ管脚与二极管D15的P极相连接。所述整流变压电路由变压器T1，二极管整流器U1，以及正极与变压器T1的原边电感线圈L1的非同名端相连接、负极则与变压器T1的副边电感线圈L2的同名端相连接的电容C1组成；所述二极管整流器U1的输入端分别与变压器T1的原边电感线圈L1的同名端和变压器T1的副边电感线圈L2的非同名端相连接；所述二极管整流器U1的正极输出端与恒流源电路相连接、其负极输出端接地。所述恒流源电路由场效应管MOS1，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，负极与变压器T2的原边电感线圈L4的同名端相连接、正极接地的电容C2，串接在场效应管MOS1的漏极和电容C2的正极之间的电阻R1，N极与电容C2的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的稳压二极管D1，串接在三极管VT1的发射极和场效应管MOS1的栅极之间的电阻R2，负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的基极相连接的电容C3，P极与电容C3的正极相连接、N极与场效应管MOS1的栅极相连接的稳压二极管D2，串接在三极管VT3的集电极和稳压二极管D2的N极之间的电阻R4，P极与稳压二极管D16的N极相连接、N极经电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的二极管D3，以及负极与二极管D3的N极相连接、正极与稳压二极管D2的N极相连接的电容C4组成；所述场效应管MOS1的栅极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、其源极则与三极管VT2的集电极相连接；所述三极管VT2的发射极与电容C2的负极相连接、其基极则与三极管VT1的集电极相连接、集电极则与电容C3的正极相连接；所述三极管VT3的发射极与变压器T2的原边电感线圈L3的非同名端相连接的同时接地；所述变压器T2的原边电感线圈L3的同名端与电容C4的正极相连接；所述变压器T2的原边电感线圈L4的非同名端接地；所述控制芯片U2的VCC管脚与电容C2的正极相连接。所述输出电路由二极管D10，P极与变压器T2的副边电感线圈L5的非同名端相连接、N极经电感L6后与二极管D10的N极共同形成输出端的稳压二极管D11，与稳压二极管D11相并联的电阻R15，正极与稳压二极管D11的P极相连接、负极与二极管D10的P极相连接的电容C9，以及N极经电感L6后与稳压二极管D11的N极相连接、P极与二极管D10的N极相连接的稳压二极管D12组成；所述变压器T2的副边电感线圈L5的同名端与二极管D10的P极相连接；所述二极管D10的P极和N极均与反馈链路相连接。所述开关触发电路由场效应管MOS2，三极管VT5，三极管VT6，串接在控制芯片U2的OUT管脚和场效应管MOS2的栅极之间的电阻R12，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D8，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极经电阻R14后与三极管VT6的发射极相连接的电容C8，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极接地的稳压二极管D6，以及N极与三极管VT6的基极相连接、P极与电容C8的负极相连接的二极管D9组成；所述场效应管MOS2的栅极经电阻R13后与控制芯片U2的CS管脚相连接、其漏极则分别与电容C6的负极和反馈链路相连接；所述三极管VT5的集电极接地、其发射极与三极管VT6的基极相连接；所述三极管VT6的集电极与电容C10的正极相连接。所述反馈链路由光电耦合器A1，三极管VT4，P极经电阻R10后与光电耦合器A1的第二输出端相连接、N极与电容C5的正极相连接的二极管D4，串接在控制芯片U2的REF管脚和二极管D4的N极之间的电阻R6，以及N极与控制芯片U2的FB管脚相连接、P极经电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT4的发射极与光电耦合器A1的第一输出端相连接、其基极则与场效应管MOS2的漏极相连接；所述光电耦合器A1的第一输入端与二极管D10的P极相连接、其第二输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，其特征在于：主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与恒流源电路相连接的尖峰电流抑制电路，串接在控制芯片U2和输出电路之间的反馈链路，串接在控制芯片U2和尖峰电流抑制电路之间的开关触发电路，正极与控制芯片U2的RT/CT管脚相连接、负极接地的电容C7，P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R11后与电容C7的正极相连接的二极管D7，一端与控制芯片U2的CS管脚相连接、另一端则与开关触发电路相连接的电阻R13，正极与控制芯片U2的CS管脚相连接、负极则与开关触发电路相连接的电容C6，负极与控制芯片U2的COMP管脚相连接、正极与反馈链路相连接的电容C5，与电容C5相并联的电阻R8，以及一端与控制芯片U2的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R9组成；所述控制芯片U2的VCC管脚与恒流源电路相连接、其FB管脚和REF管脚均与反馈链路相连接、其OUT管脚与开关触发电路相连接；所述二极管D7的N极还与控制芯片U2的REF管脚相连接。

【技术特征摘要】
1.一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，其特征在于：主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与恒流源电路相连接的尖峰电流抑制电路，串接在控制芯片U2和输出电路之间的反馈链路，串接在控制芯片U2和尖峰电流抑制电路之间的开关触发电路，正极与控制芯片U2的RT/CT管脚相连接、负极接地的电容C7，P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R11后与电容C7的正极相连接的二极管D7，一端与控制芯片U2的CS管脚相连接、另一端则与开关触发电路相连接的电阻R13，正极与控制芯片U2的CS管脚相连接、负极则与开关触发电路相连接的电容C6，负极与控制芯片U2的COMP管脚相连接、正极与反馈链路相连接的电容C5，与电容C5相并联的电阻R8，以及一端与控制芯片U2的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R9组成；所述控制芯片U2的VCC管脚与恒流源电路相连接、其FB管脚和REF管脚均与反馈链路相连接、其OUT管脚与开关触发电路相连接；所述二极管D7的N极还与控制芯片U2的REF管脚相连接。2.根据权利要求1所述的一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，其特征在于：所述尖峰电流抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，三极管VT9，负极与抑制芯片U3的ON管脚相连接、正极作为该尖峰电流抑制电路的输入端的电容C10，负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接、正极经电阻R16后与电容C10的负极相连接的电容C12，串接在电容C10的负极和电容C12的负极之间的电阻R17，串接在电容C12的正极和三极管VT9的集电极之间的电阻R23，一端与电容C12的正极相连接、另一端接地的电阻R22，P极与三极管VT9的集电极相连接、N极作为该尖峰电流抑制电路的输出端的稳压二极管D16，一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R24，N极与三极管VT9的基极相连接、P极接地的二极管D15，正极与抑制芯片U3的OUT管脚相连接、负极与三极管VT9的基极相连接的电容C14，正极与三极管VT8的集电极相连接、负极顺次经电阻R20和电阻R21后与电容C14的正极相连接的电容C13，串接在抑制芯片U3的GND管脚和二极管D15的P极之间的电阻R19，正极与电容C10的负极相连接、负极经电阻R18后与三极管VT7的集电极相连接的电容C11，P极与三极管VT7的发射极相连接、N极与三极管VT8的基极相连接的二极管D14，以及N极与电容C10的负极相连接、P极与三极管VT7的基极相连接的二极管D13组成；所述三极管VT8的发射极接地；所述抑制芯片U3的ADJ管脚与二极管D15的P极相连接。3.根据权利要求2所述的一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，其特征在于：所述整流变压电路由变压器T1，二极管整流器U1，以及正极与变压器T1的原边电感线圈L1的非同名端相连接、负极则与变压器T1的副边电感线圈L2的同名端相连接的电容C1组成；所述二极管整流器U1的输入端分别与变压器T1的原边电感线圈L1的同名端和变压器T1的副边电感线圈L2的非同名端相连接；所述二极管整流器U1的正极输出端与恒流源电路相连接、其负极输出端接地。4.根据权利要求3所述的一种干扰抑制型PWM反激式开关电源，其特征在于：所述恒流源电路由场效应管MOS1，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，负极与变压器T2的原边电感线圈L4的同名端相连接、正极接地的电容C2，串接在场效应管MOS1的漏极和电容C2的正极之间的电阻R1，N极与电容C2的负极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，朱焱麟，闫宗楷，
申请(专利权)人：成都零一智慧科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51