一种异质结太阳能电池及模组制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及模组，所述太阳能电池包括N型单晶硅片；分别依序设在N型单晶硅片部分受光面及第一侧面上的本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别依序设在N型单晶硅片部分背光面及第二侧面上的本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；设在N型单晶硅片受光面及第一侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面及第二侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；分别设在N型单晶硅片另一部分受光面及另一部分背光面上的隔离绝缘条。同一电池串相邻的电池片之间不需要预留间隙，增加模组中电池片的有效利用面积，减少了模组的串联电阻。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及模组。
技术介绍
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源，异质结太阳能电池技术就是一种新型的硅基高效电池技术。对于传统硅基太阳能电池而言，电池制作成模组时，电池的背光面与相邻电池的受光面通过焊带进行连接，为预防焊带造成电池裂片，相邻两片电池之间需要给焊带连接预留足够的间隙，连接间隙长度一般为2mm-3mm。因此，电池的间隙严重浪费了模组中电池的有效利用面积，同时还增加了太阳能模组的串联电阻。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种异质结太阳能电池及模组，其能大幅减少了电池制作成模组后的功率损耗。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种异质结太阳能电池，包括：N型单晶硅片；分别依序设在N型单晶硅片部分受光 面及第一侧面上的本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别依序设在N型单晶硅片部分背光面及第二侧面上的本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；设在N型单晶硅片受光面及第一侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面及第二侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；分别设在N型单晶硅片另一部分受光面及另一部分背光面上的隔离绝缘条。优选的，所述第一侧面上的金属栅线电极和第二侧面上的金属栅线电极的高度分别高于第一侧面的高度和第二侧面的高度，所述第一侧面上的金属栅线电极、第二侧面上的金属栅线电极通过隔离绝缘条分别与N型单晶硅片受光面金属栅线电极、N型单晶硅片背光面金属栅线电极隔离。优选的，所述隔离绝缘条宽度为0.2-2mm。优选的，所述P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层和本征非晶硅层厚度为1-10nm。优选的，所述金属栅线电极的细栅线宽度为10-100μm。优选的，所述N型单晶硅片为一片完整的硅片或被分为若干等分的硅片。本技术还公开了一种异质结太阳能模组，其包括：设在背板体上的第一封装胶；设在第一封装胶上的多个上述任一所述的太阳能电池，所述多个太阳能电池之间通过设在其第一侧面与第二侧面的金属栅线电极相连，设在太阳能电池上第二封装胶，所述第一、第二封装胶包覆在该太阳能电池的四周；及设在第二封装胶上的前板体。本技术采用以上技术方案，通过在电池片的第一、第二侧面制作 电极，N型单晶硅片受光面电极与第一侧面电极导通，背光面电极与第二侧面电极导通，采用本技术太阳能电池制作的模组，相邻两片电池片之间不需要预留焊带连接的间隙，通过电池侧面电极焊接连接导通，从而增加了模组中电池的有效利用面积，同时还减少了焊带长度，降低了焊带引入的串联电阻。因此，增加了太阳能模组电池的有效使用面积，减少了太阳能模组的串联电阻，从而提升了太阳能模组的转换效率。附图说明下面结合附图对本技术进行进一步说明：图1为本技术一种异质结太阳能电池结构示意图；图2为本技术一种异质结太阳能电池实施例1结构示意图；图3为本技术一种异质结太阳能电池实施例2结构示意图；图4为本技术一种异质结太阳能电池实施例3结构示意图；图5为本技术一种异质结太阳能电池实施例4结构示意图；图6为本技术一种异质结太阳能模组结构示意图；图7为本技术一种异质结太阳能模组中太阳能电池的连接结构示意图；图8为本技术一种异质结太阳能模组实施例1结构示意图；图9为本技术一种异质结太阳能模组实施例2结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合 附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，本技术提供了一种异质结太阳能电池11，其包括：N型单晶硅片110；依序设在N型单晶硅片110部分受光面及第一侧面119上的本征非晶硅薄膜层111、N型掺杂非晶硅层112和透明导电膜层114；依序设在N型单晶硅片110部分背光面及第二侧面120上的本征非晶硅薄膜层111、P型掺杂非晶硅层113和透明导电膜层114；设在N型单晶硅片110受光面及第一侧面119的透明导电膜层114上的金属栅线电极115；设在N型单晶硅片110背光面及第二侧面120的透明导电膜层114上的金属栅线电极116；设在N型单晶硅片110另一部分受光面靠近第一侧面119边缘的隔离绝缘条117及另一部分背光面靠近第二侧面120边缘的隔离绝缘条118。所述第一侧面119上的金属栅线电极115和第二侧面120上的金属栅线电极116的高度分别高于第一侧面119的高度和第二侧面120的高度，所述第一侧面119上的金属栅线电极115、第二侧面120上的金属栅线电极116通过隔离绝缘条117、118分别与N型单晶硅片110受光面金属栅线电极116、N型单晶硅片110背光面金属栅线电极115隔离。其中，所述隔离绝缘条117、118的宽度为0.2-2mm。所述透明导电膜层114厚度为50～120nm。所述透明导电膜层114的透过率大于90％。所述透明导电膜层114为氧化铟锡、掺铝氧化锌、石墨烯中的至少一种。其受光面和背光面的透明导电膜层114材质可以不一样，所述金属栅线电极115、116为Ag、Cu、Al、Ni、Ti、TiN、Sn或NiCr中的至少一种。所述P型掺杂非晶硅层113、N型掺杂非晶硅层112和本征非晶硅层111厚度为 1-10nm。所述金属栅线电极115、116的细栅线宽度为10-100μm，其厚度为0.01-0.05mm。实施例1如图2所示，为本技术N型单晶硅片为完整的硅片且受光面金属栅线电极为多主栅栅线电极。实施例2如图3所示，与实施例1不同的是，N型单晶硅片分为两等分且受光面金属栅线电极为无主栅栅线电极。实施例3如图4所示，与实施例1不同的是，N型单晶硅片分为两等分且背光面金属栅线电极为多主栅栅线电极。实施例4如图5所示，与实施例1不同的是，N型单晶硅片分为两等分且背光面金属栅线电极无主栅栅线电极。如图6、7所示，本技术还公开了一种异质结太阳能模组，其包括：背板体13；设在背板体13上的第一封装胶12；设在第一封装胶12上的如图1所示的多个异质结太阳能电池11，所述多个太阳能电池11连接成电池串，电池串中相邻的两片太阳能电池11通过第一侧面119的金属栅线电极115与第二侧面120的金属栅线电极116连接在一起，中间不预留间隙，所述金属栅线电极连接采用金属焊锡焊接、金属焊带焊接、金属熔接、导电银胶连接、导电胶带连接中的至少一种；；设在太阳能电池上第二封装胶14，所述第一封装胶12、第二封装胶14包覆在该太阳能电池的四周；设在第二 封装胶上的前板体15。异质结太阳能模组还可以通过以下方式实施：如图8所示，为金属栅线电极为多主栅栅线电极的太阳能电池焊接在一起的异质结太阳能模组俯视示意图。如图9所示，为N型单晶硅片分为两等分且金属栅线电极为无主栅太阳能电池焊接在一起的异质结太阳能模组俯视示意图。本技术采用以上设计方案，通过在电池片的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：N型单晶硅片；分别依序设在N型单晶硅片部分受光面及第一侧面上的本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别依序设在N型单晶硅片部分背光面及第二侧面上的本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；设在N型单晶硅片受光面及第一侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面及第二侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；分别设在N型单晶硅片另一部分受光面及另一部分背光面上的隔离绝缘条。

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：N型单晶硅片；分别依序设在N型单晶硅片部分受光面及第一侧面上的本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别依序设在N型单晶硅片部分背光面及第二侧面上的本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；设在N型单晶硅片受光面及第一侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面及第二侧面的透明导电膜层上的金属栅线电极；分别设在N型单晶硅片另一部分受光面及另一部分背光面上的隔离绝缘条。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一侧面上的金属栅线电极和第二侧面上的金属栅线电极的高度分别高于第一侧面的高度和第二侧面的高度，所述第一侧面上的金属栅线电极、第二侧面上的金属栅线电极通过隔离绝缘条分别与N型单晶硅片受光面金属栅线电极、N型单晶硅片背光面金属栅线电极隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨与胜，王树林，宋广华，罗骞，张超华，庄辉虎，
申请(专利权)人：钧石中国能源有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35