一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法技术

一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法，其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。先进行硅片的制绒清洗，然后依次制备重掺杂晶体硅背场层、高透过率减反射薄膜、迎光面栅线状电极；硅片的背光面再次清洗，再制备本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层、背光面栅线状电极制备。相对于双面异质结HIT结构，本发明专利技术可增大太阳电池的短路电流，获得更高转换效率，减少了至少一半甚至全部ITO用量，减少了部分银用量，与现行晶体硅太阳电池产线技术兼容，减少了设备成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种背结晶硅异质结双面太阳电池，其特征是其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海宾，周浪，袁吉仁，高超，岳之浩，孙喜莲，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：江西;36