磁屏蔽室开关机构制造技术

本发明专利技术涉及一种磁屏蔽室开关结构。主要解决了现有大屏蔽室的屏蔽门、屏蔽窗的屏蔽效果差的问题。所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定。具有结构简单、屏蔽效果好的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁屏蔽领域，适用于屏蔽室中屏蔽门、屏蔽窗的可开关的屏蔽结构，具体是一种磁屏蔽室开关机构。
技术介绍
目前，磁屏蔽结构内部可用空间尺寸需求越来越大，因此，屏蔽室的可移动屏蔽结构是搬运试验平台或试验对象的必要条件，如屏蔽门或屏蔽窗等，但目前的可移动屏蔽结构与不可移动屏蔽结构的搭接方式较为简单，屏蔽效果不理想，且由于屏蔽室尺度较大，无法采用整块板实现屏蔽。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述现有技术存在的问题，进而提供一种屏蔽效果好，且分块拼接的一种磁屏蔽室开关结构。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部分、活动屏蔽部分、及支撑结构，所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分开口相对的两侧及活动屏蔽部分两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构限位固定；进一步的，所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分搭接在同一平面上，支撑结构在对应固定屏蔽部分与活动屏蔽部分搭接的位置上设置有由导磁材料制成的搭接机构；进一步的，所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分下方分别有至少一层的屏蔽层设置为延伸弯折结构，其中经过弯折后的屏蔽层需经热处理；进一步的；所述的固定屏蔽部分与活动屏蔽部分的屏蔽层由分块屏蔽板拼接构成，且相邻的屏蔽层的屏蔽板拼接方向交错设置，不平行。本专利技术的有益效果是：通过采用本专利技术的技术方案，增加了固定屏蔽部分与活动屏蔽部分搭接接触面积，多层屏蔽结构间的垂直距离减小，磁路顺畅性更好，提高磁导降低磁阻，从而提高屏蔽性能。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图2为本专利技术水平搭接结构示意图。图3为本专利技术具有弯折结构的示意图。图4为本专利技术采用实施例1技术方案屏蔽室内部磁通密度分布图。图5为本专利技术采用实施例2技术方案屏蔽室内部磁通密度分布图。图6为本专利技术采用实施例3技术方案屏蔽室内部磁通密度分布图。图7为本专利技术采用常规技术屏蔽室内部磁通密度分布图。图中，1-固定屏蔽部分，2-活动屏蔽部分，3-支撑结构，4-搭接结构。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术做进一步的详细说明：本实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式，但本专利技术的保护范围不限于下述实施例。实施例1，如图1所示，本实施例所涉及的一种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部分1、活动屏蔽部分2、及支撑结构3，所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定，固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2上阶梯式搭接结构的设计磁路接触面积更大，多层屏蔽结构间的垂直距离减小，磁路顺畅性更好，从而提高屏蔽性能，根据此实施例技术方案实验，磁屏蔽
室外部加有匀强磁场磁通密度均为50e-6T，屏蔽室中心点磁通密度6.97e-7T，屏蔽效果明显。实施例2，作为本专利技术的一个实施例，所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2搭接在同一平面上，支撑结构3在对应固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2搭接的位置上设置有由导磁材料制成的搭接机构4，进一步扩大屏蔽结构的搭接面积，取得更好导磁效果，实现更好的屏蔽效果，根据此实施例技术方案实验，磁屏蔽室外部加有匀强磁场磁通密度均为50e-6T，屏蔽室中心点磁通密度6.47e-7，屏蔽效果良好。实施例3，作为本专利技术的一个实施例，所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2下方分别有至少一层的屏蔽层设置为延伸弯折结构，可增大屏蔽搭接结构的接触面积，提高磁导，降低磁阻，进而提到屏蔽效果，导磁材料，如坡莫合金，受到应力后会降低其导磁特性，采用相应的弯折工艺后，需进行一次热处理进而回复材料的高导磁特性，根据此实施例技术方案实验，磁屏蔽室外部加有匀强磁场磁通密度均为50e-6T，屏蔽室中心点磁通密度6.92e-7，屏蔽效果良好。实施例4，作为本专利技术的一个实施例；所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2的屏蔽层由分块屏蔽板拼接构成，且相邻的屏蔽层的屏蔽板拼接方向交错设置，不平行。根据实施例1中所述的磁屏蔽室开关机构提出的基础构型以及实施例2、实施例3中在实施例1基础构型的基础上进行的改进构型，对比现有的磁屏蔽门进行了实验分析，在磁屏蔽室外部加匀强磁场磁通密度均为50e-6T，用现有技术的磁屏蔽室开关机构以及本专利技术中实施例1、2、3中所提到的技术方案进行实验，检测磁屏蔽机构内部中心点磁场密度，并对实验结果进行了对比，如表1所示，通过数据对比分析可以明显看出，本专利技术的技术方案磁屏蔽效果明显高于现有技术，图4、图5、图6、图7分别给出各方案屏蔽室内部磁通密度分布情况。表1现有技术实施例1实施例2实施例38.35e-76.92e-7T6.47e-76.92e-7以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，这些具体实施方式都是基于本专利技术整体构思下的不同实现方式，而且本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部分1、活动屏蔽部分2、及支撑结构3，其特征在于：所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定。

【技术特征摘要】
1.一种磁屏蔽室开关机构，包括固定屏蔽部分1、活动屏蔽部分2、及支撑结构3，其特征在于：所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定。2.根据权利要求1所述的磁屏蔽室开关机构，其特征在于：所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2搭接在同...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘东华，李立毅，孙芝茵，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23