一种可重构基片集成波导带通滤波器及其可重构方法技术

本发明专利技术公开了一种可重构基片集成波导带通滤波器及其可重构方法，主要解决调谐范围小、可重构基片集成波导带通滤波器插损大、变容二极管的控制电压无法直接加到基片集成波导中的技术问题。本发明专利技术在带通滤波器两互补开口谐振环中央开有的非金属化过孔中分别放一变容二极管，谐振环内环开口处的金属部分用一隔直电容代替，使基片集成波导与外电路分离，避免电压源短路；变容二极管接直流偏置电路，调节变容二极管两端的反偏电压，改变变容二极管的结电容，从而影响两谐振环的谐振频率，实现通带中心频率的可重构。本发明专利技术实现了变容二极管在基片集成波导中的馈电方式，控制方式简单易行，频率调谐范围较大、带内插入损耗小，可用于无线通信系统。

【技术实现步骤摘要】
201610343899

【技术保护点】
一种可重构基片集成波导带通滤波器，包括微带介质基板(1)，微带介质基板(1)的底面为金属接地板(2)，微带介质基板边缘一侧设有均匀金属化过孔(3)，基板上表面对称的设有谐振环(4)，共同构成基片集成波导带通滤波器，其中谐振环为两个结构相同的互补开口谐振环，基板两侧对称设有馈线(5)，其特征在于：两个谐振环中央分别设有非金属化过孔(6)，在非金属化过孔(6)中安装有变容二极管(7)，两变容二极管负极分别接到基片集成波导的两个谐振环(4)中央的金属部分上，两扼流电感(83)分别与两变容二极管负极相连组成并联支路，并联后又串联在限流电阻(82)一端，限流电阻(82)另一端与直流电压源(81)串联；两扼流电感(83)、限流电阻(82)与直流电压源(81)构成直流偏置电路(8)；两变容二极管的正极接到基片集成波导的金属接地板(2)上；谐振环内环开口处的金属部分用一隔直电容(9)代替；通过调节加载在变容二极管两端反偏电压的大小实现基片集成波导带通滤波器的可重构。

【技术特征摘要】
1.一种可重构基片集成波导带通滤波器，包括微带介质基板(1)，微带介质基板(1)的底面为金属接地板(2)，微带介质基板边缘一侧设有均匀金属化过孔(3)，基板上表面对称的设有谐振环(4)，共同构成基片集成波导带通滤波器，其中谐振环为两个结构相同的互补开口谐振环，基板两侧对称设有馈线(5)，其特征在于：两个谐振环中央分别设有非金属化过孔(6)，在非金属化过孔(6)中安装有变容二极管(7)，两变容二极管负极分别接到基片集成波导的两个谐振环(4)中央的金属部分上，两扼流电感(83)分别与两变容二极管负极相连组成并联支路，并联后又串联在限流电阻(82)一端，限流电阻(82)另一端与直流电压源(81)串联；两扼流电感(83)、限流电阻(82)与直流电压源(81)构成直流偏置电路(8)；两变容二极管的正极接到基片集成波导的金属接地板(2)上；谐振环内环开口处的金属部分用一隔直电容(9)代替；通过调节加载在变容二极管两端反偏电压的大小实现基片集成波导带通滤波器的可重构。2.根据权利要求1所述的一种可重构基片集成波导带通滤波器，其特征在于，所述谐振环中央设置的非金属化过孔，过孔的直径与置于过孔中变容二极管的结构尺寸相匹配。3.根据权利要求1所述的一种可重构基片集成波导带通滤波器，其特征在于，谐振环内环开口处的金属部分用一隔直电容代替，隔直电容一端接到谐振环内外环之间的金属上，另一端接到谐振环内部的金属上，两个谐振环内外环的宽度相同，其宽度与隔直电容的结构尺寸相匹配。4.根据权利要求1所述的一种可重构基片集成波导带通滤波器，其特征在于，该隔直电容的电容值在1pF-10pF内选定；当隔直电容的电容值变化时，两谐振环之间的距离也要随着调整，隔直电容的值越大，两谐振环之间的距离也越大，距离具体在11.8mm-13.5mm中优化选择，使滤波器正常工作。5.根据权利要求3所述的一种可重构基片集成波导带通滤波器，其特征在于，隔直电容的最佳电容值为2.2pF。6.一种基片集成波导带通滤波器的可重构方法，其特征在于，在权...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏峰，宋井盼，康宏毅，黄丘林，史小卫，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61