【技术实现步骤摘要】
201610285792
【技术保护点】
一种调节透光度的减光装置，其特征在于，所述装置包括：互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器、位于所述CMOS图像传感器下方的基板；在所述CMOS图像传感器的入光侧设置有一层电子薄膜，投射到电子薄膜上的光线经由所述电子薄膜减光处理后再入射到所述CMOS图像传感器上，使入射到CMOS图像传感器上的光线量随所述减光处理发生改变。
【技术特征摘要】
1.一种调节透光度的减光装置，其特征在于，所述装置包括：互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器、位于所述CMOS图像传感器下方的基板；在所述CMOS图像传感器的入光侧设置有一层电子薄膜，投射到电子薄膜上的光线经由所述电子薄膜减光处理后再入射到所述CMOS图像传感器上，使入射到CMOS图像传感器上的光线量随所述减光处理发生改变。2.根据权利要求1所述的减光装置，其特征在于，所述电子薄膜的透光性在感应到电流变化时随所述电流变化对应发生改变；所述电子薄膜在掉电状态下为透明状态，以使光线经所述电子薄膜进入所述CMOS图像传感器；所述电子薄膜在上电状态下为非透光状态，以遮挡进入所述CMOS图像传感器的光线。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电子薄膜为一个电子黑卡或多个电子黑卡；所述电子薄膜为一个电子黑卡时，所述电子黑卡的一个完整点阵区域对应于所述CMOS图像传感器的图像区域；所述电子薄膜为多个电子黑卡时，每个电子黑卡都具备各自的点阵区域，所述多个电子黑卡组合构成的一个完整点阵区域对应于所述CMOS图像传感器的图像区域。4.一种终端，其特征在于，所述终端包括如权利要求1-3任一项所述的调节透光度的减光装置；所述终端还包括：控制单元，用于对加载于电子薄膜上的电流进行电流变化的控制，使所述电子薄膜在感应到电流变化时其透光性能随所述电流变化对应发生改变，投射到电子薄膜上的光线通过所述电流变化的控制符合第一阈值时，触发电子薄膜的减光处理，投射到电子薄膜上的光线经由所述电子薄膜减光处理后再入射到
\t所述CMOS图像传感器上，使入射到CMOS图像传感器上的光线量随所述减光处理发生改变。5.根据权利要求4所述的终端，其特征在于，所述控制单元，还用于减少加载于电子薄膜上的电流至第一参数时，控制电子薄膜处于掉电状态，以使光线经所述电子薄膜进入所述CMOS图像传感器。6.根据权利要求5所述的终端，其特征在于，所述控制单元，还用于增加加载于电子薄膜上的电流至第...
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