制造太阳能电池的发射极区域的方法技术

本发明专利技术描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的发射极区域的方法，所述方法包括：在炉中于衬底表面上形成隧道氧化层；并且，在不从所述炉中取出所述衬底的情况下，形成包含N‑型掺杂区域和P‑型掺杂区域的多晶层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·史密斯，刘海宁，蒂姆·丹尼斯，简·曼宁，阮信晓，安·瓦尔德豪尔，吉娜维芙·A·所罗门，布伦达·帕古拉彦·马尔加普，约瑟夫·拉米雷，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国;US