液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法技术

本发明专利技术提供一种液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法，其能够防止污染成分从外部通过在基板上形成的绝缘膜进入液晶层。在第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)之间的第二玻璃基板(2)侧设有液晶层(4)，在第一玻璃基板(1)的液晶层(4)侧的表面上依次形成有第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)，液晶层(4)的外缘部由密封材料(3)包围，多个TFT由于第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)而彼此绝缘。第二绝缘膜(19)所包含的栅极绝缘膜(12)对气体和/或液体的阻挡性高于第一绝缘膜(11)，在比第二绝缘膜(19)与密封材料(3)重叠的位置靠内侧的第二绝缘膜(19)的周缘部的一部分或全部，设有具有底部(19b)的槽部(19a)，该底部(19b)由与形成TFT的材料的一部分相同的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，所述液晶面板在两个对置的基板之间设有由密封材料包围的液晶层和使多个薄膜晶体管绝缘的两个绝缘膜，尤其涉及在液晶层侧的绝缘膜的一部分或全部形成有槽部的。
技术介绍
近年来，在显示影像和图像的装置的显示部中，广泛采用使用了 TFT(Thin FilmTransistor:薄膜晶体管)等开关元件的有源矩阵型液晶显示面板。在这样的显示面板中，利用形成在基板上的绝缘膜使多个TFT彼此绝缘，并且利用纵横配线的数据信号线和扫描信号线分别对这些TFT供给数据信号和扫描信号。数据信号线和扫描信号线彼此不重叠地被绝缘膜绝缘，该绝缘膜的膜厚小时，在这些信号线的交叉部形成的寄生电容引起信号的泄漏，这成为利用TFT进行图像显示时画质下降的一个因素。因此，在专利文献1中公开了一种有源矩阵基板，其中，使信号配线(数据信号线)和扫描配线(扫描信号线)之间绝缘的第一层间绝缘膜的膜厚大于使栅极电极绝缘的栅极绝缘膜，优选的是，例如由S0G(Spin On Glass:旋涂式玻璃)材料形成第一层间绝缘膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4916461号公报
技术实现思路
专利技术要解決的课题但是，在例如由S0G材料形成使数据信号线和扫描信号线之间绝缘的第一绝缘膜，并在该第一绝缘膜上的液晶层侧形成了局部缺损的第二绝缘膜的情况下，外部空气等所含有的污染成分穿过第一绝缘膜从第二绝缘膜的缺损部进入液晶层而产生显示不良的问题。可以认为，该问题源于第一绝缘膜对气体和/或液体的阻挡性比较低。本专利技术鉴于上述情况而提出，其目的在于提供能够防止污染成分从外部通过在基板上形成的绝缘膜进入液晶层的。用于解决课题的手段本专利技术的液晶面板，包括:第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；所述液晶面板的特征在于，所述第二绝缘膜在比与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部形成有槽部，并且所述第一绝缘膜侧的膜的对气体和/或液体的阻挡性比所述第一绝缘膜高，所述槽部具有底部，所述底部由与形成所述薄膜晶体管的材料的一部分相同的材料形成。本专利技术的液晶面板，其特征在于，所述第一绝缘膜包含旋涂式玻璃(S0G)材料。本专利技术的液晶面板，其特征在于，所述第二绝缘膜包含:栅极绝缘膜，其形成在所述第一绝缘膜侧，使所述薄膜晶体管的栅极电极和半导体层之间绝缘；以及钝化膜和/或有机绝缘膜，其形成在所述液晶层侧，覆盖所述薄膜晶体管的所述半导体层和源极电极。本专利技术的液晶面板，其特征在于，所述栅极绝缘膜包含氮化硅(SiNx)、二氧化硅(Si02)和氮氧化硅(S1N)中的至少一种。本专利技术的液晶面板，其特征在于，所述底部由与形成所述半导体层的材料相同的材料形成。本专利技术的液晶面板，其特征在于，所述底部由与形成所述源极电极的材料相同的材料形成。本专利技术的绝缘膜的槽部形成方法，是在液晶面板中的第二绝缘膜的液晶层侧形成所述槽部的方法，所述液晶面板包括:第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；所述绝缘膜的槽部形成方法的特征在于，在形成所述薄膜晶体管的多道工序中的一部分工序中，在所述第二绝缘膜的比与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部所对应的位置，形成蚀刻选择比高于所述第二绝缘膜的蚀刻阻止膜，在所述第二绝缘膜形成后，对所述周缘部的一部分或全部进行干蚀刻，以从与所述液晶层对置的一侧形成所述槽部。专利技术的效果根据本专利技术，即使在基板上形成的第一绝缘膜的外缘部与外部空气接触的状态下，也能够利用比槽部的底部靠下侧形成的第二绝缘膜的最下层膜的阻挡性，切断从外部空气通过第一绝缘膜的外缘部和膜内并经由第二绝缘膜的槽部到达液晶层的污染成分的进入路径。因此，能够防止污染成分通过基板上形成的绝缘膜从外部进入液晶层。【附图说明】图1是示意地表示本专利技术第一实施方式的液晶面板结构的剖视图。图2是表不与图1的剖面正交的剖面的液晶面板的局部剖视图。图3是示意地表示本专利技术第二实施方式的液晶面板结构的剖视图。图4是示意地表示本专利技术第三实施方式的液晶面板结构的剖视图。【具体实施方式】以下，对本专利技术，基于表示其实施方式的附图进行详细说明。(第一实施方式)图1是示意地表示本专利技术第一实施方式的液晶面板结构的剖视图。液晶面板通过在矩形状的第一玻璃基板(相当于第一基板)1和第二玻璃基板(相当于第二基板)2之间安装外缘部被密封材料3包围的液晶层4而构成。在第一玻璃基板1的液晶层4侧的一个表面上，沿图1的横向形成有数据信号线51，该数据信号线51用于向与多个像素分别对应的未图示的TFT (相当于薄膜晶体管)的源极电极供给数据信号。数据信号线51例如可通过对利用溅射法成膜的铝等金属形成的膜进行图案化而得到。另外，在第一玻璃基板1的一个表面上，第一绝缘膜11覆盖数据信号线51而形成，该第一绝缘膜11由S0G(旋涂式玻璃)材料形成，其外缘部露出在外部空气中。在第一绝缘膜11上，例如通过CVD (Chemical Vapor Deposit1n:化学气相沉积)法依次形成有由氮化硅(SiNx)形成的栅极绝缘膜12和钝化膜13。栅极绝缘膜12也可以包含氮化硅、二氧化硅(Si02)和氮氧化硅(S1N)中的至少一种。在钝化膜13上，例如通过涂布丙烯类有机树脂材料并使之固化，形成有有机绝缘膜14。在第一实施方式中，第二绝缘膜19由栅极绝缘膜12、钝化膜13和有机绝缘膜14构成。也可以省略钝化膜13和有机绝缘膜14中的任一种的形成。在比第二绝缘膜19与密封材料3重叠的位置(图1所示的两条虚线所夹的区域)靠内侧的第二绝缘膜19的周缘部的一部分或全部，例如通过干蚀刻形成有槽部19a。槽部19a具有形成在栅极绝缘膜12上的底部1%。在槽部19a中填满了液晶层4所包含的液晶。在第二绝缘膜19的部分外缘部，通过溅射法形成有与后述的对置电极53连接的透明电极52。在第二玻璃基板2的液晶层4侧的一个表面上，形成有对应于每个像素配置了 RGB3色的着色层的彩色滤光片21。在彩色滤光片21上，形成有利用溅射法成膜的ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)膜构成的对置电极53，该对置电极53与像素电极(未图示)隔着液晶层4相对置，该像素电极在第一玻璃基板1的有机绝缘膜14上与像素对应地形成。在第一玻璃基板1的有机绝缘膜14上以及第二玻璃基板2的对置电极53上，例如通过涂布聚酰亚胺类树脂而分别形成有取向膜41、41。在有机绝缘膜14上涂布当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板，包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；所述液晶面板的特征在于，所述第二绝缘膜在比其与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部形成有槽部，并且所述第一绝缘膜侧的膜的对气体和/或液体的阻挡性比所述第一绝缘膜高，所述槽部具有底部，所述底部由与形成所述薄膜晶体管的材料的一部分相同的材料形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：野寺伸武，村田亮，中尾一树，高津贵大，
申请(专利权)人：堺显示器制品株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP