待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：MOS管、三极管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5177；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与PWM芯片的VDD管脚、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地。本实用新型专利技术的开关电源可以实现超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本技术涉及一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源。现有技术中，开关电源大都使用模拟芯片，模拟芯片效率低、待机功耗高、电流精度低。为此，需要一种超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的数字芯片开关电源。本技术提供了一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，其超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低。本技术的技术方案是:—种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，还包括:MOS管、三极管、PffM芯片；其中PffM芯片型号为G5177 ；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与PffM芯片的VDD管脚连接，MOS管的栅极与PffM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与PWM芯片的VDD管脚、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地；PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的DRV管脚与三极管的基极连接，三极管的集电极与变压器原边的起始端连接，三极管的发射极通过第五电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第三电阻、第四电阻接地，第三电容连接在第四电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在三极管的发射极和第五电阻之间，PffM芯片的FB管脚连接在第三电阻和第四电阻之间。本技术的数字芯片开关电源，采用数字PffM芯片G5177，在没有负载或负载较小时，通过断开MOS管使得第一电阻和第二电阻的功耗为零，达到待机功耗低的优点；数字PffM芯片G5177通过第三电阻和第四电阻之间的分压值作为侦测值，来控制驱动三级管，实现超低启动电流、高快速动态负载响应的优点。图1是本技术开关电源的电路原理图。为了使本技术的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施方式，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。下面结合附图对本技术的具体实施例做一详细的阐述。请参照图1，本技术的一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，包括桥堆BDl、变压器Tl，还包括:M0S管Q2、三极管QUPffM芯片；其中PffM芯片型号为G5177，为市场上可以购买得到的芯片，具体生产厂家为环球半导体有限公司、英文名为GLOBALSEMICONDUCTOR LIMITED ；桥堆BDl的输出端分别与第一电阻Rl和第一电容Cl的一端连接，第一电容Cl的另一端接地；第一电阻Rl的另一端通过第二电阻R2与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，MOS管Q2的栅极与PffM芯片的ASU管脚连接，变压器Tl副边绕组的起始端与第一二极管Dl的正端连接，第一二极管Dl的负极与PffM芯片的VDD管脚、第二电容C2的一端分别连接，变压器Tl副边绕组的结束端及第二电容C2的另一端分别接地；PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的DRV管脚与三极管Ql的基极连接，三极管Ql的集电极与变压器Tl原边的起始端连接，三极管Ql的发射极通过第五电阻R5接地，变压器Tl副边绕组的起始端依次通过第三电阻R3、第四电阻R4接地，第三电容C3连接在第四电阻R4的两端，PffM芯片的CS管脚连接在三极管Ql的发射极和第五电阻R5之间，PffM芯片的FB管脚连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间。本技术的数字芯片开关电源，采用数字PffM芯片G5177，在没有负载或负载较小时，通过断开MOS管使得第一电阻和第二电阻的功耗为零，达到待机功耗低的优点；数字PffM芯片G5177通过第三电阻和第四电阻之间的分压值作为侦测值，来控制驱动三级管，实现超低启动电流、高快速动态负载响应的优点。以上所述的本技术实施方式，并不构成对本技术保护范围的限定。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的权利要求保护范围之内。【主权项】1.一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其特征在于，还包括:MOS管、三极管、PffM芯片；其中PffM芯片型号为G5177 ； 桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与PffM芯片的VDD管脚连接，MOS管的栅极与PffM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与PWM芯片的VDD管脚、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地； PWM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的DRV管脚与三极管的基极连接，三极管的集电极与变压器原边的起始端连接，三极管的发射极通过第五电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第三电阻、第四电阻接地，第三电容连接在第四电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在三极管的发射极和第五电阻之间，PWM芯片的FB管脚连接在第三电阻和第四电阻之间。【专利摘要】本技术公开了一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：MOS管、三极管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5177；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与PWM芯片的VDD管脚、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地。本技术的开关电源可以实现超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的优点。【IPC分类】H02M1/08【公开号】CN204928558【申请号】CN201520743282【专利技术人】王刚, 岁金占 【申请人】深圳市港祥辉电子有限公司【公开日】2015年12月30日【申请日】2015年9月23日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种待机功耗小的驱动三极管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其特征在于，还包括：MOS管、三极管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5177；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与MOS管的漏极连接，MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与PWM芯片的VDD管脚、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地；PWM芯片的GND管脚接地，PWM芯片的DRV管脚与三极管的基极连接，三极管的集电极与变压器原边的起始端连接，三极管的发射极通过第五电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第三电阻、第四电阻接地，第三电容连接在第四电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在三极管的发射极和第五电阻之间，PWM芯片的FB管脚连接在第三电阻和第四电阻之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，岁金占，
申请(专利权)人：深圳市港祥辉电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44