待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地。本实用新型专利技术的开关电源可以实现超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本技术涉及一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源。现有技术中，开关电源大都使用模拟芯片，模拟芯片效率低、待机功耗高、电流精度低。为此，需要一种超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的数字芯片开关电源。本技术提供了一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，其超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低。本技术的技术方案是:—种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括:第一 MOS管、第二 MOS管、PffM芯片；其中PffM芯片型号为G5199 ；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二 MOS管的漏极连接，第二 MOS管的源极与PffM芯片的VDD管脚连接，第二 MOS管的栅极与PffM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二 MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地；PffM芯片的SD管脚通过热敏电阻接地，PffM芯片的Multi管脚通过第四电阻接地，PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的DRV管脚与第一 MOS管的栅极连接，第一 MOS管的漏极与变压器原边的起始端连接，第一 MOS管的源极通过第三电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第六电阻、第七电阻接地，第三电容连接在第七电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在第一 MOS管的源极和第三电阻之间，PffM芯片的VS管脚连接在第六电阻和第七电阻之间。本技术的数字芯片开关电源，采用数字PffM芯片G5199，在没有负载或负载较小时，通过断开第二 MOS管使得第一电阻和第二电阻的功耗为零，达到待机功耗低的优点；数字PffM芯片G5199通过第六电阻和第七电阻之间的分压值作为侦测值，来控制驱动第一MOS管，实现超低启动电流、高快速动态负载响应的优点。图1是本技术开关电源的电路原理图。为了使本技术的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施方式，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。下面结合附图对本技术的具体实施例做一详细的阐述。请参照图1，本技术的一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆BD1、变压器Tl，其还包括:第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、PffM芯片；其中PffM芯片型号为G5199，为市场上可以购买得到的芯片，具体生产厂家为环球半导体有限公司、英文名为 GLOBAL SEMICONDUCTOR LIMITED ；桥堆BDl的输出端分别与第一电阻Rl和第一电容Cl的一端连接，第一电容Cl的另一端接地；第一电阻Rl的另一端通过第二电阻R2与第二 MOS管Q2的漏极连接，第二 MOS管Q2的源极与PffM芯片的VDD管脚连接，第二 MOS管Q2的栅极与PffM芯片的ASU管脚连接，变压器Tl副边绕组的起始端与第一二极管Dl的正端连接，第一二极管Dl的负极与第二 MOS管Q2的源极、第二电容C2的一端分别连接，变压器Tl副边绕组的结束端及第二电容C2的另一端分别接地；PffM芯片的SD管脚通过热敏电阻R5接地，PffM芯片的Multi管脚通过第四电阻R4接地，PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的DRV管脚与第一 MOS管Ql的栅极连接，第一 MOS管Ql的漏极与变压器Tl原边的起始端连接，第一 MOS管Ql的源极通过第三电阻R3接地，变压器Tl副边绕组的起始端依次通过第六电阻R6、第七电阻R7接地，第三电容C3连接在第七电阻R7的两端，PffM芯片的CS管脚连接在第一 MOS管Ql的源极和第三电阻R3之间，PWM芯片的VS管脚连接在第六电阻R6和第七电阻R7之间。本技术的数字芯片开关电源，采用数字PffM芯片G5199，在没有负载或负载较小时，通过断开第二 MOS管使得第一电阻和第二电阻的功耗为零，达到待机功耗低的优点；数字PffM芯片G5199通过第六电阻和第七电阻之间的分压值作为侦测值，来控制驱动第一MOS管，实现超低启动电流、高快速动态负载响应的优点。以上所述的本技术实施方式，并不构成对本技术保护范围的限定。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的权利要求保护范围之内。【主权项】1.一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其特征在于，还包括:第一 MOS管、第二 MOS管、PffM芯片；其中PffM芯片型号为G5199 ； 桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二 MOS管的漏极连接，第二 MOS管的源极与PffM芯片的VDD管脚连接，第二 MOS管的栅极与PffM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二 MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地； PWM芯片的SD管脚通过热敏电阻接地，PffM芯片的Multi管脚通过第四电阻接地，PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的DRV管脚与第一 MOS管的栅极连接，第一 MOS管的漏极与变压器原边的起始端连接，第一 MOS管的源极通过第三电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第六电阻、第七电阻接地，第三电容连接在第七电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在第一 MOS管的源极和第三电阻之间，PffM芯片的VS管脚连接在第六电阻和第七电阻之间。【专利摘要】本技术公开了一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地。本技术的开关电源可以实现超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的优点。【IPC分类】H02M3/335【公开号】CN204906191【申请号】CN201520743438【专利技术人】王刚, 岁金占 【申请人】深圳市港祥辉电子有限公司【公开日】2015年12月23日【申请日】2015年9月23日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其特征在于，还包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地；PWM芯片的SD管脚通过热敏电阻接地，PWM芯片的Multi管脚通过第四电阻接地，PWM芯片的GND管脚接地，PWM芯片的DRV管脚与第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极与变压器原边的起始端连接，第一MOS管的源极通过第三电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第六电阻、第七电阻接地，第三电容连接在第七电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在第一MOS管的源极和第三电阻之间，PWM芯片的VS管脚连接在第六电阻和第七电阻之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，岁金占，
申请(专利权)人：深圳市港祥辉电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44