一种遮挡盘及反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种遮挡盘及反应腔室，该遮挡盘包括旋转分部和本体，旋转分部包括固定端和活动端，固定端与本体的外周壁相连接，且旋转分部沿本体的周向设置，旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置，原始位置定义为旋转分部的下表面与本体的下表面之间夹角为预设钝角时活动端所在的位置，在使用遮挡盘遮挡被遮挡物时，通过将旋转分部的活动端自原始位置顶起至预设最高位置，以使旋转分部与本体形成可遮挡被遮挡物的遮挡盘。本发明专利技术提供的遮挡盘，在存放时的尺寸较小，因而不需要在反应腔室内设置车库放置该遮挡盘，从而可以降低反应腔室的腔室成本，进而可以提高经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体设备制造
，具体涉及一种遮挡盘及反应腔室。
技术介绍
物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n,以下简称PVD)设备是应用比较广泛的等离子体加工设备，主要用于在基片等被加工工件的表面上沉积薄膜。PVD方法包括真空蒸镀、溅射镀膜和电弧等离子体镀膜，并且，到目前为止，PVD方法不仅可以沉积金属薄膜，而且可以沉积合金薄膜、化合物薄膜、陶瓷薄膜、半导体薄膜等。在实际应用中，通常在沉积工艺进行之前，需要对暴露在大气环境中或者停用一段时间的靶材进行清洗工艺(即，将靶材表面上形成的氧化物或者其他杂质清洗掉)，以及在完成预设数量的被加工工件之后，需要对反应腔室内的其他部件进行涂覆工艺(即，对反应腔室内其他部件上沉积一层覆盖物)，为了防止在清洗工艺和涂覆工艺过程中污染承载被加工工件的承载装置的表面，通常采用遮挡盘对该承载装置的表面进行遮挡。图1为具有遮挡盘的反应腔室的结构示意图。请参阅图1，反应腔室10包括承载装置11、用于驱动承载装置11升降的第一驱动单元12、至少三个顶针13、用于驱动至少三个顶针13升降的第二驱动单元14、用于放置遮挡盘15的车库16、遮挡盘传输装置和遮挡盘检测装置。其中，承载装置11设置在反应腔室10内，用于承载被加工工件或遮挡盘15，每个顶针13自承载装置11的下表面贯穿至承载装置11的上表面，并可在承载装置11内升降；遮挡盘传输装置包括用于承载遮挡盘15的旋转臂17和第三驱动单元18，第三驱动单元18的驱动轴19与旋转臂17的一端相连接，用以驱动该旋转臂17围绕该驱动轴19旋转；遮挡盘检测装置包括四个激光对射传感器(I?4)，在该车库16的上下表面相对位置处设置有观察窗20，该四对激光对射传感器(I?4)分别设置在该观察窗20上，具体设置位置如图2所示，每个激光对射传感器具有分别设置在车库16上下表面的观察窗20上的接收端和发射端，当发射端发出的激光束能够到达接收端时，该激光对射传感器不发出信号；当发射端与接收端之间的激光传输路径被物体遮挡时，发射端发出的激光束不能够到达接收端，该激光对射传感器发出信号。下面详细地介绍该反应腔室的工作过程，具体地，包括以下步骤:步骤SI，当进行清洗工艺或涂覆工艺时，第三驱动单元18驱动旋转臂17旋转，以带动位于旋转臂17上的遮挡盘15旋转至承载装置11的正上方，第二驱动单元14驱动顶针13上升，将位于旋转臂17上的遮挡盘15顶起；步骤S2，第三驱动单元18驱动空载的旋转臂17回转至车库16，且当激光对射传感器I发出信号且激光对射传感器2不发出信号时，则旋转臂17到达安全位置，此时第一驱动单元12驱动承载装置11上升，使得位于顶针13上的遮挡盘15位于承载装置11的上表面上，此时实现遮挡盘15将承载装置11遮挡，因此可以进行清洗工艺或涂覆工艺；步骤S3，在清洗工艺或涂覆工艺完成之后，第一驱动单元12驱动承载装置11下降，使得顶针13将位于承载装置11上表面的遮挡盘15顶起，第三驱动单元18驱动空载的旋转臂17旋转至位于遮挡盘15下方且位于承载装置11上表面上方的位置，第二驱动单元14驱动顶针13下降，使得遮挡盘15位于该旋转臂17上；步骤S4，第三驱动单元18驱动承载有遮挡盘15的旋转臂17回转至车库16，当激光对射传感器(1，2，4)发出信号且激光对射传感器4不发出信号时，则遮挡环15和旋转臂17到达安全位置，此时，第三驱动单元18停止驱动，并可以在该工艺腔室内进行沉积工艺。然而，采用上述的反应腔室在实际应用中不可避免的会存在以下技术问题:由于遮挡盘15为平板式结构，且尺寸较大，这就需要在反应腔室内设计尺寸较大的车库放置该遮挡盘，因而会导致反应腔室的腔室成本过高。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种遮挡盘及反应腔室，该遮挡盘在存放时的尺寸较小，因而不需要在反应腔室内设置车库放置该遮挡盘，从而可以降低反应腔室的腔室成本，进而可以提高经济效益。为解决上述问题，本专利技术提供了一种遮挡盘，所述遮挡盘包括旋转分部和本体，所述旋转分部包括固定端和活动端，所述固定端与所述本体的外周壁相连接，且所述旋转分部沿所述本体的周向设置，所述旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置，所述原始位置定义为所述旋转分部的下表面与所述本体的下表面之间夹角为预设钝角时所述活动端所在的位置，在使用所述遮挡盘遮挡被遮挡物时，通过将所述旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至预设最高位置，以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。优选地，在所述旋转分部的下表面上设置有沟槽。优选地，所述沟槽靠近所述旋转分部的活动端的深度大于靠近所述旋转分部的固定端的深度。其中，所述沟槽在其所在的所述旋转分部所在平面上的轮廓形状为椭圆形、圆形、四边形或者三角形。其中，所述旋转分部与所述本体的外周壁通过门栓相连接。其中，所述预设钝角的范围在120?180度。本专利技术还提供一种反应腔室，所述反应腔室内设置有遮挡盘、存放位置、工艺位置、传输装置和检测装置，所述遮挡盘放置在所述存放位置处，所述传输装置用于将所述遮挡盘传输至所述工艺位置或所述存放位置，所述检测装置用于检测所述遮挡盘是否传输至所述存放位置，所述遮挡盘采用本专利技术提供的上述遮挡盘。其中，所述检测装置包括第一距离传感器和第二距离传感器，所述第一距离传感器的检测路径包括位于所述存放位置的所述遮挡盘的边界之内的位置；所述第二距离传感器的检测路径包括位于所述存放位置时的所述遮挡盘的边界之外且靠近其边界的位置；所述第一距离传感器和所述第二距离传感器设置为:仅在所述遮挡盘位于预设距离范围内时发出或者不发出信号；所述第一距离传感器或所述第二距离传感器的所述预设距离范围为不小于所述第一距离传感器或所述第二距离传感器与位于所述存放位置的所述遮挡盘之间的距离。其中，所述传输装置包括承载部和旋转驱动机构，所述承载部用于承载所述遮挡盘，所述旋转驱动机构用于驱动所述承载部围绕其旋转轴旋转，以带动所述遮挡盘旋转至所述工艺位置或所述存放位置。其中，所述检测装置还包括第三距离传感器，所述第三距离传感器的检测路径上包括位于所述存放位置的遮挡盘外侧的承载该遮挡盘的部分承载部的位置；所述第三距离传感器设置为:仅在部分所述承载部位于预设距离范围内时发出或者不发出信号；所述第三距离传感器的预设距离范围不小于其与位于所述存放位置的遮挡盘外侧的承载所述遮挡盘的部分承载部之间的距离。其中，所述第一距离传感器、所述第二距离传感器或者所述第三距离传感器为漫反射距离传感器。其中，还设置有顶针升降装置，所述顶针升降装置包括至少三个顶针和顶针升降单元，所述至少三个顶针用于承载所述遮挡盘；所述顶针升降单元用于驱动所述顶针升降，以使所述顶针将与所述遮挡盘的旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至所述预设最高位置，以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。其中，在所述旋转分部的下表面上设置有沟槽，所述沟槽的数量和位置与所述顶针的数量和位置一一对应。本专利技术具有下述有益效果:本专利技术提供的遮挡盘，其包括旋转分部和本体，旋转分部包括固定端和活动端，固定端与本体的外周壁相连接，且旋转分部沿本体的周向设置，旋转分部的活本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种遮挡盘，其特征在于，所述遮挡盘包括旋转分部和本体，所述旋转分部包括固定端和活动端，所述固定端与所述本体的外周壁相连接，且所述旋转分部沿所述本体的周向设置，所述旋转分部的活动端在其自身重力的作用下位于原始位置，所述原始位置定义为所述旋转分部的下表面与所述本体的下表面之间夹角为预设钝角时所述活动端所在的位置，在使用所述遮挡盘遮挡被遮挡物时，通过将所述旋转分部的活动端自所述原始位置顶起至预设最高位置，以使所述旋转分部与所述本体形成可遮挡所述被遮挡物的遮挡盘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈围，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11