一种雷电流C分量专控电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雷电流C分量专控电路，其特征组成包括：第一交流接触器KM、第二交流接触器KM1、限流电阻R0、反并联可控硅SCR、三相变压器T、高压硅堆VD1-VD6、调波电阻R、调波电感L、压敏电阻RV和分流器。本实用新型专利技术能准确控制雷电流C分量的时间，得到脉宽可调的方波电流，实现方波电流持续时间的任意调节。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种雷电流C分量专控电路。
技术介绍
雷电流C分量是进行飞机雷电环境直接效应试验的重要电流分量之一。目前与雷电流C分量试验装置相关的是冲击方波电流发生器，该冲击方波电流发生器多采用传输线原理，先对传输线充电，然后闭合开关接通电路，传输线对负载进行放电。此方法得到的方波电流时间固定，但是在雷电流C分量试验过程中，方波电流的持续时间必须可以任意调节。如果采用传输线原理，该时间的调节需要改变传输线单位长度的电感或电容，通过改变主电路的元件参数使试验操作起来比较不易，且不能实现雷电流C分量时间参数的平滑调节，不适合快速进行大量模拟雷电流试验。国外也有用蓄电池供电的试验装置，由于电压的限制使得试验波形很难作用到试验件表面，所以试验通常以失败告终，而且存在成本高、不易维护和使用寿命短等问题。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术存在的不足之处，提供一种由电网直接供电输出的雷电流C分量专控电路，以期能控制雷电流C分量的时间，得到脉宽可调的方波电流，实现方波电流持续时间的任意调节。本技术为解决技术问题采用如下技术方案:本技术一种雷电流C分量专控电路的特点是组成包括:第一交流接触器KM、第二交流接触器KMl、限流电阻RO、反并联可控硅SCR、三相变压器T、高压硅堆VD1-VD6、调波电阻R、调波电感L、压敏电阻RV和分流器；所述三相变压器T的低压侧与所述反并联可控硅SCR的一端相连；所述反并联可控硅SCR的另一端与所述限流电阻RO的一端相连；所述限流电阻RO的另一端与所述第一交流接触器KM相连；所述第二交流接触器KMl并联在所述限流电阻RO的两端；所述三相变压器T的高压侧与所述高压硅堆VD1-VD6相连；所述压敏电阻RV并联设置在所述高压硅堆VD1-VD6的两端；所述试验件S并联设置在所述压敏电阻RV的两端；在所述高压硅堆VD1-VD6的一端与所述试验件S的一端之间依次串联有调波电感L和调波电阻R ;在所述高压硅堆VD1-VD6的另一端与所述试验件S的另一端之间串联有分流器。本技术所述的雷电流C分量专控电路的特点也在于:所述限流电阻RO的阻值范围为2-4 Ω。所述反并联可控硅SCR为400V的可控硅。所述高压硅堆VD的额定电压为3000V、额定电流为500A。所述调波电感L的电感值在100-500 μ H之间，所述调波电阻R的阻值在1_10 Ω之间。所述分流器的阻值为75mV/10A。与已有技术相比，本技术的有益效果体现在:本技术利用变压器将电网电压升高到需要额的定交流高压，通过高压硅堆进行三相桥式整流，将交流电压变为直流高压；然后利用调波电感和调波电阻进行高压回路中电流波形的调节，得到一定幅值的电流；并且通过低压侧的反并联可控硅对高压回路中的电流作用时间进行准确开关控制，从而对试验件施加标准的雷电流C分量；与现有冲击方波电流电路相比，本技术可以准确控制雷电流C分量的时间，得到试验需要的脉宽可调的方波电流，即标准的雷电流C分量，具有试验电路简单、操作安全可靠的特点。【附图说明】图1是本技术电路原理图。【具体实施方式】本实施例中，如图1所示，一种雷电流C分量专控电路的组成包括:第一交流接触器KM、第二交流接触器KM1、限流电阻R0、反并联可控硅SCR、三相变压器T、高压硅堆VD1-VD6、调波电阻R、调波电感L、压敏电阻RV和分流器；三相变压器T的低压侧与反并联可控硅SCR的一端相连；反并联可控硅SCR的另一端与限流电阻RO的一端相连；用于实现对高压侧直流电的开关控制；限流电阻RO的另一端与第一交流接触器KM相连；第二交流接触器KMl并联在限流电阻RO的两端；三相变压器T的高压侧与高压硅堆VD1-VD6相连；形成三相桥式整流电路；压敏电阻RV并联设置在高压硅堆VD1-VD6的两端；试验件S并联设置在压敏电阻RV的两端；在高压硅堆VD1-VD6的一端与试验件S的一端之间依次串联有调波电感L和调波电阻R ;在高压硅堆VD1-VD6的另一端与试验件S的另一端之间串联有分流器；优选的，限流电阻RO的阻值范围在2-4 Ω ；优选的，反并联可控硅SCR可选用耐压为400V的可控硅。优选的，高压硅堆VD的额定电压为3000V、额定电流为500A。优选的，调波电感在100-500 μ H之间，调波电阻在1-10Ω之间。优选的，分流器的规格为75mV/10A。本实施例的工作原理如下:将电网中的三相交流电依次通过第一交流接触器KM、第二交流接触器KM1、限流电阻RO和反并联可控硅SCR连接到三相变压器T的低压侧。通过三相变压器T能将电网电压升高到1400V，然后通过高压硅堆VD进行三相桥式整流输出直流高压；再经过调波电感L和调波电阻R对直流高压电路分别进行滤波和调幅得到需要的电流波形；实现电路中直流大电流的可控并将该大电流作用在试验件上。分流器实时检测直流高压电路的电流大小，当电路中的直流大电流的作用时间达到要求后，利用反并联可控硅SCR切断三相变压器T的低压侧的输入电压，变压器T副边电压降为零，电路中不再有电流流过试验件S。【主权项】1.一种雷电流C分量专控电路，其特征是组成包括:第一交流接触器KM、第二交流接触器KMl、限流电阻RO、反并联可控硅SCR、三相变压器T、高压硅堆VD1-VD6、调波电阻R、调波电感L、压敏电阻RV和分流器； 所述三相变压器T的低压侧与所述反并联可控硅SCR的一端相连；所述反并联可控硅SCR的另一端与所述限流电阻RO的一端相连；所述限流电阻RO的另一端与所述第一交流接触器KM相连；所述第二交流接触器KMl并联在所述限流电阻RO的两端； 所述三相变压器T的高压侧与所述高压硅堆VD1-VD6相连；所述压敏电阻RV并联设置在所述高压硅堆VD1-VD6的两端；试验件S并联设置在所述压敏电阻RV的两端；在所述高压硅堆VD1-VD6的一端与所述试验件S的一端之间依次串联有调波电感L和调波电阻R ;在所述高压硅堆VD1-VD6的另一端与所述试验件S的另一端之间串联有分流器。2.根据权利要求1所述的雷电流C分量专控电路，其特征是:所述限流电阻RO的阻值范围为2-4 Ω。3.根据权利要求1所述的雷电流C分量专控电路，其特征是:所述反并联可控硅SCR为400V的可控硅。4.根据权利要求1所述的雷电流C分量专控电路，其特征是:所述高压硅堆VD的额定电压为3000V、额定电流为500A。5.根据权利要求1所述的雷电流C分量专控电路，其特征是:所述调波电感L的电感值在100-500 μ H之间，所述调波电阻R的阻值在1-10 Ω之间。6.根据权利要求1所述的雷电流C分量专控电路，其特征是:所述分流器的阻值为75mV/10A。【专利摘要】本技术公开了一种雷电流C分量专控电路，其特征组成包括：第一交流接触器KM、第二交流接触器KM1、限流电阻R0、反并联可控硅SCR、三相变压器T、高压硅堆VD1-VD6、调波电阻R、调波电感L、压敏电阻RV和分流器。本技术能准确控制雷电流C分量的时间，得到脉宽可调的方波电流，实现方波电流持续时间的任意调节。【IPC分类】H03K3-017【公开号】CN204465480【申请号】CN201520190828【专利技术人】段泽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雷电流C分量专控电路，其特征是组成包括：第一交流接触器KM、第二交流接触器KM1、限流电阻R0、反并联可控硅SCR、三相变压器T、高压硅堆VD1‑VD6、调波电阻R、调波电感L、压敏电阻RV和分流器；所述三相变压器T的低压侧与所述反并联可控硅SCR的一端相连；所述反并联可控硅SCR的另一端与所述限流电阻R0的一端相连；所述限流电阻R0的另一端与所述第一交流接触器KM相连；所述第二交流接触器KM1并联在所述限流电阻R0的两端；所述三相变压器T的高压侧与所述高压硅堆VD1‑VD6相连；所述压敏电阻RV并联设置在所述高压硅堆VD1‑VD6的两端；试验件S并联设置在所述压敏电阻RV的两端；在所述高压硅堆VD1‑VD6的一端与所述试验件S的一端之间依次串联有调波电感L和调波电阻R；在所述高压硅堆VD1‑VD6的另一端与所述试验件S的另一端之间串联有分流器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段泽民，
申请(专利权)人：合肥航太电物理技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34