太阳能电池互连件及其制造方法技术

本发明专利技术描述了一种太阳能电池器件和制造该器件的方法。通过以下方法制造太阳能电池：提供子结构，其中，子结构包括位于背面接触件上方的吸收件，背面接触件中具有P1线，以及通过机械划切及在机械划切之后进行激光划切在吸收件中划切P2线。可以利用集成的划切器实施划切，集成的划切器包括：划切尖端，和邻近划切尖端安装并且与划切尖端可同时操作的光源。本发明专利技术涉及太阳能电池互连件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池互连件及其制造方法
本专利技术涉及太阳能电池互连件及其制造方法。
技术介绍
本专利技术涉及光伏太阳能电池的制造。单片太阳能电池的制造工艺包括：在正面接触件和背面接触件之间将太阳能电池材料与吸收材料分层，并在太阳能电池材料中形成线图案以隔离且连接太阳能电池。形成穿过背面接触材料的第一线图案(P1)。形成穿过吸收材料(在一些实施例中，以及缓冲层)的第二线图案(P2)。形成穿过正面接触材料和吸收件材料(以及缓冲层，如果存在的话)的第三线图案(P3)。然而，P1、P2和P3线的图案化可能损坏太阳能电池层并将杂质引入到太阳能电池层内。由图案化工艺带来的这种损坏是影响太阳能电池性能的因素。由于对清洁能源需求的不断增长，出现了各种太阳能电池器件、工具和工艺并不断发展以努力改进太阳能电池的性能。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造太阳能电池的方法，包括：提供子结构，所述子结构包括位于背面接触件上方的吸收件，所述背面接触件中具有P1线；以及穿过所述吸收件划切P2线，包括以下步骤：机械划切；和在所述机械划切之后的激光划切。在上述方法中，其中，所述提供子结构的步骤包括：提供衬底；在所述衬底上方沉积所述背面接触件；穿过所述背面接触件划切所述P1线；以及在所述背面接触件上方和在所述P1线内沉积所述吸收件。在上述方法中，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端；以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上。在上述方法中，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端；以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上，其中，所述光束覆盖的宽度包括所述划切尖端覆盖的宽度的至少50％。在上述方法中，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端；以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上，其中，所述光束覆盖的宽度包括所述划切尖端覆盖的宽度的约50％至95％。在上述方法中，其中，所述子结构还包括位于所述背面接触件和所述吸收件之间的界面层；并且所述划切的步骤穿过所述界面层进一步划切所述P2线。在上述方法中，其中，所述子结构还包括位于所述背面接触件和所述吸收件之间的界面层；并且所述划切的步骤穿过所述界面层进一步划切所述P2线，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端；以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的所述界面层的一部分上。在上述方法中，其中，利用集成的划切器实施所述划切的步骤，所述集成的划切器包括：划切尖端；以及光源，邻近所述划切尖端安装，并且与所述划切尖端可同时地操作。在上述方法中，其中，所述划切的步骤还包括从所述P2线收集粒子。在上述方法中，其中，所述划切的步骤还包括从所述P2线收集粒子，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端，并且粒子收集器跟随所述光源；将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上；以及利用所述粒子收集器从所述沟槽去除粒子。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种太阳能电池，包括：衬底；背面接触件，位于所述衬底上方，并且所述背面接触件中具有P1线；吸收件，位于所述背面接触件上方；界面层，位于所述背面接触件和所述吸收件之间；以及P2线，延伸穿过所述吸收件并穿过所述界面层。在上述太阳能电池中，还包括位于所述吸收件上方的正面接触件，其中，所述正面接触件与位于所述P2线中的所述背面接触件直接连接。在上述太阳能电池中，其中，所述界面层包括Mo(SeS)x。在上述太阳能电池中，还包括：位于所述吸收件上方的缓冲层，并且所述P2线延伸穿过所述缓冲层。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种集成的划切器，包括：可移动的基底；划切尖端，安装在所述基底上；以及光源，邻近所述划切尖端安装在所述基底上，并且所述光源具有光发射端；其中，所述光源和所述划切尖端可同时地操作。在上述集成的划切器中，其中，所述光源的所述光发射端与所述划切尖端朝向相同的方向。在上述集成的划切器中，其中，所述光源产生的光束的波长介于从约1100nm至约1250nm的范围内。在上述集成的划切器中，其中，所述光源产生的光束的功率介于从约0.1W至约5W的范围内。在上述集成的划切器中，还包括：邻近所述光源安装在所述基底上的粒子收集器。在上述集成的划切器中，还包括：邻近所述光源安装在所述基底上的粒子收集器，其中，所述光源安装在所述划切尖端和所述粒子收集器之间。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可以更好地理解本专利技术的方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的论述，各个部件的尺寸可以任意地增大或缩小。图1是根据一些实施例的太阳能电池的示意性截面图。图2是根据一些实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。图3是根据一些实施例的集成的划切器的示意性侧视图。图4A是根据一些实施例的在划切P2线之前的太阳能电池子结构的示意性截面图。图4B是根据一些实施例的在划切P2线之前的太阳能电池子结构的示意性截面图。图4C是根据一些实施例的在完成P2线之后的太阳能电池子结构的示意性截面图。具体实施方式以下公开提供了许多用于实施本专利技术的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述了部件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所论述的各个实施例和/或结构之间的关系。另外，为便于描述，在本文中可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下”、“在…之上”、“上”等的空间相对位置术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且可以对本文中使用的空间相对位置描述符作相应的解释。图1根据一些实施例示出了太阳能电池10的截面图。太阳能电池包括衬底20、位于衬底20上方的背面接触件30、和位于背面接触件30上方的吸收件40。在一些实施例中，该太阳能电池包括位于背面接触件30和吸收件40之间的界面层35。在其他实施例中，背面接触件30直接形成在衬底上。在一些实施例中，该太阳能电池包括穿过背面接触件30的P1线31。如图1所示，在背面接触件30直接形成在衬底20上的一些实施例中，用吸收件材料填充P1划线。太阳能电池还包括延伸穿过吸收件40的P2线62，并且如图1所示，在一些实施例中，P2线62延伸穿过缓冲层50和界面层35。本专利技术结合附图提供了太阳能电池10，方法和根据该方法形成的太阳能电池10和子结构15的进一步的细节。图2示出了描述用于制造太阳能电池的广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，包括：提供子结构，所述子结构包括位于背面接触件上方的吸收件，所述背面接触件中具有P1线；以及穿过所述吸收件划切P2线，包括以下步骤：机械划切；和在所述机械划切之后的激光划切。

【技术特征摘要】
2014.03.14 US 14/210,4971.一种制造太阳能电池的方法，包括：提供子结构，所述子结构包括位于背面接触件上方的吸收件，所述背面接触件中具有P1线；以及穿过所述吸收件划切P2线，包括以下步骤：机械划切；和在所述机械划切之后的激光划切；其中，在所述激光划切中使用的光源产生被配置为去除或帮助去除子结构的沟槽内的残留物和/或部分界面层的光束。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供子结构的步骤包括：提供衬底；在所述衬底上方沉积所述背面接触件；穿过所述背面接触件划切所述P1线；以及在所述背面接触件上方和在所述P1线内沉积所述吸收件。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端；以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述光束覆盖的宽度包括所述划切尖端覆盖的宽度的至少50％。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述光束覆盖的宽度包括所述划切尖端覆盖的宽度的50％至95％。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述子结构还包括位于所述背面接触件和所述吸收件之间的界面层；并且所述划切的步骤穿过所述界面层进一步划切所述P2线。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽，其中，光源跟随所述划切尖端；以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的所述界面层的一部分上。8.根据权利要求1所述的方法，其中，利用集成的划切器实施所述划切的步骤，所述集成的划切器包括：划切尖端；以及光源，邻近所述划切尖端安装，并且与所述划切尖端可同时地操作。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述划切的步骤还包括从所述P2线收集粒子。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述划切的步骤包括：沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡家弘，
申请(专利权)人：台积太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71