一种交流四管ZVS制造技术

本发明专利技术公开一种交流四管ZVS，包括双电感ZVS电路和交流ZVS电路；其特征在于，所述双电感ZVS电路包括电感L1、电容C1、电阻R1、二极管D2、稳压管D3和MOSFET管VT1；所述交流ZVS电路包括电容C3、电阻R5、电感L3、二极管D7、稳压管D6和MOSFET管Q1。本发明专利技术交流四管ZVS：1.能在交流里工作，尤其能在市电里工作。2.具有四个开关管，即使在超大功率工作条件下（例如大型感应加热装置中），开关管的散热负担也极小，寿命长。3.无需外部驱动，即可直接将低频电转换化为高频电。4.能源转化效率高。5.功率大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种振荡电路，具体是一种交流四管ZVS。
技术介绍
开关电源按硬开关模式工作(开/关过程中电压下降/上升波形有交叠)，因而开关损耗大。高频化虽可以缩小体积重量，但开关损耗却更大了。为此，必须研宄开关电压波形不交叠的技术，即所谓零电压开关(ZVS)技术，或称软开关技术，小功率软开关电源效率可提高到80°/『85%。20世纪70年代谐振开关电源奠定了软开关技术的基础。随后新的软开关技术不断涌现，如准谐振(20世纪80年代中)全桥移相ZVS-PWM，恒频ZVS-PWM /ZCS-PWM(上世纪80年代末)ZVS-PWM有源嵌位；ZVT_PWM / ZCT-PWM(20世纪90年代初)全桥移相ZV-ZCS-PWM (20世纪90年代中)等。我国已将最新软开关技术应用于6kW通信电源中，效率达93%。现有开关技术存在以下缺点:1.传统的硬开关电路，在尚频状态开关损耗大大增加。2.传统ZVS功率较小。3.传统ZVS (包括双电感ZVS)只能在单向电流条件下工作，一旦电源接反，就会形成短路，因此不能在交流电中工作。4.传统的ZVS均处于低压状态下工作，不能直接在市电中工作。5.传统ZVS在大功率工作状态下，开关管发热严重，却不能以并管的方式来降低开关管的发热(这是由ZVS的工作原理决定的)。6.现电子行业中使用的ZVS控制信号由其他结构产生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种交流四管ZVS，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案: 一种交流四管ZVS，包括双电感ZVS电路和交流ZVS电路；其特征在于，所述双电感ZVS电路包括电感L1、电容Cl、电阻R1、二极管D2、稳压管D3和MOSFET管VTl ;所述交流ZVS电路包括电容C3、电阻R5、电感L3、二极管D7、稳压管D6和MOSFET管Q1。所述电阻Rl的一端连接电感L1、二极管D2的阳极、稳压管D3的阴极、电阻R3和MOSFET管VTl的栅极，电阻Rl的另一端连接24V电压和电阻R2，电阻R2的另一端连接二极管Dl的阳极、稳压管D4的阴极、电阻R4、电感L2和MOSFET管VT2的栅极，电感L2的另一端连接二极管D2的阴极、电容Cl、电容C2、M0SFET管VT2的漏极和输出端VI，电感LI的另一端连接二极管Dl的阴极、电容Cl的另一端、电容C2的另一端、MOSFET管VTl的漏极和输出端V2，电阻R3的另一端连接电阻R4的另一端、稳压管D3的阳极、稳压管D4的阳极、MOSFET管VTl的源极和MOSFET管VT2的源极并接地； 所述电容C3的一端连接电容C4、电容C7、电容C8、电感L3、二极管D7的阴极、二极管D13的阴极、二极管D17的阴极、二极管D19的阴极、MOS管Ql的漏极和MOS管Q3的漏极，电容C3的另一端连接电容C5，电容C4的另一端连接电容C6，电容C7的另一端连接电容C9，电容C8的另一端连接电容C10，电容C5的一端连接电容C6的一端、电容C9的一端、电容ClO的一端、电感L4、二极管D8的阴极、二极管D14的阴极、二极管D18的阴极、二极管D20的阴极、MOS管Q2的漏极和MOS管Q4的漏极，MOS管Ql的源极连接MOS管Q2的源极、电阻R5、电阻R6、电容Cll和二极管Dll的阳极，稳压管D6的阴极连接电阻R5的另一端和二极管D8的阳极，稳压管D5的阴极连接电阻R6的另一端和二极管D7的阳极，MOS管Ql的栅极连接电阻R7，电阻R7的另一端连接电感L3的另一端、电容Cll的另一端、电容C12、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D9的阴极和二极管D12的阴极，二极管D9的阳极连接二极管DlO的阴极和交流电，二极管D12的阳极连接二极管Dll的阴极和交流电的另一端，MOS管Q2的栅极连接电阻R8的另一端，MOS管Q3的栅极连接电阻R9的另一端，MOS管Q4的栅极连接电阻RlO的另一端，MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的源极、电阻R11、电阻R12、电容C12的另一端和二极管DlO的阳极，二极管D17的阳极连接稳压管D6的阳极，二极管D18的阳极连接稳压管D5的阳极，二极管D19的阳极连接稳压管D15的阳极，二极管D20的阳极连接稳压管D16的阳极。作为本专利技术的优选方案:所述电阻Rl和电阻R2的阻值为470Ω，电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻Rll和电阻R12的阻值均为1K Ω，电阻R7、电阻R8、电阻R9和电阻RlO的阻值均为2.4ΚΩ。作为本专利技术的优选方案:所述电感L1、电感L2、电感L3和电感L4的电感值均为150UH。作为本专利技术的优选方案:所述电容C1~C10的容量均为0.33 μ F，耐压值为1200V，为非极性电容；电容C11、电容C12的容量均为470 μ F，耐压值为450V，为极性电容。作为本专利技术的优选方案:所述稳压管D3~D6和D15、D16反向击穿电压为18V。作为本专利技术的优选方案:所述二极管D1、D2的反向击穿电压为1000V ;二极管D7、D8、D13、D14、D17~D20的反向击穿电压为2000V ;二极管D9~D12的反向击穿电压为600V。作为本专利技术的优选方案:所述MOSFET管的漏源击穿电压VDS=1200V，一般采用IGBT管作为开关管。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是:1.能在交流里工作，尤其能在市电里工作。2.具有四个开关管，即使在超大功率工作条件下(例如大型感应加热装置中)，开关管的散热负担也极小，寿命长。3.无需外部驱动，即可直接将低频电转换化为高频电。4.能源转化效率高。5.功率大。【附图说明】图1为双电感ZVS电路的电路图； 图2为交流四管ZVS电路的电路图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，一种交流四管ZVS，包括双电感ZVS电路和交流ZVS电路；其特征在于，所述双电感ZVS电路包括电感L1、电容Cl、电阻R1、二极管D2、稳压管D3和MOSFET管VTl ;所述交流ZVS电路包括电容C3、电阻R5、电感L3、二极管D7、稳压管D6和MOSFET管Qlo所述电阻Rl的一端连接电感L1、二极管D2的阳极、稳压管D3的阴极、电阻R3和MOSFET管VTl的栅极，电阻Rl的另一端连接24V电压和电阻R2，电阻R2的另一端连接二极管Dl的阳极、稳压管D4的阴极、电阻R4、电感L2和MOSFET管VT2的栅极，电感L2的另一端连接二极管D2的阴极、电容Cl、电容C2、M0SFET管VT2的漏极和输出端VI，电感LI的另一端连接二极管Dl的阴极、电容Cl的另一端、电容C2的另一端、MOSFET管VTl的漏极和输出端V2，电阻R3的另一端连接电阻R4的另一端、稳压管D3的阳极、稳压管D4的阳极、MOSFET管VTl的源极和MOSFET管VT2的源极并接地； 所述电容C3的一端连接电容C4、电容C7、电容C8、电感L3、二极管D7的阴极、二极管D13的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流四管ZVS，包括双电感ZVS电路和交流ZVS电路；其特征在于，所述双电感ZVS电路包括电感L1、电容C1、电阻R1、二极管D2、稳压管D3和MOSFET管VT1；所述交流ZVS电路包括电容C3、电阻R5、电感L3、二极管D7、稳压管D6和MOSFET管Q1；所述电阻R1的一端连接电感L1、二极管D2的阳极、稳压管D3的阴极、电阻R3和MOSFET管VT1的栅极，电阻R1的另一端连接24V电压和电阻R2，电阻R2的另一端连接二极管D1的阳极、稳压管D4的阴极、电阻R4、电感L2和MOSFET管VT2的栅极，电感L2的另一端连接二极管D2的阴极、电容C1、电容C2、MOSFET管VT2的漏极和输出端V1，电感L1的另一端连接二极管D1的阴极、电容C1的另一端、电容C2的另一端、MOSFET管VT1的漏极和输出端V2，电阻R3的另一端连接电阻R4的另一端、稳压管D3的阳极、稳压管D4的阳极、MOSFET管VT1的源极和MOSFET管VT2的源极并接地；所述电容C3的一端连接电容C4、电容C7、电容C8、电感L3、二极管D7的阴极、二极管D13的阴极、二极管D17的阴极、二极管D19的阴极、MOS管Q1的漏极和MOS管Q3的漏极，电容C3的另一端连接电容C5，电容C4的另一端连接电容C6，电容C7的另一端连接电容C9，电容C8的另一端连接电容C10，电容C5的一端连接电容C6的一端、电容C9的一端、电容C10的一端、电感L4、二极管D8的阴极、二极管D14的阴极、二极管D18的阴极、二极管D20的阴极、MOS管Q2的漏极和MOS管Q4的漏极，MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的源极、电阻R5、电阻R6、电容C11和二极管D11的阳极，稳压管D6的阴极连接电阻R5的另一端和二极管D8的阳极，稳压管D5的阴极连接电阻R6的另一端和二极管D7的阳极，MOS管Q1的栅极连接电阻R7，电阻R7的另一端连接电感L3的另一端、电容C11的另一端、电容C12、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D9的阴极和二极管D12的阴极，二极管D9的阳极连接二极管D10的阴极和交流电，二极管D12的阳极连接二极管D11的阴极和交流电的另一端，MOS管Q2的栅极连接电阻R8的另一端，MOS管Q3的栅极连接电阻R9的另一端，MOS管Q4的栅极连接电阻R10的另一端，MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的源极、电阻R11、电阻R12、电容C12的另一端和二极管D10的阳极，二极管D17的阳极连接稳压管D6的阳极，二极管D18的阳极连接稳压管D5的阳极，二极管D19的阳极连接稳压管D15的阳极，二极管D20的阳极连接稳压管D16的阳极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方达，王学浩，温元斌，周海春，郭杰，段剑金，许林，冯小波，
申请(专利权)人：云南师范大学，
类型：发明
国别省市：云南;53