一种基于单片机的智能电抗器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于单片机的智能电抗器，包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键。本实用新型专利技术智能电抗器使用单片机作为主控单元控制电抗器组的切换和调节工作，能够快速准确的通过采样电路反馈的信号进行相应操作，不仅使控制更加精准，而且极大的缩短了操作时间，集合式结构使电抗器组具有体积小、切换方便，便于移动的优点，使电抗器具有集成度高、控制精准、结构简单、性能稳定的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电抗器，具体是一种控制精准、性能稳定的基于单片机的智能电抗器。
技术介绍
随着工业生产的发展，城乡居民家用电器的增加，在用电量增加的同时，电网中的感性负荷比例也在明显上升，改善电压质量，提高电网功率因素，减少线损显的尤为重要。近年来电抗器被广泛选用于无功补偿，特别是应用于大型变电站的户外集中补偿和城市电网改造中，但是传统的电抗器是按照变电站正常运行时实际无功缺额选定量值进行部分补偿并结合人工投切措施，这种方式存在误差较大、浪费人力和控制速度慢的缺点，严重影响了人们的正常使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种控制精准、性能稳定的基于单片机的智能电抗器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种基于单片机的智能电抗器，包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键，所述采样电路的输入端连接负载，采样电路的输出端连接信号处理电路的输入端、信号处理电路的输出端连接单片机、所述单片机还分别连接电源、外设按键和驱动电路，所述驱动电路还连接电抗器组，电抗器组还连接负载电路；所述驱动电路包括MOS管Q、三极管VT1、三极管VT2、和三极管VT3，MOS管Q的漏极连接二极管Dl的负极、二极管D8的负极、二极管D9的正极、三极管VT2的集电极和电抗器组，二极管D9的负极连接电阻R5和三极管VT4的集电极，MOS管Q的源极连接二极管Dl的正极和电位器RPl的一个固定端，MOS管Q的栅极连接电阻R2、二极管D2的正极和二极管D3的负极，二极管D2的负极连接电阻R1，电阻Rl的另一端连接电阻R2的另一端、电阻R3、二极管D4的正极、三极管VT2的发射极和三极管VT3的集电极，二极管D3的正极连接三极管VTl的集电极，三极管VTl的发射极连接电位器RPl的滑动端、电位器RPl的另一个固定端，电阻R3、电阻R7、二极管D5的正极、电容Cl和三极管VT3的发射极并接地，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，三极管VTl的基极连接二极管D7的正极，二极管D7的负极连接电阻R6、电阻R7的另一端、电容Cl的另一端和二极管D8的正极，三极管VT2的基极连接电阻R4和三极管VT3的基极，电阻R4的另一端连接二极管D6的正极和三极管VT4的发射极，三极管VT4的的基极连接电阻R5的另一端和单片机，所示MOS管Q为N沟道增强型。作为本技术的优选方案:所述信号处理电路包括滤波电路过和放大电路。作为本技术的优选方案:所述单片机的型号为AT89S52。作为本技术的优选方案:所述电抗器组为集合式电抗器组。与现有技术相比，本技术的有益效果是:电路使用单片机作为主控单元控制电抗器组的切换和调节工作，能够快速准确的通过采样电路反馈的信号进行相应操作，不仅使控制更加精准，而且极大的缩短了操作时间，集合式结构使电抗器组具有体积小、切换方便，便于移动的优点，使电抗器具有集成度高、控制精准、结构简单、性能稳定的优点。【附图说明】图1为基于单片机的智能电抗器的结构框图；图2为基于单片机的智能电抗器驱动电路的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1、2，一种基于单片机的智能电抗器，包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键，所述采样电路的输入端连接负载，采样电路的输出端连接信号处理电路的输入端、信号处理电路的输出端连接单片机、所述单片机还分别连接电源、外设按键和驱动电路，所述驱动电路还连接电抗器组，电抗器组还连接负载电路；所述驱动电路包括MOS管Q、三极管VT1、三极管VT2、和三极管VT3，MOS管Q的漏极连接二极管Dl的负极、二极管D8的负极、二极管D9的正极、三极管VT2的集电极和电抗器组，二极管D9的负极连接电阻R5和三极管VT4的集电极，MOS管Q的源极连接二极管Dl的正极和电位器RPl的一个固定端，MOS管Q的栅极连接电阻R2、二极管D2的正极和二极管D3的负极，二极管D2的负极连接电阻R1，电阻Rl的另一端连接电阻R2的另一端、电阻R3、二极管D4的正极、三极管VT2的发射极和三极管VT3的集电极，二极管D3的正极连接三极管VTl的集电极，三极管VTl的发射极连接电位器RPl的滑动端、电位器RPl的另一个固定端，电阻R3、电阻R7、二极管D5的正极、电容Cl和三极管VT3的发射极并接地，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，三极管VTl的基极连接二极管D7的正极，二极管D7的负极连接电阻R6、电阻R7的另一端、电容Cl的另一端和二极管D8的正极，三极管VT2的基极连接电阻R4和三极管VT3的基极，电阻R4的另一端连接二极管D6的正极和三极管VT4的发射极，三极管VT4的的基极连接电阻R5的另一端和单片机，所示MOS管Q为N沟道增强型。所述信号处理电路包括滤波电路过和放大电路。所述单片机的型号为AT89S52。所述电抗器组为集合式电抗器组。本技术的工作原理是:采样电路将负载电路中的感性负荷比例信息进行取样并且转换成电信号，电信号输入到信号处理电路，信号处理电路包括滤波电路和多重放大电路，滤波电路滤除采样信号中的杂波和干扰，放大电路用于对微小的采样信号进行放大处理，放大后的信号输入单片机AT89S52的信号输入端，单片机AT89S52通过内部的振荡器和解码器对放大后的信号进行解码处理，通过信号的处理得到负载中的感性负荷比例信息，从而输出高电平信号控制驱动电路，驱动电路中的三极管VT4的基极因为单片机输出的高电平信号而导通，三极管VT4导通，三极管VT4发射极输出高电平，因此而导致三极管VT2导通、三极管VT3截止，则MOS管Q的栅极有电流、MOS管Q导通，输出驱动信号控制电抗器组的操作，电路使用单片机作为主控单元控制电抗器组的切换和调节工作，能够快速准确的通过采样电路反馈的信号进行相应操作，不仅使控制更加精准，而且极大的缩短了操作时间，集合式结构使电抗器组具有体积小、切换方便，便于移动的优点，使整个电抗器具有集成度高、控制精准、结构简单、性能稳定的优点。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于单片机的智能电抗器，包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键；其特征在于，所述采样电路的输入端连接负载，采样电路的输出端连接信号处理电路的输入端、信号处理电路的输出端连接单片机、所述单片机还分别连接电源、外设按键和驱动电路，所述驱动电路还连接电抗器组，电抗器组还连接负载电路；所述驱动电路包括MOS管Q、三极管VT1、三极管VT2、和三极管VT3，MOS管Q的漏极连接二极管D1的负极、二极管D8的负极、二极管D9的正极、三极管VT2的集电极和电抗器组，二极管D9的负极连接电阻R5和三极管VT4的集电极，MOS管Q的源极连接二极管D1的正极和电位器RP1的一个固定端，MOS管Q的栅极连接电阻R2、二极管D2的正极和二极管D3的负极，二极管D2的负极连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电阻R2的另一端、电阻R3、二极管D4的正极、三极管VT2的发射极和三极管VT3的集电极，二极管D3的正极连接三极管VT1的集电极，三极管VT1的发射极连接电位器RP1的滑动端、电位器RP1的另一个固定端，电阻R3、电阻R7、二极管D5的正极、电容C1和三极管VT3的发射极并接地，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，三极管VT1的基极连接二极管D7的正极，二极管D7的负极连接电阻R6、电阻R7的另一端、电容C1的另一端和二极管D8的正极，三极管VT2的基极连接电阻R4和三极管VT3的基极，电阻R4的另一端连接二极管D6的正极和三极管VT4的发射极，三极管VT4的的基极连接电阻R5的另一端和单片机，所示MOS管Q为N沟道增强型。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，杨华，代长春，杨强龙，
申请(专利权)人：四川中腾能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51