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分立件暗光控制开关制造技术

技术编号:11185140 阅读:62 留言:0更新日期:2015-03-25 13:52
本发明专利技术公开了一种分立件暗光控制开关,其特征包括:12V直流电源、感光电路、光信号放大电路、光信号功率放大电路、直流继电器控制及保护电路。本发明专利技术所述的分立件暗光控制开关使用1只光敏电阻RG采集光信号,然后光信号通过2只NPN型晶体管进行两级放大,最后驱动直流继电器开关触点,用于照明、安防系统、计数器或远程控制等,它具有敏感高,光控反映速度快、工作可靠、造价低等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子与光控
,特别涉及一种分立件暗光控制开关
技术介绍
本专利技术所述的分立件暗光控制开关使用1只光敏电阻RG采集光信号,然后光信号通过2只NPN型晶体管进行两级放大,最后驱动直流继电器的开关触点,用于照明、安防系统、计数器或远程控制等,电路全部使用分立元器件,它具有敏感高,光控反映速度快、工作可靠、造价低等特点。以下详细说明本专利技术所述的分立件暗光控制开关的在实施过程中所涉及的关键性
技术实现思路

技术实现思路
专利技术目的及有益效果:本专利技术所述的分立件暗光控制开关使用1只光敏电阻RG采集光信号,然后光信号通过2只NPN型晶体管进行两级放大,最后驱动直流继电器开关触点,用于照明、安防系统、计数器或远程控制等,它具有敏感高,光控反映速度快、工作可靠、造价低等特点。电路工作原理:以光敏电阻为核心元件驱动直流继电器控制输出的光控开关电路有多种电路形式,本专利技术所述的分立件暗光控制开关,当环境照度下降到设定值时,由于光敏电阻RG的阻值增大,使NPN型晶体管VT1获得偏置而导通,再由NPN型晶体管VT2的激励电流使直流继电器J得电工作,直流继电器J对应的常开触点闭合、常闭触点断开,实现对外部电路的自动控制。硅整流二极管D1为了保护NPN型晶体管VT2截止瞬间,旁路直流继电器J线圈所产生的反向电动势。分立件暗光控制开关的输入端接入1只光敏电阻RG和1只线性电位器RP组成一个分压电路,当光线照在光敏电阻RG上导致其电阻值变小,从而使整个分压电路电压分配发生变化,这些电压变化将控制着NPN型晶体管VT1的导通或截止;线性电位器RP用于调整光敏电路的灵敏度,调整线性电位器RP以适应于要求的光照条件。技术方案:分立件暗光控制开关,它包括12V直流电源、感光电路、光信号放大电路、光信号功率放大电路、直流继电器控制及保护电路,其特征在于:感光电路:它由光敏电阻RG、电位器RP和电阻R1组成,光敏电阻RG一端和线性电位器RP一端及电阻R1一端接NPN型晶体管VT1基极,线性电位器RP另一端及其活动端与电路正极VCC相连,光敏电阻RG另一端和电阻R1另一端接电路地GND;光信号放大电路:它由NPN型晶体管VT1和电阻R2组成,NPN型晶体管VT1集电极接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电阻R2一端,电阻R2另一端接电路地GND;光信号功率放大电路:它由NPN型晶体管VT2和电阻R3组成,NPN型晶体管VT2基极通过电阻R3接NPN型晶体管VT1发射极,NPN型晶体管VT2发射极接电路地GND,NPN型晶体管VT2集电极接直流继电器控制及保护电路;直流继电器控制及保护电路:它由直流继电器J和硅整流二极管D1组成,NPN型晶体管VT2集电极接直流继电器J线圈一端和硅整流二极管D1正极,继电器J线圈另一端和硅整流二极管D1负极接电路正极VCC;12V直流电源的正极与电路正极VCC相连,12V直流电源的负极与电路地GND相连。附图说明附图1是本专利技术提供一个分立件暗光控制开关的实施例电路工作原理图。具体实施方式按照附图1所示的分立件暗光控制开关电路工作原理图和附图说明,并按照
技术实现思路
所述的各部分电路中元器件之间连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本专利技术,以下结合实施例对本专利技术的相关技术作进一步描述。元器件的技术参数及选择要求VT1、VT2为NPN型晶体管,选用的型号为2SC9013,要求放大倍数β≥160;RP为线性电位器,其阻值是100KΩ;RG光敏电阻,选用的型号为MG45;D1硅整流二极管,选用的型号为1N4001;电阻全部选用1/8W金属膜电阻,电阻R1的阻值为100KΩ,电阻R2的阻值为3KΩ,电阻R3的阻值为1KΩ;直流继电器J选用的型号为JQX-13F,工作电压为12V;直流继电器J共有5个脚,即:直流继电器J的线圈2个脚,功率输出为3个脚,3个脚分别组成常开触点和常闭触点;直流电源DC的电压为12V,要求12V直流电源最大输出电流≥60mA,12V直流电源可以使用12V稳压电源或12V电池组。电路制作要点与电路调试因分立件暗光控制开关的电路结构比较简单,制作比较容易,一般情况下只要选用的电子元器件性能完好,并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接,物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后,本专利技术的电路只需要进行简单调试即可正常工作;首选将线性电位器RP的阻值调节到最大值;其次是根据环境暗光的要求,缓慢调节线性电位器RP的阻值,并结合适当改变电阻R1的阻值,使直流继电器J触点的吸合或释放符合控制要求即可。本专利技术的电路元器件布局、电路板设计、分立件暗光控制开关的外观及几何尺寸等不是本专利技术的关键性技术,也不是本专利技术要求保护的
技术实现思路
,故在说明书中不作一一说明。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种分立件暗光控制开关,它包括12V直流电源、感光电路、光信号放大电路、光信号功率放大电路、直流继电器控制及保护电路,其特征在于:所述的感光电路由光敏电阻RG、电位器RP和电阻R1组成,光敏电阻RG一端和线性电位器RP一端及电阻R1一端接NPN型晶体管VT1基极,线性电位器RP另一端及其活动端与电路正极VCC相连,光敏电阻RG另一端和电阻R1另一端接电路地GND;所述的光信号放大电路由NPN型晶体管VT1和电阻R2组成,NPN型晶体管VT1集电极接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电阻R2一端,电阻R2另一端接电路地GND;所述的光信号功率放大电路由NPN型晶体管VT2和电阻R3组成,NPN型晶体管VT2基极通过电阻R3接NPN型晶体管VT1发射极,NPN型晶体管VT2发射极接电路地GND,NPN型晶体管VT2集电极接直流继电器控制及保护电路;所述的直流继电器控制及保护电路由直流继电器J和硅整流二极管D1组成,NPN型晶体管VT2集电极接直流继电器J线圈一端和硅整流二极管D1正极,继电器J线圈另一端和硅整流二极管D1负极接电路正极VCC;所述的12V直流电源的正极与电路正极VCC相连,12V直流电源的负极与电路地GND相连。...

【技术特征摘要】
1.一种分立件暗光控制开关,它包括12V直流电源、感光电路、光信号放
大电路、光信号功率放大电路、直流继电器控制及保护电路,其特征在于:
所述的感光电路由光敏电阻RG、电位器RP和电阻R1组成,光敏电阻RG一
端和线性电位器RP一端及电阻R1一端接NPN型晶体管VT1基极,线性电位器
RP另一端及其活动端与电路正极VCC相连,光敏电阻RG另一端和电阻R1另一
端接电路地GND;
所述的光信号放大电路由NPN型晶体管VT1和电阻R2组成,NPN型晶体管
VT1集电极接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电阻R2一端,电阻
R2另一端接...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志
申请(专利权)人:王志
类型:发明
国别省市:安徽;34

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