【技术实现步骤摘要】
芯片装置、分析设备、容纳容器和容纳容器系统
本专利技术涉及一种芯片装置、一种分析设备、一种容纳容器和一种容纳容器系统。
技术介绍
传统的芯片装置能够例如具有芯片。芯片能够例如具有集成电路,此外,其能够具 有存储元件。在该存储元件之中能够存储数据,该数据例如能够具有专用信息。该芯片能 够具有天线,例如整体地集成在芯片之中的天线。集成在芯片之中的天线能够例如具有导 线回路和/或具有一个、两个或者更多个绕组的线圈和/或能够被描述为模块上的线圈。 该芯片例如能够为通信芯片、例如为收发器芯片、例如为RFID收发器、例如为RFID标签。该 芯片装置能够例如为RFID设备和/或芯片卡。
技术实现思路
所述天线能够例如作出贡献,使得外部的读取和/或写入装置能够与所述芯片通 信和/或所述芯片的数据能够得以读出和/或能够将所述数据写在所述芯片之上,例如在 所述存储元件之中存储的所述数据。附加地,所述芯片能够通过所述天线电感式地来供能 并且借助于所传输的能量能够驱动所述芯片。所述芯片的较大的可达范围在数据传输之中 例如读取和/或写入距离和/或在能量传输时的可达范围能够例如借助于相对于所述芯片 在外部的增益天线来达到。所述增益天线能够为所述芯片装置的一个元件。所述增益天线 与集成在所述芯片之中的天线相比相对更大。因此,具有相应的多个增益天线的多个芯片 比具有一个增益天线的一个芯片需要明显更大的空间。 在不同的实施形式之中提供了一种芯片装置,其能够被简单、高性价比和/或节 省空间地加以构造和/或借助于该芯片装置能够实现在较大的可达范围之上的 ...
【技术保护点】
一种芯片装置(10),其具有:‑第一芯片(14),其具有整体地集成在所述第一芯片(14)之中的、用于与外部的读取和/或写入装置通信的第一天线(16);‑第二芯片(18),其具有整体地集成在所述第二芯片(18)之中的、用于与所述外部的读取和/或写入装置通信的第二天线(20);‑增益天线(22),其为了提高所述第一天线(16)的可达范围而在第一耦合区域(24)中与所述第一天线(16)相耦合并且为了提高所述第二天线(20)的可达范围而在第二耦合区域(28)中与所述第二天线(20)相耦合。
【技术特征摘要】
2013.08.26 DE 102013109221.71. 一种芯片装置(10),其具有: -第一芯片(14),其具有整体地集成在所述第一芯片(14)之中的、用于与外部的读取 和/或写入装置通信的第一天线(16); -第二芯片(18),其具有整体地集成在所述第二芯片(18)之中的、用于与所述外部的 读取和/或写入装置通信的第二天线(20); -增益天线(22),其为了提高所述第一天线(16)的可达范围而在第一耦合区域(24) 中与所述第一天线(16)相耦合并且为了提高所述第二天线(20)的可达范围而在第二耦合 区域(28)中与所述第二天线(20)相耦合。2. 根据权利要求1所述的芯片装置(10),其中,所述增益天线(22)与所述第一天线 (16)电感式耦合,和/或其中,所述增益天线(22)与所述第二天线(20)电感式耦合。3. 根据前述权利要求中任一项所述的芯片装置(10),所述芯片装置具有支撑件(12), 在所述支撑件之上设置有所述第一芯片(14)、所述第二芯片(18)和所述增益天线(22)。4. 根据权利要求3所述的芯片装置(10),其中,所述增益天线(22)围绕一个区域延 伸,所述第一和所述第二芯片(14、18)设置在所述区域之中。5. 根据权利要求4所述的芯片装置(10),其中,所述支撑件(12)具有第一凹槽(32)和 第二凹槽(34),所述第一芯片(14)设置在所述第一凹槽(32)之中并且所述第二芯片(18) 设置在所述第二凹槽(34)之中。6. 根据权利要求5所述的芯片装置(10),其中,所述第一耦合区域(24)被构造在所述 第一凹槽(32)旁边并且所述第二耦合区域(28)被构造在所述第二凹槽(34)旁边。7. 根据权利要求3至6中任一项所述的芯片装置(10),其中,所述增益天线(22)环绕 所述第一耦合区域(24)和所述第二耦合区域(28)延伸。8. 根据权利要求3至7中任一项所述的芯片装置(10),其中,所述增益天线(22)具有 导电材料,所述导电材料被压制在所述支撑件(12)之上。9. 根据前述权利要求中任一项所述的芯片装置(10),其具有: _第一探测天线(26),其被设置在所述第一耦合区域(24)之中、与所述增益天线(22) 电耦合并且所述增益天线(22)通过所述第一探测天线而与所述第一天线(16)相耦合;并 且 _第二探测天线(30),其被设置在所述第二耦合区域(28)之中、与所述增益天线(22) 电耦合并且所述增益天线(22)通过所述第二探测天线而与所述第二天线(20)相耦合。10. 根据前述权利要求中任一项所述的芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员:G·霍尔韦格,T·亨德尔,G·霍弗,W·帕赫勒,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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