一种基于GaN的X波段功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于GaN的X波段功率放大器，包括MIN电容、滤波电容、薄膜电阻、稳定电阻、螺旋电感、微带传输线、T型接头、GaN基HEMT组成，所述的信号输入端（RFIN）通过第一MIN电容（C1）、微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT（H）的输入端（1）相连，所述的漏极控制端（Vds）通过微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT的输出端（2）相连，所述的微带传输线（W）型号为100um的高阻抗微带传输线；所述的滤波电容选用100uF电解电容，所述GaN基HEMT（H）的型号为NRF01-02aHEMT管芯，所述薄膜电阻选用NiCr材料；本发明专利技术采用负载牵引法和输入端共轭匹配，解决了晶体管端口出现负阻的问题，该功率放大器工作稳定，带宽3.6GHz～8.0GHz，最高增益11.04dB，最大输出功率33dBm，最大PAE达到29.2％，电压驻波比较小。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于GaN的X波段功率放大器，其特征在于，包括MIN电容、滤波电容、薄膜电阻、稳定电阻、螺旋电感、微带传输线、T型接头、GaN基HEMT组成；所述的信号输入端（RFIN）通过第一MIN电容（C1）、微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT（H）的输入端（1）相连；所述的第一螺旋电感（L1）接在第一MIN电容（C1）与地之间；所述的门极控制信号端（Vgs）通过第零稳定电阻（R0）、微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT的输入端（1）相连，所述的第二滤波电容（C2）接在门极控制信号端（Vgs）与地之间；所述的第四MIN电容（C4）接在GaN基HEMT（H）的输入端（1）与输出端（2）之间，所述的第一薄膜电阻（R1）与第五MIN电容（C5）串联，第四MIN电容（C4）与该串联电路并联；所述的第三MIN电容（C3）接在GaN基HEMT（H）的输入端（1）与接地端（3）之间；所述的第六MIN电容（C6）接在GaN基HEMT（H）的输出端（2）与接地端（3）之间；所述的GaN基HEMT（H）的输出端（2）通过T型接头（T）、微带传输线（W）、第八MIN电容（C8）与信号输出端（RFOUT）相连；所述的第二螺旋电感（L2）接在第八MIN电容（C8）与地之间；所述的漏极控制端（Vds）通过微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT的输出端（2）相连，所述的第七滤波电容（C7）接在漏极控制端（Vds）与地之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐余武，邹明炳，邹坤，
申请(专利权)人：无锡研奥电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32