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一种高压磁饱和式单相可控电抗器制造技术

技术编号:10365014 阅读:147 留言:0更新日期:2014-08-27 20:54
本实用新型专利技术公开了一种高压磁饱和式单相可控电抗器,包括主铁心柱,第一旁柱、第二旁柱、第一旁轭及第二旁轭构成的铁心,所述电抗器还包括第一控制绕组、第二控制绕组、第一工作绕组、第二工作绕组及第三工作绕组,所述主铁心柱上套设有第二工作绕组,所述第一旁柱上同心的套设有第一控制绕组和第一工作绕组,所述第二旁柱上同心的套设有第二控制绕组和第三工作绕组,所述第一旁柱及第二旁柱和第一旁轭及第二旁轭的横截面积相等且均小于主铁心柱横截面积。本实用新型专利技术的结构简单,工艺性好,节省材料,降低成本。本实用新型专利技术可以用于高电压等级系统。

【技术实现步骤摘要】
一种高压磁饱和式单相可控电抗器
本技术涉及一种高压磁饱和式单相可控电抗器。
技术介绍
随着特高压、超高压远距离输电网在我国的快速发展,所需补偿无功功率容量巨大,传统方案采用并联电抗器,但由于电网负荷的时变性和复杂性,传统并联电抗器已无法满足电网动态无功平衡的需求。针对上述领域的无功补偿特点,需要一种可动态补偿无功、可靠性高、补偿容量大、成本低的设备来改善目前的不足。磁饱和式可控电抗器不仅可实现连续平滑调节系统的无功功率,且具有可靠性高、补偿容量大、动态性能好、成本低等诸多优点,近年来在动态无功补偿领域得到越来越广泛的关注。目前,我国磁饱和式可控电抗器种类繁多,其中磁阀式可控电抗器在电力系统领域中运用颇广。其特征在于:铁心由两个主铁心柱、边铁心柱及相应的铁轭构成,主铁心柱上均设有多个小截面段(即磁阀),每个主铁心柱均套设上下两部分绕组。其不足之处在于:该电抗器铁心结构复杂、不易于加工、成本较高。
技术实现思路
为解决现有技术存在的不足,本技术公开了一种高压磁饱和式单相可控电抗器,为实现上述目的,本技术的具体方案如下:一种高压磁饱和式单相可控电抗器,包括主铁心柱,第一旁柱、第二旁柱、第一旁轭及第二旁轭构成的铁心,所述电抗器还包括第一控制绕组、第二控制绕组、第一工作绕组、第二工作绕组及第三工作绕组,所述主铁心柱上套设有第二工作绕组,所述第一旁柱上同心的套设有第一控制绕组和第一工作绕组,所述第二旁柱上同心的套设有第二控制绕组和第三工作绕组,所述第一旁柱及第二旁柱和第一旁轭及第二旁轭的横截面积相等且均小于主铁心柱横截面积。所述铁心采用硅钢片迭成。所述主铁心柱上设置有气隙。所述第一控制绕组及第二控制绕组均设置在对应的第一工作绕组及第三工作绕组的内侧。所述第一旁柱及第二旁柱上对应的第一工作绕组及第三工作绕组的同名端并联,第一工作绕组及第三工作绕组的出线端与主铁心柱的第二工作绕组正向串联。所述第一旁柱及第二旁柱对应的第一控制绕组及第二控制绕组反向串联后外接至直流电源。通过调节外加直流电源的输出电压而改变铁心的饱和程度,进而改变高压磁饱和式电抗器的电抗值。所述第一旁柱上同心的套设有第一控制绕组和第一工作绕组,所述第二旁柱上同心的套设有第二控制绕组和第三工作绕组,有效利用空间,节省材料,所述第一旁柱及第二旁柱和第一旁轭及第二旁轭的横截面积相等且均小于主铁心柱横截面积,节省材料本技术的有益效果:本技术在工作时,调节外加直流电源的输出电压,改变控制电流的大小而改变铁心的饱和程度,进而实现对可控电抗器电抗值的连续可调。本专利技术的结构简单,工艺性好,节省材料,降低成本。本专利技术可以用于高电压等级系统。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图;图2为图1中绕组的绕线及接线方式示意图;图3为图2接线方式下直流励磁磁通方向示意图;图4为图2接线方式下交流磁通方向示意图;图中,I主铁心柱、2第一旁柱、3第二旁柱、4第一旁轭、5第二旁轭、6第一工作绕组、7第二工作绕组、8第三工作绕组、9第一控制绕组、10第二控制绕组。【具体实施方式】:下面结合附图对本技术进行详细说明:如图1-4所示,一种高压磁饱和式单相可控电抗器,包括主铁心柱1,第一旁柱2、第二旁柱3、第一旁轭4及第二旁轭5构成的铁心,所述电抗器还包括第一控制绕组9、第二控制绕组10、第一工作绕组6、第二工作绕组7及第三工作绕组8,所述主铁心柱I上套设有第二工作绕组7,所述第一旁柱2上同心的套设有第一控制绕组9和第一工作绕组6,所述第二旁柱3上同心的套设有第二控制绕组10和第三工作绕组8,所述第一旁柱2及第二旁柱3和第一旁轭4及第二旁轭5的横截面积相等且均小于主铁心柱I横截面积。所述铁心采用硅钢片迭成。所述主铁心柱I上设置有气隙。主铁心柱I上可以设置气隙,也可以没有气隙。所述第一控制绕组9及第二控制绕组10均设置在对应的第一工作绕组6及第三工作绕组8的内侧。所述第一旁柱2及第二旁柱3上对应的第一工作绕组6及第三工作绕组8的同名端并联,第一工作绕组6及第三工作绕组8的出线端与主铁心柱I的第二工作绕组7正向串联。所述第一旁柱2及第二旁柱3对应的第一控制绕组9及第二控制绕组10反向串联后外接至直流电源。通过调节外加直流电源的输出电压而改变铁心的饱和程度,进而改变高压磁饱和式电抗器的电抗值。本技术在工作时,调节外加直流电源的输出电压,改变控制电流的大小而改变铁心的饱和程度,进而实现对可控电抗器电抗值的连续可调。本专利技术的结构简单,工艺性好,节省材料,降低成本。本专利技术可以用于高电压等级系统。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压磁饱和式单相可控电抗器,包括主铁心柱,第一旁柱、第二旁柱、第一旁轭及第二旁轭构成的铁心,其特征是,所述电抗器还包括第一控制绕组、第二控制绕组、第一工作绕组、第二工作绕组及第三工作绕组,所述主铁心柱上套设有第二工作绕组,所述第一旁柱上同心的套设有第一控制绕组和第一工作绕组,所述第二旁柱上同心的套设有第二控制绕组和第三工作绕组,所述第一旁柱及第二旁柱和第一旁轭及第二旁轭的横截面积相等且均小于主铁心柱横截面积。

【技术特征摘要】
1.一种高压磁饱和式单相可控电抗器,包括主铁心柱,第一旁柱、第二旁柱、第一旁轭及第二旁轭构成的铁心,其特征是,所述电抗器还包括第一控制绕组、第二控制绕组、第一工作绕组、第二工作绕组及第三工作绕组,所述主铁心柱上套设有第二工作绕组,所述第一旁柱上同心的套设有第一控制绕组和第一工作绕组,所述第二旁柱上同心的套设有第二控制绕组和第三工作绕组,所述第一旁柱及第二旁柱和第一旁轭及第二旁轭的横截面积相等且均小于主铁心柱横截面积。2.如权利要求1所述的一种高压磁饱和式单相可控电抗器,其特征是,所述铁心采用硅钢片迭成。3.如权利要求1所述的一种高压磁饱...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵耀李光友
申请(专利权)人:赵耀
类型:新型
国别省市:山东;37

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