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本发明公开了一种应用于LDO的摆率增强电路，所述摆率增强电路包括：PMOS管M0、M2、M4、M6、M8，NMOS管M1、M3、M5、M7、M9，偏置电流源I0和电容Cf。集成了该摆率增强电路的LDO，可以在不显著增加静态功耗的前提下，当L...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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