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本发明公开一种PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法，所述装置包括：沉积盒以及设置在沉积盒内的第一电极、第二电极；所述沉积盒内部为处理腔，一进口以及一出口分别设置在所述沉积盒的第一侧壁以及第二侧壁，一阀门设置在所述沉积盒的第三...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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